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公开(公告)号：CN102173795A
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN201110025514.9
申请日：2009-05-28
Applicant: 三菱综合材料株式会社 , 意法半导体(图尔)有限公司
IPC: C04B35/491 , C04B35/472 , C04B35/622 , H01L21/316
CPC classification number: H01L41/1876 , B05D3/02 , B05D3/0209 , B05D3/04 , B05D3/0406 , B05D3/0413 , B05D3/0453 , B05D3/0473 , C01G25/006 , C01P2002/50 , C01P2006/40 , C04B24/40 , C04B24/42 , C04B35/491 , C04B35/493 , C04B35/624 , C04B35/632 , C04B35/6325 , C04B2111/92 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3293 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/44 , C04B2235/441 , C04B2235/443 , C04B2235/447 , C04B2235/449 , C04B2235/6585 , C23C18/1204 , C23C18/1225 , C23C18/1279 , C23C30/00 , H01B3/14 , H01G4/1245 , H01G4/206 , H01L21/02197 , H01L21/02282 , H01L21/31691 , H01L27/108 , H01L27/11502 , H01L28/55 , H01L41/18 , H01L41/1875 , H01L41/318
Abstract: 一种强电介质薄膜形成用组合物，为用于形成选自PLZT、PZT及PT的1种强电介质薄膜的强电介质薄膜形成用组合物，其特征在于，是用于形成采取混合复合金属氧化物形态的薄膜的液态组合物，所述混合复合金属氧化物是在通式(1)：(PbxLay)(ZrzTi(1-z))O3表示的复合金属氧化物A中混合包含P(磷)的复合氧化物B得到的，式(1)中0.9＜x＜1.3、0≤y＜0.1、0≤z＜0.9，包含用于构成上述复合金属氧化物A的原料及用于构成上述复合氧化物B的原料以能够提供上述通式(1)表示的金属原子比的比例溶解在有机溶剂中的有机金属化合物溶液。
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公开(公告)号：CN102173795B
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201110025514.9
申请日：2009-05-28
Applicant: 三菱综合材料株式会社 , 意法半导体(图尔)有限公司
IPC: C04B35/491 , C04B35/472 , C04B35/622 , H01L21/316
CPC classification number: H01L41/1876 , B05D3/02 , B05D3/0209 , B05D3/04 , B05D3/0406 , B05D3/0413 , B05D3/0453 , B05D3/0473 , C01G25/006 , C01P2002/50 , C01P2006/40 , C04B24/40 , C04B24/42 , C04B35/491 , C04B35/493 , C04B35/624 , C04B35/632 , C04B35/6325 , C04B2111/92 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3293 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/44 , C04B2235/441 , C04B2235/443 , C04B2235/447 , C04B2235/449 , C04B2235/6585 , C23C18/1204 , C23C18/1225 , C23C18/1279 , C23C30/00 , H01B3/14 , H01G4/1245 , H01G4/206 , H01L21/02197 , H01L21/02282 , H01L21/31691 , H01L27/108 , H01L27/11502 , H01L28/55 , H01L41/18 , H01L41/1875 , H01L41/318
Abstract: 一种强电介质薄膜形成用组合物，为用于形成选自PLZT、PZT及PT的1种强电介质薄膜的强电介质薄膜形成用组合物，其特征在于，是用于形成采取混合复合金属氧化物形态的薄膜的液态组合物，所述混合复合金属氧化物是在通式(1)：(PbxLay)(ZrzTi(1-z))O3表示的复合金属氧化物A中混合包含P(磷)的复合氧化物B得到的，式(1)中0.9＜x＜1.3、0≤y＜0.1、0≤z＜0.9，包含用于构成上述复合金属氧化物A的原料及用于构成上述复合氧化物B的原料以能够提供上述通式(1)表示的金属原子比的比例溶解在有机溶剂中的有机金属化合物溶液。
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公开(公告)号：CN103360066A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310273420.2
申请日：2009-05-28
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C04B35/491 , C04B35/472 , C04B35/50 , H01G4/12 , H01G4/20 , H01L21/02 , H01L21/316 , H01L21/318
