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公开(公告)号:CN104446463B
公开(公告)日:2017-04-12
申请号:CN201410553563.3
申请日:2009-05-28
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: H01L21/02 , C04B35/491 , C04B35/472 , C04B35/50 , H01G4/12 , H01G4/20 , H01L21/316 , H01L21/318
CPC classification number: H01L41/1876 , B05D3/02 , B05D3/0209 , B05D3/04 , B05D3/0406 , B05D3/0413 , B05D3/0453 , B05D3/0473 , C01G25/006 , C01P2002/50 , C01P2006/40 , C04B24/40 , C04B24/42 , C04B35/491 , C04B35/493 , C04B35/624 , C04B35/632 , C04B35/6325 , C04B2111/92 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3293 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/44 , C04B2235/441 , C04B2235/443 , C04B2235/447 , C04B2235/449 , C04B2235/6585 , C23C18/1204 , C23C18/1225 , C23C18/1279 , C23C30/00 , H01B3/14 , H01G4/1245 , H01G4/206 , H01L21/02197 , H01L21/02282 , H01L21/31691 , H01L27/108 , H01L27/11502 , H01L28/55 , H01L41/18 , H01L41/1875 , H01L41/318
Abstract: 用于形成选自PLZT、PZT及PT的1种强电介质薄膜的本发明的强电介质薄膜形成用组合物,是用于形成采取复合金属氧化物形态的薄膜的液态组合物,所述复合金属氧化物是在通式(1):(PbxLay)(ZrzTi(1‑z))O3表示的复合金属氧化物A中混合通式(2)CnH2n+1COOH表示的、并且、配位在上述金属上时能够形成下式(3)的结构的、羧酸B得到的,式(1)中0.9
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公开(公告)号:CN104071854A
公开(公告)日:2014-10-01
申请号:CN201410056241.8
申请日:2014-02-19
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: C01D15/02 , C01G51/42 , C23C18/1216 , C23C18/1225 , C23C18/1279 , H01M4/0404 , H01M4/1391 , H01M4/366 , H01M4/525 , H01M4/667 , H01M10/052 , H01M10/0525 , H01M10/058
Abstract: 本发明提供一种LiCoO2膜形成用前驱体溶液以及利用该溶液的LiCoO2膜的形成方法。该LiCoO2膜形成用前驱体溶液为用于形成用作薄膜型锂二次电池的正极材料的LiCoO2膜的前驱体溶液。该LiCoO2膜形成用前驱体溶液经有机锂化合物以及有机钴化合物溶解于有机溶剂中而成。并且,有机锂化合物为用通式CnH2n+1COOH表示的羧酸的锂盐,其中,2≤n≤8。
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公开(公告)号:CN103360066B
公开(公告)日:2015-11-18
申请号:CN201310273420.2
申请日:2009-05-28
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C04B35/491 , C04B35/472 , C04B35/50 , H01G4/12 , H01G4/20 , H01L21/02 , H01L21/316 , H01L21/318
CPC classification number: H01L41/1876 , B05D3/02 , B05D3/0209 , B05D3/04 , B05D3/0406 , B05D3/0413 , B05D3/0453 , B05D3/0473 , C01G25/006 , C01P2002/50 , C01P2006/40 , C04B24/40 , C04B24/42 , C04B35/491 , C04B35/493 , C04B35/624 , C04B35/632 , C04B35/6325 , C04B2111/92 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3293 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/44 , C04B2235/441 , C04B2235/443 , C04B2235/447 , C04B2235/449 , C04B2235/6585 , C23C18/1204 , C23C18/1225 , C23C18/1279 , C23C30/00 , H01B3/14 , H01G4/1245 , H01G4/206 , H01L21/02197 , H01L21/02282 , H01L21/31691 , H01L27/108 , H01L27/11502 , H01L28/55 , H01L41/18 , H01L41/1875 , H01L41/318
