-
公开(公告)号：CN102105991A
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN200980128810.2
申请日：2009-10-02
Applicant: 三菱重工业株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/03921 , H01L31/077 , H01L31/1804 , H01L31/182 , H01L31/1824 , H01L31/202 , Y02E10/545 , Y02E10/546 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种尽可能防止电流经由中间接触层分离槽泄漏的情况的光电转换装置的制造方法。该方法包括：制膜以非结晶硅为主成分的顶层(91)的工序；在顶层(91)上制膜进行电连接及光学连接的中间接触层(93)的工序；照射脉冲激光，除去中间接触层(93)，并形成到达顶层(91)的中间接触层分离槽(14)而将中间接触层(93)分离的工序；在中间接触层(93)上及中间接触层分离槽(14)内制膜进行电连接及光学连接且以微结晶硅为主成分的底层(92)的工序。中间接触层分离槽(14)在顶层(91)的i层内形成终端。
-
公开(公告)号：CN102105993B
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN200980129037.1
申请日：2009-10-02
Applicant: 三菱重工业株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/1804 , H01L31/03921 , H01L31/077 , H01L31/182 , H01L31/1824 , H01L31/202 , Y02E10/545 , Y02E10/546 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种尽可能防止电流经由中间接触层分离槽从中间接触层泄漏的光电转换装置的制造方法。该方法包括：制膜以非结晶硅为主成分的顶层(91)的工序；在顶层(91)上制膜对该顶层进行电连接及光学连接的中间接触层(93)的工序；照射脉冲激光，除去中间接触层(93)，并形成直至顶层(91)的中间接触层分离槽(14)而分离中间接触层(93)的工序；在中间接触层(93)上及中间接触层分离槽(14)内制膜对其进行电连接及光学连接且以微结晶硅为主成分的底层(92)的工序。作为分离中间接触层(93)的脉冲激光器，使用脉冲宽度为10ps以上750ps以下的脉冲激光器。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102227817A
公开(公告)日：2011-10-26
申请号：CN200980147736.9
申请日：2009-08-25
Applicant: 三菱重工业株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/076 , B23K26/0006 , B23K26/0624 , B23K26/064 , B23K26/0676 , B23K26/083 , B23K26/359 , B23K26/364 , B23K26/40 , B23K2103/172 , B23K2103/50 , B23K2103/56 , H01L31/0463 , H01L31/056 , Y02E10/52 , Y02E10/548
Abstract: 提供一种能够将加工槽的槽深度控制成希望值的光电转换装置的制造方法、光电转换装置的制造装置及光电转换装置。一种光电转换装置(10)的制造方法，具有对构成光电转换装置(10)的中间接触层分离槽(15)照射皮秒激光，并使皮秒激光相对于中间接触层分离槽(15)进行相对移动而沿规定的扫描方向形成加工槽(15)的槽形成工序，其中，槽形成工序在与的射束直径相当的照射区域内形成沿一方向并列排列的干涉条纹，并以将干涉条纹沿扫描方向连接的方式使皮秒激光进行相对移动。
-
公开(公告)号：CN102105993A
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN200980129037.1
申请日：2009-10-02
Applicant: 三菱重工业株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/1804 , H01L31/03921 , H01L31/077 , H01L31/182 , H01L31/1824 , H01L31/202 , Y02E10/545 , Y02E10/546 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种尽可能防止电流经由中间接触层分离槽从中间接触层泄漏的光电转换装置的制造方法。该方法包括：制膜以非结晶硅为主成分的顶层(91)的工序；在顶层(91)上制膜对该顶层进行电连接及光学连接的中间接触层(93)的工序；照射脉冲激光，除去中间接触层(93)，并形成直至顶层(91)的中间接触层分离槽(14)而分离中间接触层(93)的工序；在中间接触层(93)上及中间接触层分离槽(14)内制膜对其进行电连接及光学连接且以微结晶硅为主成分的底层(92)的工序。作为分离中间接触层(93)的脉冲激光器，使用脉冲宽度为10ps以上750ps以下的脉冲激光器。
-
公开(公告)号：CN102105991B
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN200980128810.2
申请日：2009-10-02
Applicant: 三菱重工业株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/03921 , H01L31/077 , H01L31/1804 , H01L31/182 , H01L31/1824 , H01L31/202 , Y02E10/545 , Y02E10/546 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种尽可能防止电流经由中间接触层分离槽泄漏的情况的光电转换装置的制造方法。该方法包括：制膜以非结晶硅为主成分的顶层(91)的工序；在顶层(91)上制膜进行电连接及光学连接的中间接触层(93)的工序；照射脉冲激光，除去中间接触层(93)，并形成到达顶层(91)的中间接触层分离槽(14)而将中间接触层(93)分离的工序；在中间接触层(93)上及中间接触层分离槽(14)内制膜进行电连接及光学连接且以微结晶硅为主成分的底层(92)的工序。中间接触层分离槽(14)在顶层(91)的i层内形成终端。
-
公开(公告)号：CN101772844B
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN200780100152.7
申请日：2007-08-14
Applicant: 三菱重工业株式会社
IPC: H01L31/042
CPC classification number: H01L31/03921 , H01L31/046 , H01L31/0463 , Y02E10/50
Abstract: 本发明提供一种光电变换装置及其制造方法，可以防止由于通过浸入的水分发生的电析而引起的性能降低。在光电变换装置中，在侧方绝缘槽(16)的基板中央侧，以在Y方向上延伸的状态，在X方向上并列形成两个以上的中间绝缘槽(17)，该中间绝缘槽(17)将在X方向上相邻的太阳能电池单元(5)之间电绝缘，在各中间绝缘部(17)的中途位置，设置有将在X方向上相邻的太阳能电池单元(5)彼此电连接的导通部(18)，导通部(18)所处的太阳能电池单元(5)通过从导通部(18)在X方向上离开的其他中间绝缘槽(17)，从在X方向上相邻的太阳能电池单元(5)电绝缘。
-
公开(公告)号：CN101772844A
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN200780100152.7
申请日：2007-08-14
Applicant: 三菱重工业株式会社
IPC: H01L31/042
CPC classification number: H01L31/03921 , H01L31/046 , H01L31/0463 , Y02E10/50
Abstract: 本发明提供一种光电变换装置及其制造方法，可以防止由于通过浸入的水分发生的电析而引起的性能降低。在光电变换装置中，在侧方绝缘槽(16)的基板中央侧，以在Y方向上延伸的状态，在X方向上并列形成两个以上的中间绝缘槽(17)，该中间绝缘槽(17)将在X方向上相邻的太阳能电池单元(5)之间电绝缘，在各中间绝缘部(17)的中途位置，设置有将在X方向上相邻的太阳能电池单元(5)彼此电连接的导通部(18)，导通部(18)所处的太阳能电池单元(5)通过从导通部(18)在X方向上离开的其他中间绝缘槽(17)，从在X方向上相邻的太阳能电池单元(5)电绝缘。
-
-
-
-
-
-
Search Results
7
records
(took 0.03 seconds)
