公开(公告)号：CN107433328B

公开(公告)日：2019-04-09

申请号：CN201710861542.1

申请日：2017-09-21

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 张德良 ,  李晨光 ,  张明威 ,  阮绵面 ,  梁加淼 ,  谢跃煌

IPC: B22F1/00 ,  B22F9/04 ,  B22F9/16 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种携带纳米铜晶体的片状铜粉及其制备方法。片状铜粉中铜片的厚度为100～500nm，铜片表面均匀附着纳米级别的铜晶体颗粒；制备方法包括以下步骤：首先铜粉与其他金属粉制备层片相间的铜合金化复合粉末；然后铜合金化复合粉末钝化后进行去合金化处理，除去铜合金化复合粉末中的其他金属；最后清洗、干燥去合金化的粉末得到携带纳米铜晶体的片状铜粉；本发明技术方案制备得到新型的片状铜粉末结构，具有更优异的导电、催化等性能；制备工艺方法缩短了球磨时间，简化了工艺流程，减少了杂质引入，简便易操作，适用于放大工业化生产。

公开(公告)号：CN107433328A

公开(公告)日：2017-12-05

申请号：CN201710861542.1

申请日：2017-09-21

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 张德良 ,  李晨光 ,  张明威 ,  阮绵面 ,  梁加淼 ,  谢跃煌

IPC: B22F1/00 ,  B22F9/04 ,  B22F9/16 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: B22F1/0055 ,  B22F1/0018 ,  B22F1/0044 ,  B22F1/0088 ,  B22F9/04 ,  B22F9/16 ,  B22F2001/0033 ,  B22F2009/043 ,  B22F2998/10 ,  B22F2999/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  B22F2201/11

Abstract: 本发明公开了一种携带纳米铜晶体的片状铜粉及其制备方法。片状铜粉中铜片的厚度为100～500nm，铜片表面均匀附着纳米级别的铜晶体颗粒；制备方法包括以下步骤：首先铜粉与其他金属粉制备层片相间的铜合金化复合粉末；然后铜合金化复合粉末钝化后进行去合金化处理，除去铜合金化复合粉末中的其他金属；最后清洗、干燥去合金化的粉末得到携带纳米铜晶体的片状铜粉；本发明技术方案制备得到新型的片状铜粉末结构，具有更优异的导电、催化等性能；制备工艺方法缩短了球磨时间，简化了工艺流程，减少了杂质引入，简便易操作，适用于放大工业化生产。