Abstract: 用于形成选自PLZT、PZT及PT的1种强电介质薄膜的、本发明的强电介质薄膜形成用组合物是用于形成采取混合复合金属氧化物形态的薄膜的液态组合物,所述混合复合金属氧化物是在通式(1):(PbxLay)(ZrzTi(1-z))O3(式(1)中0.9<x<1.3、0≦y<0.1、0≦z<0.9)表示的复合金属氧化物A中混合了复合氧化物B或通式(2)CnH2n+1COOH(其中,3≦n≦7)表示的羧酸B得到的,复合氧化物B含有选自P(磷)、Si、Ce及Bi的1种或2种以上、选自Sn、Sm、Nd及Y(钇)的1种或2种以上。
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公开(公告)号:CN104446463A
公开(公告)日:2015-03-25
申请号:CN201410553563.3
申请日:2009-05-28
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C04B35/491 , C04B35/472 , C04B35/50 , H01G4/12 , H01G4/20 , H01L21/02 , H01L21/316 , H01L21/318
CPC classification number: H01L41/1876 , B05D3/02 , B05D3/0209 , B05D3/04 , B05D3/0406 , B05D3/0413 , B05D3/0453 , B05D3/0473 , C01G25/006 , C01P2002/50 , C01P2006/40 , C04B24/40 , C04B24/42 , C04B35/491 , C04B35/493 , C04B35/624 , C04B35/632 , C04B35/6325 , C04B2111/92 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3293 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/44 , C04B2235/441 , C04B2235/443 , C04B2235/447 , C04B2235/449 , C04B2235/6585 , C23C18/1204 , C23C18/1225 , C23C18/1279 , C23C30/00 , H01B3/14 , H01G4/1245 , H01G4/206 , H01L21/02197 , H01L21/02282 , H01L21/31691 , H01L27/108 , H01L27/11502 , H01L28/55 , H01L41/18 , H01L41/1875 , H01L41/318
Abstract: 用于形成选自PLZT、PZT及PT的1种强电介质薄膜的本发明的强电介质薄膜形成用组合物,是用于形成采取复合金属氧化物形态的薄膜的液态组合物,所述复合金属氧化物是在通式(1):(PbxLay)(ZrzTi(1-z))O3表示的复合金属氧化物A中混合通式(2)CnH2n+1COOH表示的、并且、配位在上述金属上时能够形成下式(3)的结构的、羧酸B得到的,式(1)中0.9
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公开(公告)号:CN102046563B
公开(公告)日:2014-08-06
申请号:CN200980119294.7
申请日:2009-05-28
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C04B35/49 , C01G25/00 , C04B35/46 , H01L21/316 , H01L21/8242 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L27/108
CPC classification number: H01L41/1876 , B05D3/02 , B05D3/0209 , B05D3/04 , B05D3/0406 , B05D3/0413 , B05D3/0453 , B05D3/0473 , C01G25/006 , C01P2002/50 , C01P2006/40 , C04B24/40 , C04B24/42 , C04B35/491 , C04B35/493 , C04B35/624 , C04B35/632 , C04B35/6325 , C04B2111/92 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3293 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/44 , C04B2235/441 , C04B2235/443 , C04B2235/447 , C04B2235/449 , C04B2235/6585 , C23C18/1204 , C23C18/1225 , C23C18/1279 , C23C30/00 , H01B3/14 , H01G4/1245 , H01G4/206 , H01L21/02197 , H01L21/02282 , H01L21/31691 , H01L27/108 , H01L27/11502 , H01L28/55 , H01L41/18 , H01L41/1875 , H01L41/318