CPC classification number: H01L41/1876 , B05D3/02 , B05D3/0209 , B05D3/04 , B05D3/0406 , B05D3/0413 , B05D3/0453 , B05D3/0473 , C01G25/006 , C01P2002/50 , C01P2006/40 , C04B24/40 , C04B24/42 , C04B35/491 , C04B35/493 , C04B35/624 , C04B35/632 , C04B35/6325 , C04B2111/92 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3293 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/44 , C04B2235/441 , C04B2235/443 , C04B2235/447 , C04B2235/449 , C04B2235/6585 , C23C18/1204 , C23C18/1225 , C23C18/1279 , C23C30/00 , H01B3/14 , H01G4/1245 , H01G4/206 , H01L21/02197 , H01L21/02282 , H01L21/31691 , H01L27/108 , H01L27/11502 , H01L28/55 , H01L41/18 , H01L41/1875 , H01L41/318
Abstract: 用于形成选自PLZT、PZT及PT的1种强电介质薄膜的、本发明的强电介质薄膜形成用组合物是用于形成采取混合复合金属氧化物形态的薄膜的液态组合物，所述混合复合金属氧化物是在通式（1）：（PbxLay）（ZrzTi（1－z））Ｏ3（式（1）中0.9＜x＜1.3、0≦y＜0.1、0≦z＜0.9）表示的复合金属氧化物A中混合了复合氧化物B或通式（2）CnH2n＋1COOH（其中，3≦n≦7）表示的羧酸B得到的，复合氧化物B含有选自P（磷）、Si、Ce及Bi的1种或2种以上、选自Sn、Sm、Nd及Y（钇）的1种或2种以上。
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公开(公告)号：CN102315025A
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN201110178384.2
申请日：2011-06-29
Applicant: 三菱综合材料株式会社 , 意法半导体公司
CPC classification number: H01L28/60 , B82Y30/00 , C04B35/4682 , C04B2235/3213 , C04B2235/441 , C04B2235/781 , C04B2235/785 , C04B2235/787 , H01G4/01 , H01G4/1227 , H01G4/33 , H01L21/02197 , H01L21/02282 , H01L28/55 , H01L28/65
Abstract: 一种薄膜电容器，其特征在于，形成下电极、将组合物涂覆至下电极上而没有进行温度高于300℃的退火过程、在从环境温度至500℃的预定温度下干燥，并且在500至800℃且高于干燥温度的预定温度下煅烧。从涂覆至煅烧的过程进行一次或至少两次，或者从涂覆至干燥的过程进行至少两次，然后煅烧进行一次。在第一次煅烧之后形成的电介质薄膜的厚度为20至600nm。下电极的厚度和在初次煅烧步骤之后形成的电介质薄膜的厚度之比（下电极厚度/介电薄膜厚度）优选为0.10至15.0。
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公开(公告)号：CN102046563A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN200980119294.7
申请日：2009-05-28
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C04B35/49 , C01G25/00 , C04B35/46 , H01L21/316 , H01L21/8242 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L27/108
CPC classification number: H01L41/1876 , B05D3/02 , B05D3/0209 , B05D3/04 , B05D3/0406 , B05D3/0413 , B05D3/0453 , B05D3/0473 , C01G25/006 , C01P2002/50 , C01P2006/40 , C04B24/40 , C04B24/42 , C04B35/491 , C04B35/493 , C04B35/624 , C04B35/632 , C04B35/6325 , C04B2111/92 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3293 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/44 , C04B2235/441 , C04B2235/443 , C04B2235/447 , C04B2235/449 , C04B2235/6585 , C23C18/1204 , C23C18/1225 , C23C18/1279 , C23C30/00 , H01B3/14 , H01G4/1245 , H01G4/206 , H01L21/02197 , H01L21/02282 , H01L21/31691 , H01L27/108 , H01L27/11502 , H01L28/55 , H01L41/18 , H01L41/1875 , H01L41/318
Abstract: 用于形成选自PLZT、PZT及PT的1种强电介质薄膜，本发明的强电介质薄膜形成用组合物是用于形成采取混合复合金属氧化物形态的薄膜的液态组合物，所述混合复合金属氧化物是在通式(1)：(PbxLay)(ZrzTi(1-z))O3(式(1)中0.9＜x＜1.3、0≤y＜0.1、0≤z＜0.9)表示的复合金属氧化物A中混合了复合氧化物B或通式(2)CnH2n+1COOH(其中，3≤n≤7)表示的羧酸B得到的，复合氧化物B含有选自P(磷)、Si、Ce及Bi的1种或2种以上、选自Sn、Sm、Nd及Y(钇)的1种或2种以上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114846624A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202080087470.X
申请日：2020-12-18
Applicant: 三菱综合材料株式会社 , 国立大学法人北陆先端科学技术大学院大学
IPC: H01L29/786 , G01N33/483 , G01N33/53 , G01N33/552 , G01N27/414
