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公开(公告)号:CN111913329B
公开(公告)日:2021-10-08
申请号:CN202010863622.2
申请日:2020-08-25
IPC: G02F1/1524 , G02F1/1506 , G02F1/1523 , G02F1/155 , G03F1/00 , C23C14/08 , C23C14/18 , C23C14/58 , C23C14/35
Abstract: 本发明公开了一种可见至中红外波段可调控光性能的电致变色薄膜器件及其制备方法,该制备方法包括以下步骤:S1:选取基底,并对基底进行前处理;S2:在处理后的基底上制备高透过率导电层;S3:在所述高透过率导电层上沉积WO3层作为变色层,然后在WO3层上继续沉积Ta2O5作为电解质层,然后进行退火处理,得到晶态WO3;S4:继续沉积金属氧化物作为离子存储层,然后在金属氧化物的基础上重复步骤S2,得到电致变色薄膜器件;其中,若基底为透明导电材料,直接在处理后的基底上进行步骤S3。通过该方法得到的电致变色薄膜器件可以从可见至红外光调控光性能,而且可以针对不同的波段而设计组分得到各种各样不同的变色和热管理性能。
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公开(公告)号:CN111913329A
公开(公告)日:2020-11-10
申请号:CN202010863622.2
申请日:2020-08-25
IPC: G02F1/1524 , G02F1/1506 , G02F1/1523 , G02F1/155 , G03F1/00 , C23C14/08 , C23C14/18 , C23C14/58 , C23C14/35
Abstract: 本发明公开了一种可见至中红外波段可调控光性能的电致变色薄膜器件及其制备方法,该制备方法包括以下步骤:S1:选取基底,并对基底进行前处理;S2:在处理后的基底上制备高透过率导电层;S3:在所述高透过率导电层上沉积WO3层作为变色层,然后在WO3层上继续沉积Ta2O5作为电解质层,然后进行退火处理,得到晶态WO3;S4:继续沉积金属氧化物作为离子存储层,然后在金属氧化物的基础上重复步骤S2,得到电致变色薄膜器件;其中,若基底为透明导电材料,直接在处理后的基底上进行步骤S3。通过该方法得到的电致变色薄膜器件可以从可见至红外光调控光性能,而且可以针对不同的波段而设计组分得到各种各样不同的变色和热管理性能。
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公开(公告)号:CN115220221A
公开(公告)日:2022-10-21
申请号:CN202210733509.1
申请日:2022-06-27
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种非对称光子镜增强辐射热管理器件的设置与制作方法,包括:选择中红外宽波段高透过率且高光密度基底材料;在基底材料上设计微米尺寸周期阵列三维光子衍射结构;用光刻、干法刻蚀或纳米压印的图案化工艺,并根据设计的微米尺寸周期阵列三维光子衍射结构实现基底材料的结构表面的制备,得到非对称光子镜;在非对称光子镜上制备或贴合红外高透明且可见高反射涂层;将非对称光子镜隔空安装在红外高辐射材料上,以制作完成非对称光子镜增强辐射热管理器件。通过该器件的设计与制备实现了可为全气候、全地域的室内外辐射制冷和制热的双模式热管理优化。
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公开(公告)号:CN111718584A
公开(公告)日:2020-09-29
申请号:CN202010559925.5
申请日:2020-06-18
Applicant: 上海交通大学
IPC: C08L83/04 , C08K13/04 , C08K7/18 , C08K5/5415 , C08L27/18 , C08K13/02 , C08K3/22 , C08K5/14 , C08K7/00 , C08L77/00 , C08L27/06 , C08L63/00 , C08J5/18 , B29C41/24
Abstract: 本发明公开了一种辐射降温薄膜,薄膜为陶瓷颗粒、有机溶液、固化剂混合形成的陶瓷颗粒混合有机固化前驱液固化后形成,所述薄膜的表面形成有微纳米光子结构阵列,微纳米光子结构阵列包括若干个呈阵列的微纳米光子的结构基元。还公开了辐射降温薄膜的制备方法及其应用。该薄膜在太阳光波段具有95%的反射率,在大气窗口波段具有96%的辐射率,光照条件下最多可比周围环境低10℃,且同时具备较好的柔性与强度及优异的疏水性。采用多刻蚀双旋涂真空热固化工艺低成本大面积地制备该辐射冷却薄膜。该辐射冷却薄膜在人体可穿戴降温、可降温晴雨伞以及器件散热方面的应用,通过热辐射形式从主体表面及内部除去热量实现降温的方法。
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