Abstract: 用于形成选自PLZT、PZT及PT的1种强电介质薄膜的、本发明的强电介质薄膜形成用组合物是用于形成采取混合复合金属氧化物形态的薄膜的液态组合物,所述混合复合金属氧化物是在通式(1):(PbxLay)(ZrzTi(1-z))O3(式(1)中0.9<x<1.3、0≤y<0.1、0≤z<0.9)表示的复合金属氧化物A中混合了复合氧化物B或通式(2)CnH2n+1COOH(其中,3≤n≤7)表示的羧酸B得到的,复合氧化物B含有选自P(磷)、Si、Ce及Bi的1种或2种以上、选自Sn、Sm、Nd及Y(钇)的1种或2种以上。
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公开(公告)号:CN103130502A
公开(公告)日:2013-06-05
申请号:CN201110375437.X
申请日:2011-11-23
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C04B35/49 , C04B35/491 , C04B35/622
Abstract: 本发明提供了一种能够提高寿命可靠性的铁电薄膜及使用该铁电薄膜的薄膜电容器。本发明的铁电薄膜采取如下形态,即由选自包括Bi、Si、Pb、Ge、Sn、Al、Ga、In、Mg、Ca、Sr、Ba、V、Nb、Ta、Sc、Y、Ti、Zr、Hf、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Zn、Cd、Li、Na、K、P、B、Ce、Nd、Sm及Cs的组中的1种或2种以上元素构成的金属氧化物以某种恒定比例混合在由(PbxLay)(ZrzTi(1-z))O3(式中,0.9<x<1.3,0≤y<0.1,0≤z<0.9)所示的复合金属氧化物中的混合复合金属氧化物的形态,其中,层叠2~23层的烧成层而构成,烧成层的厚度t为45~500nm,烧成层中存在的晶粒的定方向最大径的平均x为200~5000nm,烧成层均满足1.5t<x<23t的关系。
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公开(公告)号:CN104072133A
公开(公告)日:2014-10-01
申请号:CN201410055655.9
申请日:2014-02-19
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C04B35/491 , C04B35/622
CPC classification number: H01G4/08 , B05D1/38 , B05D3/0254 , C23C16/409 , H01G4/018 , H01G4/06 , H01G4/30 , H01L21/02197 , H01L21/02282 , H01L21/02356 , H01L28/55 , H01L41/1876 , H01L41/318
Abstract: 本发明提供一种PZT系铁电薄膜及其形成方法和复合电子组件。所述PZT系铁电薄膜通过如下来形成,即在具有下部电极的基板的该下部电极上涂布一次或两次以上PZT系铁电薄膜形成用组合物并进行预烧结之后,通过烧成使其结晶,其中,薄膜由从薄膜表面测定时的平均粒径在500~3000nm的范围的PZT系粒子构成,在薄膜表面上的晶界的一部分或全部中析出有平均粒径为20nm以下的与上述PZT系粒子不同性质的微粒。
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公开(公告)号:CN103360066A
公开(公告)日:2013-10-23
申请号:CN201310273420.2
申请日:2009-05-28
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C04B35/491 , C04B35/472 , C04B35/50 , H01G4/12 , H01G4/20 , H01L21/02 , H01L21/316 , H01L21/318
CPC classification number: H01L41/1876 , B05D3/02 , B05D3/0209 , B05D3/04 , B05D3/0406 , B05D3/0413 , B05D3/0453 , B05D3/0473 , C01G25/006 , C01P2002/50 , C01P2006/40 , C04B24/40 , C04B24/42 , C04B35/491 , C04B35/493 , C04B35/624 , C04B35/632 , C04B35/6325 , C04B2111/92 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3293 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/44 , C04B2235/441 , C04B2235/443 , C04B2235/447 , C04B2235/449 , C04B2235/6585 , C23C18/1204 , C23C18/1225 , C23C18/1279 , C23C30/00 , H01B3/14 , H01G4/1245 , H01G4/206 , H01L21/02197 , H01L21/02282 , H01L21/31691 , H01L27/108 , H01L27/11502 , H01L28/55 , H01L41/18 , H01L41/1875 , H01L41/318
Abstract: 用于形成选自PLZT、PZT及PT的1种强电介质薄膜的、本发明的强电介质薄膜形成用组合物是用于形成采取混合复合金属氧化物形态的薄膜的液态组合物,所述混合复合金属氧化物是在通式(1):(PbxLay)(ZrzTi(1-z))O3(式(1)中0.9<x<1.3、0≦y<0.1、0≦z<0.9)表示的复合金属氧化物A中混合了复合氧化物B或通式(2)CnH2n+1COOH(其中,3≦n≦7)表示的羧酸B得到的,复合氧化物B含有选自P(磷)、Si、Ce及Bi的1种或2种以上、选自Sn、Sm、Nd及Y(钇)的1种或2种以上。
