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公开(公告)号：CN117919245A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202311269378.7
申请日：2023-09-28
Applicant: 上海交通大学医学院
IPC: A61K31/475 , A61K36/24 , A61K39/395 , A61P35/00
Abstract: 本发明属于生物医药技术领域，涉及一种长春碱在制备抗肿瘤免疫治疗药物中的应用。本发明首先提供一种长春碱在制备抗肿瘤免疫治疗药物中的应用，由于长春碱作为临床上已经使用的化疗药物，其安全性已被验证，其肿瘤免疫治疗的新应用方式有利于推广其临床应用，增加其临床使用范围。本发明解析了联合使用长春碱(VBL)增强PD1抗体肿瘤免疫治疗效果的策略，拓展了VBL与PD1在临床上的使用范围，为形成VBL联合PD1抗体以增强免疫治疗效果提供新靶点与新机制，有望为恶性肿瘤的免疫治疗提供新的治疗策略。
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公开(公告)号：CN117055151A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202210518512.1
申请日：2022-05-06
Applicant: 上海交通大学
IPC: G02B6/12
Abstract: 一种基于混合集成的光电融合集成芯片及方法，将硅‑氧化硅‑铌酸锂芯片与体硅电子芯片、三五族激光器芯片通过混合集成的方式集成在一起，实现了高线性度、大带宽调制器与激光器、高紧凑度无源光子器件、电子器件的全集成，发挥了硅基、氧化硅、三五族、铌酸锂、体硅材料的优势，避免了硅基材料与三五族材料之间的晶格失配与热失配，降低了硅基材料与铌酸锂材料之间的晶格失配与热失配程度，避免了高温、高成本的硅基工艺。
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公开(公告)号：CN111276562B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202010101420.4
申请日：2020-02-19
Applicant: 上海交通大学 , 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/12 , H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L27/02
Abstract: 光电子集成技术作为发挥光子优势的重要技术手段，成为光通信、微波光子等领域的重要支撑技术。然而，现有光电子集成还处在单个芯片实现单种器件的水平，多种器件之间的互连成为极大的技术挑战。本发明提出一种基于铌酸锂‑氮化硅晶圆的光电单片集成系统，利用一种新型晶圆(铌酸锂‑氮化硅晶圆)，实现了包括电光调制器、光子无源器件等在内的多器件单片集成系统。该系统的制备具有硅基CMOS工艺兼容性，可以在多数芯片制造厂商的平台上实现。并且该系统包含了电光调制、无源信号处理、光电探测在内的多个功能模块，可以满足目前多数光电子系统的单片集成。
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公开(公告)号：CN110187526A
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201910410956.1
申请日：2019-05-17
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种大规模硅基铌酸锂薄膜电光调制器阵列。通过结构设计减少了铌酸锂晶体层的制备工艺难度，降低了铌酸锂与硅粘接的精度要求，并且可以一次性同时完成大规模阵列式铌酸锂晶体层的制备和粘接，大幅提升了硅基铌酸锂薄膜电光调制器阵列的生产效率；通过对硅晶体层进行结构上的设计和优化，使得光可以在硅波导和铌酸锂波导中自然交替和互传，实现了高性能的铌酸锂薄膜电光调制效应。此外，该方法利用了标准化的硅基集成技术成熟度优势，将复杂的芯片制备工艺集中在硅晶体层，从而减小芯片制作过程中的工艺误差，保证了整个硅基铌酸锂薄膜电光调制器阵列的性能稳定性。
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公开(公告)号：CN110161625A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201910410940.0
申请日：2019-05-17
