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公开(公告)号：CN108352443A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201680049774.0
申请日：2016-08-26
Applicant: 国立大学法人北陆先端科学技术大学院大学 , 三菱综合材料株式会社
IPC: H01L41/43 , H01L41/318 , H01L21/316 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L41/187
CPC classification number: H01L41/43 , H01L27/105 , H01L27/11502 , H01L41/187 , H01L41/1876 , H01L41/316 , H01L41/318
Abstract: 本发明包括下述的工序：涂布PZT铁电体膜形成用液体组合物的工序；将涂布液体组合物而得的膜干燥的工序；对已干燥的膜在含氧气氛下以150～200℃的温度进行紫外线照射的工序；以及，将涂布工序、干燥工序及紫外线照射工序进行1次或2次以上之后，在含氧气氛下以0.5℃/秒以上的速度升温、或在不含氧气氛下以0.2℃/秒以上的速度升温，并保持于400～500℃的温度，由此将经紫外线照射的铁电体膜前体膜煅烧而结晶的工序。其中，设定液体组合物的每1次的涂布量，使得每涂布1次的铁电体膜的厚度为150nm以上，且在紫外线照射时供给臭氧。
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公开(公告)号：CN114846624A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202080087470.X
申请日：2020-12-18
Applicant: 三菱综合材料株式会社 , 国立大学法人北陆先端科学技术大学院大学
IPC: H01L29/786 , G01N33/483 , G01N33/53 , G01N33/552 , G01N27/414
Abstract: 该晶体管传感器具有：基板；沟道层，设置于所述基板的一个面上；及固体电解质层，设置于所述基板与所述沟道层之间或所述沟道层的与所述基板侧相反的一侧的面上，所述沟道层包含无机半导体，所述固体电解质层包含无机固体电解质，所述晶体管传感器具备暴露部，所述暴露部通过所述沟道层及所述固体电解质层中的任一个或这两个的至少一部分暴露于外部而形成。
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公开(公告)号：CN108352443B
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN201680049774.0
申请日：2016-08-26
Applicant: 国立大学法人北陆先端科学技术大学院大学 , 三菱综合材料株式会社
IPC: H01L41/43 , H01L41/318 , H01L21/316 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L41/187
Abstract: 本发明包括下述的工序：涂布PZT铁电体膜形成用液体组合物的工序；将涂布液体组合物而得的膜干燥的工序；对已干燥的膜在含氧气氛下以150～200℃的温度进行紫外线照射的工序；以及，将涂布工序、干燥工序及紫外线照射工序进行1次或2次以上之后，在含氧气氛下以0.5℃/秒以上的速度升温、或在不含氧气氛下以0.2℃/秒以上的速度升温，并保持于400～500℃的温度，由此将经紫外线照射的铁电体膜前体膜煅烧而结晶的工序。其中，设定液体组合物的每1次的涂布量，使得每涂布1次的铁电体膜的厚度为150nm以上，且在紫外线照射时供给臭氧。
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公开(公告)号：CN105874575B
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201480067483.5
申请日：2014-12-16
Applicant: 国立大学法人北陆先端科学技术大学院大学 , 住友精化株式会社
IPC: H01L21/336 , C08G64/02 , H01L21/28 , H01L29/786
Abstract: 本发明的课题在于提供一种薄膜晶体管及其制造方法，所述薄膜晶体管不必使用在真空下或低压下的各工艺且不必使用昂贵的设备，而对于提供一种能够简便地实现自对准式地形成源极/漏极区域。本发明的一种半导体器件的制造方法，包括以下的步骤：脂肪族聚碳酸酯层形成步骤，其是将隔着栅绝缘层30而被配置在本半导体层20上的栅电极层40、及半导体层20覆盖而形成脂肪族聚碳酸酯层50，此脂肪族聚碳酸酯层50是具有使半导体层20成为n型或p型的半导体层的掺杂剂；及加热步骤，其是在将其掺杂剂导入半导体层20中且于将脂肪族聚碳酸酯层50分解的温度下进行加热。
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公开(公告)号：CN107004606A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201580062190.2
申请日：2015-10-05
Applicant: 国立大学法人北陆先端科学技术大学院大学 , 住友精化株式会社
IPC: H01L21/368 , C23C18/12 , H01L21/288 , H01L21/316 , H01L21/336 , H01L29/786
Abstract: 本发明提供当通过印刷法形成电子装置或半导体元件可采用的薄膜时能控制牵丝性的脂肪族聚碳酸酯、氧化物的前驱体、及氧化物层。本发明之一的氧化物的前驱体是在含有分子量为6千以上且40万以下的脂肪族聚碳酸酯比率为该脂肪族聚碳酸酯全体的80质量％以上的前述脂肪族聚碳酸酯构成的粘结剂(可含不可避免的杂质)的溶液中，分散有在被氧化时成为金属氧化物的金属的化合物的物质。结果如图1所示，可形成可用于半导体元件的制造的良好图案。
