公开(公告)号：CN107833830B

公开(公告)日：2021-03-12

申请号：CN201711172098.9

申请日：2017-11-22

Applicant: 上海华力微电子有限公司

Inventor： 周磊 ,  聂钰节 ,  昂开渠 ,  江旻 ,  任昱 ,  朱俊 ,  张旭升

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明公开了一种改善一体化刻蚀聚集残留缺陷的方法，包括步骤S1：在半导体结构置于等离子体反应腔体前，清除等离子体反应腔体的表面的聚合物残留；步骤S2：调控等离子反应腔体的工艺压力和气体流量达到刻蚀状态的稳定条件；步骤S3：将半导体结构置于等离子体反应腔体内，并进行一体化刻蚀。本发明在晶圆置于前增加前清洁步骤，采用无晶圆干法清洗工艺并进行抽真空处理以清除刻蚀腔体内的聚合物残留。本发明通过在无晶圆干法清洗工艺和刻蚀工艺之间增加缓冲工艺，使腔体内的压力和气体流量与刻蚀要求的压力和气体流量相同，使APC的机械摆动最小，避免由于APC的大幅机械运动导致的缺陷。

公开(公告)号：CN104701212A

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201510144256.4

申请日：2015-03-30

Applicant: 上海华力微电子有限公司

Inventor： 陈路 ,  王晋 ,  曾林华 ,  任昱 ,  吕煜坤 ,  朱俊 ,  张旭昇

IPC: H01L21/66

Abstract: 本发明公开了一种检测刻蚀负载效应的方法，通过预先定义密集沟槽结构、稀疏沟槽结构、完全刻蚀区和完全未刻蚀区等量测结构，然后光学线宽测量仪测量刻蚀后每个量测结构的量测参数，如关键尺寸、膜厚等，并通过简单数据处理即可得到刻蚀过程中该量测参数的负载效应。通过本发明的方法可以实时监控不同产品或刻蚀机台在刻蚀过程中的负载效应的变化，能够快速检测出刻蚀工艺或机台的异常情况，有利于维护刻蚀工艺的稳定性；同时，在新产品下线或新工艺开发过程中，也有利于快速确认刻蚀工艺的适用性。

公开(公告)号：CN107833830A

公开(公告)日：2018-03-23

申请号：CN201711172098.9

申请日：2017-11-22

Applicant: 上海华力微电子有限公司

Inventor： 周磊 ,  聂钰节 ,  昂开渠 ,  江旻 ,  任昱 ,  朱俊 ,  张旭升

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明公开了一种改善一体化刻蚀聚集残留缺陷的方法，包括步骤S1：在半导体结构置于等离子体反应腔体前，清除等离子体反应腔体的表面的聚合物残留；步骤S2：调控等离子反应腔体的工艺压力和气体流量达到刻蚀状态的稳定条件；步骤S3：将半导体结构置于等离子体反应腔体内，并进行一体化刻蚀。本发明在晶圆置于前增加前清洁步骤，采用无晶圆干法清洗工艺并进行抽真空处理以清除刻蚀腔体内的聚合物残留。本发明通过在无晶圆干法清洗工艺和刻蚀工艺之间增加缓冲工艺，使腔体内的压力和气体流量与刻蚀要求的压力和气体流量相同，使APC的机械摆动最小，避免由于APC的大幅机械运动导致的缺陷。

公开(公告)号：CN104701212B

公开(公告)日：2018-04-06

申请号：CN201510144256.4

申请日：2015-03-30

Applicant: 上海华力微电子有限公司

Inventor： 陈路 ,  王晋 ,  曾林华 ,  任昱 ,  吕煜坤 ,  朱俊 ,  张旭昇

IPC: H01L21/66

Abstract: 本发明公开了一种检测刻蚀负载效应的方法，通过预先定义密集沟槽结构、稀疏沟槽结构、完全刻蚀区和完全未刻蚀区等量测结构，然后光学线宽测量仪测量刻蚀后每个量测结构的量测参数，如关键尺寸、膜厚等，并通过简单数据处理即可得到刻蚀过程中该量测参数的负载效应。通过本发明的方法可以实时监控不同产品或刻蚀机台在刻蚀过程中的负载效应的变化，能够快速检测出刻蚀工艺或机台的异常情况，有利于维护刻蚀工艺的稳定性；同时，在新产品下线或新工艺开发过程中，也有利于快速确认刻蚀工艺的适用性。