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明的目的在于针对现有技术的不足，提出一种大规模的硅基铌酸锂薄膜电光调制器阵列的集成方法。利用该方法减少了铌酸锂晶体层的制备工艺难度，降低了铌酸锂与硅粘接的精度要求，并且可以一次性同时完成大规模阵列式铌酸锂晶体层的制备和粘接，大幅提升了硅基铌酸锂薄膜电光调制器阵列的生产效率；通过对硅晶体层进行结构上的设计和优化，使得光可以在硅波导和铌酸锂波导中自然交替和互传，实现了高性能的铌酸锂薄膜电光调制效应。此外，该方法利用了标准化的硅基集成技术成熟度优势，将复杂的芯片制备工艺集中在硅晶体层，从而减小芯片制作过程中的工艺误差，保证了整个硅基铌酸锂薄膜电光调制器阵列的性能稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109616863A
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201910034640.7
申请日：2019-01-15
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01S3/109
Abstract: 一种通过闲频光倍频实现高效率非线性频率下转换的方法和装置，该方法为：将频率下转换过程和闲频光的倍频过程集成在一块非线性晶体内，利用倍频过程吸收频率下转换过程产生的闲频光，抑制频率下转换的倒流现象，极大地提高泵浦到信号的能量转换效率。由于不涉及闲频光的吸收，这种闲频光倍频型非线性频率下转换可工作在非常高的平均功率下，同时可保障信号光的脉冲质量和光束质量。本发明可以用于将成熟的近红外波段(1μm)高功率激光高效地频率下转换至中红外波段(2μm)，作为基于半导体晶体的5-15μm波段中红外超短超强激光的泵浦源。
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公开(公告)号：CN106205992A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610485991.6
申请日：2016-06-28
Applicant: 上海交通大学
CPC classification number: H01F41/0293 , H01F1/0577
Abstract: 本发明涉及一种高矫顽力及低剩磁温度敏感性的烧结钕铁硼磁体的制备方法。将Dy-Co合金扩散片作为烧结钕铁硼磁体的扩散源，在高于Dy-Co合金熔点的温度下保温，将熔融的Dy-Co合金液沿着晶界扩散到钕铁硼磁体内部，在晶粒边缘形成富Dy和Co的复合壳状结构，该富Dy和Co复合壳状结构的存在可以大大提高烧结钕铁硼磁体的矫顽力及剩磁温度稳定性。与现有技术相比，本发明方法制备出的富Dy和Co的复合壳状结构既可以提升矫顽力，又可以提高剩磁温度稳定性。按照本发明提供的晶界扩散工艺扩散改性后的烧结钕铁硼磁体具有扩散剂扩散深度大，晶界相分布均匀，矫顽力高，磁体剩磁的温度的敏感系数低等优点。
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公开(公告)号：CN104051945A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410135997.1
申请日：2014-04-04
Applicant: 上海交通大学
CPC classification number: H01S3/10023 , G02F1/39 , G02F2001/392 , G02F2201/30 , G02F2203/26 , H01S3/0057 , H01S3/10084
Abstract: 本发明属于激光技术领域，具体为一种采用空间啁啾修饰的注入光束实现光参量啁啾脉冲放大器噪声滤除的方法，该方法主要由空间啁啾修饰的注入光束产生、光参量放大、时空啁啾卸载和空间滤波四个步骤组成：通过引入空间啁啾对注入信号光束进行修饰，使得信号和光参量放大过程产生的各种噪声在输出端具有不同的时空分布特性；噪声光场的时空分布发生耦合，因而可由空间滤波器件等效时域滤波窗口，实现噪声的有效滤除。本方法对于光参量啁啾脉冲放大过程中的常见噪声，包括参量超荧光、泵浦噪声转移以及光学元件端面反射引起的预脉冲等，均具有良好的滤除效果；且空间滤波属于线性滤波，该滤波过程不损失主脉冲能量，可用于超高信噪比高功率超短激光脉冲系统。
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公开(公告)号：CN102207995A
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN201110138159.6
申请日：2011-05-26
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种计算机应用技术领域的心脏二尖瓣装置的三维几何结构的定量分析方法，通过建立二尖瓣装置的三维简化模型并对其二尖瓣装置局部坐标系的三维几何结构参数作为基于支持向量机的分类系统的输入，实现定量分析。本发明使得二尖瓣装置的重建不受成像方式的影响，得到二尖瓣装置的简化三维模型。基于此简化表示建立二尖瓣装置的局部坐标系，使其独立于采样探头的位置、心脏运动位移和受检主体位移等影响因素，从而计算二尖瓣装置的三维几何结构量化参数，描述二尖瓣装置的结构和功能，及其组分之间的空间结构关系。
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