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公开(公告)号：CN106458631B
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201580032577.3
申请日：2015-07-10
Applicant: 国立大学法人北陆先端科学技术大学院大学 , 安达满纳米奇精密宝石有限公司
Abstract: 本发明提供一种具有优异特性的氧化物介电体、及具备该氧化物介电体的固态电子装置(例如，电容器、半导体装置、或微电气机械系统)。本发明的由一个氧化物介电体构成的氧化物层(30)为含铋(Bi)和铌(Nb)的氧化物(可包含不可避免的杂质)的层，并含有烧绿石型晶体结构的第一晶体相、以及β－BiNbO4型晶体结构的第二晶体相。进一步，该氧化物层(30)在25℃以上120℃以下的温度范围内伴随氧化物层(30)的温度上升而相对介电常数降低的第一晶体相的含量、以及在该温度范围内伴随氧化物(30)的温度上升而相对介电常数上升的第二晶体相的含量被进行了调整。
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公开(公告)号：CN108885987A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201680083034.9
申请日：2016-11-21
Applicant: 国立大学法人北陆先端科学技术大学院大学 , 住友精化株式会社
IPC: H01L21/306 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: H01L21/306 , H01L29/786
Abstract: 本发明的课题为：使用具备蚀刻掩模功能的含有脂肪族聚碳酸酯的膏状物或溶液来得到层叠体。本发明的技术手段为一种层叠体的制造方法，其包含下列步骤：图案形成步骤：在氧化物层44上、或在被氧化时成为氧化物层44的第2氧化物前驱体层上，形成第1氧化物前驱物层的图案80，所述第1氧化物前驱物层为如后所述的氧化物前驱体层：在含有包含脂肪族聚碳酸酯的粘结剂(可以含有不可避免的杂质)的溶液中分散有被氧化时成为金属氧化物的金属化合物；蚀刻步骤：在该图案形成步骤后，将未被图案80保护的氧化物层44或第2氧化物前驱体层进行蚀刻；加热步骤：在蚀刻步骤后，将氧化物层44或第2氧化物前驱体层、及第1氧化物前驱体层加热至所述粘结剂发生分解的温度以上。
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公开(公告)号：CN108511794A
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201810154427.5
申请日：2018-02-23
Applicant: 国立大学法人北陆先端科学技术大学院大学 , 丰田自动车株式会社
IPC: H01M10/0562 , H01M4/134
Abstract: 本发明涉及氧化物全固体电池。提供在负极活性物质层与固体电解质层之间的锂离子传导性和接合强度优异的氧化物全固体电池。氧化物全固体电池，其特征在于，固体电解质层为以由下述式(1)表示的石榴石型氧化物固体电解质烧结体为主体的层，在负极活性物质层与固体电解质层之间具有固体电解质界面层，固体电解质界面层至少含有Si元素和O元素，并且至少包含负极活性物质层、固体电解质界面层和固体电解质层的层叠体在通过使用CuKα射线的XRD测定得到的XRD图谱中，在2θ＝32.3°±0.5°、37.6°±0.5°、43.8°±0.5°和57.7°±0.5°的位置具有峰。式(1)(Lix-3y-z，Ey，Hz)LαMβOγ。
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公开(公告)号：CN107949903A
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201680051797.5
申请日：2016-07-21
Applicant: 国立大学法人北陆先端科学技术大学院大学 , 住友精化株式会社
IPC: H01L21/3205 , G06F3/041 , G06F3/044 , H01L21/28 , H01L21/288 , H01L21/312 , H01L21/768
CPC classification number: G06F3/041 , G06F3/044 , H01L21/28 , H01L21/288 , H01L21/3205 , H01L21/768
Abstract: 本发明的课题在于，提供一种实现微细配线形成的简便化及/或高品质化的复合部件。本发明的解决手段在于，本发明的一种复合部件(100)，其配置在基材上的多个岛状含有脂肪族聚碳酸酯的层的至少表面，曝露在含有180nm以上且370nm以下的波长的紫外光15分钟后，纯水与其表面的接触角度为50°以上，在各个该前体层所夹持的区域的至少一部分，具备位于前述基材上的金属墨液。
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公开(公告)号：CN107004596A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201480083996.5
申请日：2014-12-24
Applicant: 国立大学法人北陆先端科学技术大学院大学 , 安达满株式会社
IPC: H01L21/316 , C01G33/00 , H01L21/822 , H01L21/8246 , H01L27/04 , H01L27/105
Abstract: 提供一种具有优良特性的氧化物介电体以及具备其该氧化物介电体的固体电子装置(例如，高频滤波器、贴片天线、电容、半导体装置或微机电系统)。本发明的一种包含氧化物介电体的氧化物层30包含具有烧绿石型结晶结构的结晶相且含铋(Bi)与铌(Nb)的氧化物(可包含不可避免的杂质)，且在其铋(Bi)原子数为1时，其铌(Nb)原子数为1.3以上1.7以下。
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