Abstract: 该晶体管传感器具有：基板；沟道层，设置于所述基板的一个面上；及固体电解质层，设置于所述基板与所述沟道层之间或所述沟道层的与所述基板侧相反的一侧的面上，所述沟道层包含无机半导体，所述固体电解质层包含无机固体电解质，所述晶体管传感器具备暴露部，所述暴露部通过所述沟道层及所述固体电解质层中的任一个或这两个的至少一部分暴露于外部而形成。
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公开(公告)号：CN108352443B
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN201680049774.0
申请日：2016-08-26
Applicant: 国立大学法人北陆先端科学技术大学院大学 , 三菱综合材料株式会社
IPC: H01L41/43 , H01L41/318 , H01L21/316 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L41/187
Abstract: 本发明包括下述的工序：涂布PZT铁电体膜形成用液体组合物的工序；将涂布液体组合物而得的膜干燥的工序；对已干燥的膜在含氧气氛下以150～200℃的温度进行紫外线照射的工序；以及，将涂布工序、干燥工序及紫外线照射工序进行1次或2次以上之后，在含氧气氛下以0.5℃/秒以上的速度升温、或在不含氧气氛下以0.2℃/秒以上的速度升温，并保持于400～500℃的温度，由此将经紫外线照射的铁电体膜前体膜煅烧而结晶的工序。其中，设定液体组合物的每1次的涂布量，使得每涂布1次的铁电体膜的厚度为150nm以上，且在紫外线照射时供给臭氧。
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公开(公告)号：CN112335062A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN201980039936.6
申请日：2019-06-07
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: H01L41/317 , H01L41/187
Abstract: 该KNN膜形成用液体组合物包含有机金属化合物与溶剂，所述有机金属化合物包含有机钾化合物、有机钠化合物及有机铌化合物。在该KNN膜形成用液体组合物中，有机钾化合物及钠化合物分别为由通式CnH2n+1COOH(其中，4≤n≤8)表示的羧酸的金属盐，有机铌化合物为烷氧化铌或所述通式CnH2n+1COOH(其中，4≤n≤8)所示的羧酸的金属盐，主溶剂为由所述通式CnH2n+1COOH(其中，4≤n≤8)表示的羧酸，且相对于KNN膜形成用液体组合物100质量％包含50质量％～90质量％。
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公开(公告)号：CN102473625B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201080029671.0
申请日：2010-04-21
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: H01L21/306 , H01L21/316
CPC classification number: H01L21/02087 , H01L21/02197 , H01L21/02282
Abstract: 本发明将以混合重量比计含有50∶50～0∶100选自β‐二酮类、β‐酮酸酯类、多元醇类、羧酸类、烷醇胺类、α‐羟基羧酸、α‐羟基羰基衍生物和腙衍生物中的1种或2种以上的有机溶剂与水的CSD涂布膜除去用液喷射或滴加至CSD法中热处理前的基板外周端部，将涂布膜除去、并防止颗粒的发生而不会发生裂纹或局部剥离的情况。
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公开(公告)号：CN104446463B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201410553563.3
申请日：2009-05-28
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: H01L21/02 , C04B35/491 , C04B35/472 , C04B35/50 , H01G4/12 , H01G4/20 , H01L21/316 , H01L21/318
CPC classification number: H01L41/1876 , B05D3/02 , B05D3/0209 , B05D3/04 , B05D3/0406 , B05D3/0413 , B05D3/0453 , B05D3/0473 , C01G25/006 , C01P2002/50 , C01P2006/40 , C04B24/40 , C04B24/42 , C04B35/491 , C04B35/493 , C04B35/624 , C04B35/632 , C04B35/6325 , C04B2111/92 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3293 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/44 , C04B2235/441 , C04B2235/443 , C04B2235/447 , C04B2235/449 , C04B2235/6585 , C23C18/1204 , C23C18/1225 , C23C18/1279 , C23C30/00 , H01B3/14 , H01G4/1245 , H01G4/206 , H01L21/02197 , H01L21/02282 , H01L21/31691 , H01L27/108 , H01L27/11502 , H01L28/55 , H01L41/18 , H01L41/1875 , H01L41/318
Abstract: 用于形成选自PLZT、PZT及PT的1种强电介质薄膜的本发明的强电介质薄膜形成用组合物，是用于形成采取复合金属氧化物形态的薄膜的液态组合物，所述复合金属氧化物是在通式(1):(PbxLay)(ZrzTi(1‑z))O3表示的复合金属氧化物A中混合通式(2)CnH2n+1COOH表示的、并且、配位在上述金属上时能够形成下式(3)的结构的、羧酸B得到的，式(1)中0.9
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