公开(公告)号：CN109037359A

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201810878741.8

申请日：2015-11-30

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 河廷珉 ,  金圣辰 ,  郑柱和 ,  安俊勇 ,  崔亨旭 ,  张元宰 ,  金在声

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0747

CPC classification number: H01L31/022433 ,  H01L31/0201 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/03685 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/077 ,  H01L31/1824 ,  H01L31/1864 ,  H01L31/1868 ,  Y02E10/50

Abstract: 太阳能电池。公开了太阳能电池及其制造方法。一种太阳能电池包括：半导体基板；隧穿层，其在半导体基板的第一表面上；第一导电类型半导体区域，其在隧穿层上并且包含第一导电类型的杂质；第二导电类型半导体区域，其在第二表面上并且包括与第一导电类型相反的第二导电类型的杂质；第一钝化膜，其在第一导电类型半导体区域上；第一电极，其在第一钝化膜上形成，并且穿过在第一钝化膜中形成的开口部连接到第一导电类型半导体区域；第二钝化膜，其在第二导电类型半导体区域上；以及第二电极，其在第二钝化膜上形成，并且穿过在第二钝化膜中形成的开口部连接到第二导电类型半导体区域。

公开(公告)号：CN105655427B

公开(公告)日：2018-07-24

申请号：CN201510892086.8

申请日：2015-11-30

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 河廷珉 ,  金圣辰 ,  郑柱和 ,  安俊勇 ,  崔亨旭 ,  张元宰 ,  金在声

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/0224

CPC classification number: H01L31/022433 ,  H01L31/0201 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/03685 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/077 ,  H01L31/1824 ,  H01L31/1864 ,  H01L31/1868 ,  Y02E10/50

Abstract: 公开了太阳能电池及其制造方法。一种太阳能电池包括：半导体基板；隧穿层，其在半导体基板的第一表面上；第一导电类型半导体区域，其在隧穿层上并且包含第一导电类型的杂质；第二导电类型半导体区域，其在第二表面上并且包括与第一导电类型相反的第二导电类型的杂质；第一钝化膜，其在第一导电类型半导体区域上；第一电极，其在第一钝化膜上形成，并且穿过在第一钝化膜中形成的开口部连接到第一导电类型半导体区域；第二钝化膜，其在第二导电类型半导体区域上；以及第二电极，其在第二钝化膜上形成，并且穿过在第二钝化膜中形成的开口部连接到第二导电类型半导体区域。

公开(公告)号：CN106653922A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201610954774.7

申请日：2016-10-27

Applicant: 延边大学

Inventor： 吴宝嘉 ,  王俊盈 ,  赵晨 ,  谷雨时

IPC: H01L31/054 ,  H01L31/077 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/52 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/054 ,  H01L31/077 ,  H01L31/184

Abstract: 本发明公开了一种Ⅲ‑Ⅴ族半导体的太阳能电池结构及其制作方法，包括保护壳以及从下到上依次设置在保护壳内透明基板、非晶硅层、Ⅲ‑Ⅴ族多晶半导体层、透明导光层、吸光层，保护壳的底端活动安装有保护底板，吸光层呈凹向的弧形设置，与透明导光层上的凹槽为吻合；透明导光层的表面和内部开设有多个微孔，将入射光线水平导向至Ⅲ‑Ⅴ族多晶半导体层中。本发明采用弧形的吸光层、透明导光层以及透明基板作为结构，不仅增加了其使用寿命，降低了总成本，而且增加吸光面积，有效的吸收光能，提高太阳能电池对光的转换效率。

公开(公告)号：CN106098812A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201610466410.4

申请日：2016-06-23

Applicant: 南京大学

Inventor： 叶建东 ,  李靖 ,  刘松民 ,  朱顺明 ,  汤坤 ,  顾书林

IPC: H01L31/0296 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/077 ,  H01L31/18 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/077 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L31/02963 ,  H01L31/032 ,  H01L31/035227 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1828

Abstract: 本发明公开了基于氧掺杂碲化锌纳米线阵列的太阳电池，自上而下依次为：包裹了氧化锌/氧掺杂碲化锌/碲化锌三层同轴包覆的纳米线阵列顶端的n型AZO透明导电薄膜、氧化锌/氧掺杂碲化锌/碲化锌三层同轴包覆的纳米线阵列、包裹纳米线底端的PMDS支撑层和p型掺杂高导单晶硅层衬底，利用具有中间带特性的氧化锌/氧掺杂碲化锌/碲化锌三层同轴包覆的纳米线阵列作为光电吸收层；在AZO透明导电薄膜和p型掺杂高导单晶硅层分别引出电极。

公开(公告)号：CN104584237A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201380043653.1

申请日：2013-08-27

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 绵引达郎 ,  桧座秀一 ,  佐藤刚彦

IPC: H01L31/0747

CPC classification number: H01L31/022475 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/077 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/50 ,  H01L31/076

Abstract: 在n型硅基板1的第1主面(1A)、侧面(1C)以及第2主面(1B)的周缘部处具备第1非晶硅i层(2)和非晶硅p层(4)。另一方面，在第1主面(1A)和侧面(1C)上具有第1ITO层(6)，在第2主面(1B)上具备第2非晶硅i层(3)和非晶硅n层(5)，在其上残留周缘部而具有面积比n型硅基板(1)小的第2ITO层(7)。而且，在第2主面(1B)上的周缘部处，具有将第1非晶硅i层(2)、非晶硅p层(4)、第2非晶硅i层(3)、非晶硅n层(5)按该顺序层叠的构造。因而，不需要追加的工艺而能够分离第1ITO层(6)和第2ITO层(7)，能够防止泄漏电流。而且，在端部处也确保各个膜的顺序，正常地维持电荷的流动，由此能够发挥集电效果并发挥电池功能，使有效面积最大。