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公开(公告)号:CN102173795A
公开(公告)日:2011-09-07
申请号:CN201110025514.9
申请日:2009-05-28
Applicant: 三菱综合材料株式会社 , 意法半导体(图尔)有限公司
IPC: C04B35/491 , C04B35/472 , C04B35/622 , H01L21/316
CPC classification number: H01L41/1876 , B05D3/02 , B05D3/0209 , B05D3/04 , B05D3/0406 , B05D3/0413 , B05D3/0453 , B05D3/0473 , C01G25/006 , C01P2002/50 , C01P2006/40 , C04B24/40 , C04B24/42 , C04B35/491 , C04B35/493 , C04B35/624 , C04B35/632 , C04B35/6325 , C04B2111/92 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3293 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/44 , C04B2235/441 , C04B2235/443 , C04B2235/447 , C04B2235/449 , C04B2235/6585 , C23C18/1204 , C23C18/1225 , C23C18/1279 , C23C30/00 , H01B3/14 , H01G4/1245 , H01G4/206 , H01L21/02197 , H01L21/02282 , H01L21/31691 , H01L27/108 , H01L27/11502 , H01L28/55 , H01L41/18 , H01L41/1875 , H01L41/318
Abstract: 一种强电介质薄膜形成用组合物,为用于形成选自PLZT、PZT及PT的1种强电介质薄膜的强电介质薄膜形成用组合物,其特征在于,是用于形成采取混合复合金属氧化物形态的薄膜的液态组合物,所述混合复合金属氧化物是在通式(1):(PbxLay)(ZrzTi(1-z))O3表示的复合金属氧化物A中混合包含P(磷)的复合氧化物B得到的,式(1)中0.9<x<1.3、0≤y<0.1、0≤z<0.9,包含用于构成上述复合金属氧化物A的原料及用于构成上述复合氧化物B的原料以能够提供上述通式(1)表示的金属原子比的比例溶解在有机溶剂中的有机金属化合物溶液。
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公开(公告)号:CN102046563A
公开(公告)日:2011-05-04
申请号:CN200980119294.7
申请日:2009-05-28
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C04B35/49 , C01G25/00 , C04B35/46 , H01L21/316 , H01L21/8242 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L27/108
CPC classification number: H01L41/1876 , B05D3/02 , B05D3/0209 , B05D3/04 , B05D3/0406 , B05D3/0413 , B05D3/0453 , B05D3/0473 , C01G25/006 , C01P2002/50 , C01P2006/40 , C04B24/40 , C04B24/42 , C04B35/491 , C04B35/493 , C04B35/624 , C04B35/632 , C04B35/6325 , C04B2111/92 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3293 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/44 , C04B2235/441 , C04B2235/443 , C04B2235/447 , C04B2235/449 , C04B2235/6585 , C23C18/1204 , C23C18/1225 , C23C18/1279 , C23C30/00 , H01B3/14 , H01G4/1245 , H01G4/206 , H01L21/02197 , H01L21/02282 , H01L21/31691 , H01L27/108 , H01L27/11502 , H01L28/55 , H01L41/18 , H01L41/1875 , H01L41/318
Abstract: 用于形成选自PLZT、PZT及PT的1种强电介质薄膜,本发明的强电介质薄膜形成用组合物是用于形成采取混合复合金属氧化物形态的薄膜的液态组合物,所述混合复合金属氧化物是在通式(1):(PbxLay)(ZrzTi(1-z))O3(式(1)中0.9<x<1.3、0≤y<0.1、0≤z<0.9)表示的复合金属氧化物A中混合了复合氧化物B或通式(2)CnH2n+1COOH(其中,3≤n≤7)表示的羧酸B得到的,复合氧化物B含有选自P(磷)、Si、Ce及Bi的1种或2种以上、选自Sn、Sm、Nd及Y(钇)的1种或2种以上。
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