公开(公告)号：CN104362211A

公开(公告)日：2015-02-18

申请号：CN201410586357.2

申请日：2014-10-24

Applicant: 新奥光伏能源有限公司

Inventor： 张林 ,  王进 ,  任明冲 ,  谷士斌 ,  何延如 ,  杨荣 ,  李立伟 ,  郭铁 ,  孟原

IPC: H01L31/077 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/077 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1884

Abstract: 本发明公开了一种异质结太阳能电池及其制备方法，通过在p型非晶硅薄膜表面形成特定的金属薄膜，以及在所述金属薄膜表面形成第二导电薄膜，制作了P型非晶硅/金属薄膜层/TCO界面结构的异质结太阳能电池，使TCO/金属薄膜层/P型非晶硅结构中的界面为欧姆接触，与传统P型非晶硅/TCO界面结构的异质结太阳能电池相比，降低了TCO与P型非晶硅薄膜之间存在的较大接触电阻，从而降低电池串联电阻，有利于提升电池的填充因子。

公开(公告)号：CN103390697A

公开(公告)日：2013-11-13

申请号：CN201310168107.2

申请日：2013-05-09

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 陈自强 ,  A·J·洪 ,  金志焕 ,  D·K·萨达那

IPC: H01L31/20 ,  H01L31/077 ,  H01L31/0368 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L31/077 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/45557 ,  C23C16/50 ,  C23C16/515 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/022475 ,  H01L31/022483 ,  H01L31/03682 ,  H01L31/03687 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/056 ,  H01L31/065 ,  H01L31/1816 ,  H01L31/20 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/546 ,  Y02E10/548

Abstract: 本发明涉及光伏器件、其形成方法以及等离子体增强化学气相沉积系统。一种形成光伏器件的方法包括提供衬底。在所述衬底上沉积光伏叠层的一个或多个层。沉积非晶层包括执行高功率快闪沉积以沉积所述层的第一部分。执行低功率沉积以沉积所述层的第二部分。

公开(公告)号：CN101779294B

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：CN200980100131.4

申请日：2009-01-07

Applicant: 三菱重工业株式会社

Inventor： 吴屋真之 ,  笹川英四郎 ,  真岛浩 ,  坂井智嗣

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/0236 ,  H01L31/02366 ,  H01L31/077 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/50

Abstract: 提供一种具有高转换效率且量产性优良的大面积光电转换装置。光电转换装置(100)在基板(1)上形成包括晶体硅层的光电转换层(3)，晶体硅层具有晶体硅i层(42)，光电转换装置(100)具有以下述指标表示的基板面内分布：晶体硅i层(42)的晶体硅相的拉曼峰值强度相对于非晶硅相的拉曼峰值强度之比即拉曼峰值比的平均值为4以上8以下，拉曼峰值比的标准偏差为1以上3以下，且拉曼峰值比为4以下的区域的比例为0％以上15％以下。光电转换装置(100)中，形成基板(1)的光电转换层(3)的面大小为1m见方以上，具有以下述指标表示的基板面内分布：晶体硅i层(42)的拉曼峰值比的平均值为5以上8以下，拉曼峰值比的标准偏差为1以上3以下，且拉曼峰值比为4以下的区域的比例为0％以上10％以下。

公开(公告)号：CN102105993B

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN200980129037.1

申请日：2009-10-02

Applicant: 三菱重工业株式会社

Inventor： 西宫立享 ,  宇田和孝 ,  川添浩平 ,  马场智义 ,  石出孝

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/1804 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/077 ,  H01L31/182 ,  H01L31/1824 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/546 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种尽可能防止电流经由中间接触层分离槽从中间接触层泄漏的光电转换装置的制造方法。该方法包括：制膜以非结晶硅为主成分的顶层(91)的工序；在顶层(91)上制膜对该顶层进行电连接及光学连接的中间接触层(93)的工序；照射脉冲激光，除去中间接触层(93)，并形成直至顶层(91)的中间接触层分离槽(14)而分离中间接触层(93)的工序；在中间接触层(93)上及中间接触层分离槽(14)内制膜对其进行电连接及光学连接且以微结晶硅为主成分的底层(92)的工序。作为分离中间接触层(93)的脉冲激光器，使用脉冲宽度为10ps以上750ps以下的脉冲激光器。

公开(公告)号：CN102396079A

公开(公告)日：2012-03-28

申请号：CN201080017092.4

申请日：2010-03-09

Applicant: 应用材料公司

Inventor： S·盛 ,  Y·K·蔡

IPC: H01L31/042

CPC classification number: H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/076 ,  H01L31/077 ,  H01L31/1824 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

Abstract: 提供用于本征型微晶硅层的方法。一实施例中，藉由下列步骤制造微晶硅层：提供基板进入处理腔室，供应气体混合物进入处理腔室，在气体混合物中以第一模式施加RF功率，脉冲气体混合物进入处理腔室，并在经脉冲的气体混合物中以第二模式施加RF功率。