公开(公告)号：CN103871860A

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN201410110065.1

申请日：2014-03-24

Applicant: 上海华力微电子有限公司

Inventor： 王东 ,  曹亚民 ,  杨斌

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/51

CPC classification number: H01L21/28158 ,  H01L21/02263 ,  H01L21/02296

Abstract: 本发明提出了一种双层栅介质层结构及其制备方法，在半导体基底表面形成带隙和能带组合与二氧化硅均相似的界面层，接着在界面层上形成对碱性金属离子具有很好的阻挡作用的阻挡层，阻挡层不仅能掩蔽二氧化硅能掩蔽的杂质，还能掩蔽二氧化硅不能掩蔽的杂质，由界面层和阻挡层组成的双层栅介质层能够有效的降低漏电流。

公开(公告)号：CN103871860B

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201410110065.1

申请日：2014-03-24

Applicant: 上海华力微电子有限公司

Inventor： 王东 ,  曹亚民 ,  杨斌

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/51

Abstract: 本发明提出了一种双层栅介质层结构及其制备方法，在半导体基底表面形成带隙和能带组合与二氧化硅均相似的界面层，接着在界面层上形成对碱性金属离子具有很好的阻挡作用的阻挡层，阻挡层不仅能掩蔽二氧化硅能掩蔽的杂质，还能掩蔽二氧化硅不能掩蔽的杂质，由界面层和阻挡层组成的双层栅介质层能够有效的降低漏电流。

公开(公告)号：CN105925945A

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201610353584.X

申请日：2016-05-25

Applicant: 上海华力微电子有限公司

Inventor： 胡彬彬 ,  王东

IPC: C23C14/34 ,  G01N27/00

CPC classification number: C23C14/3407 ,  C23C14/3492 ,  G01N27/00

Abstract: 一种靶材边缘之铝熔射层的检测方法，包括：步骤S1：将待溅射之靶材设置在真空腔室内，并在靶材的横向端面与真空腔室内的隔离套件之间设置预设间距；步骤S2：在真空腔室内通入氩气和氮气，并通过泵抽单元将真空腔室之压力控制在预设压力；步骤S3：通过外部电源对靶材施加电压，其输出功率为P1，并监控直流功率输出值Pd；步骤S4：经过预设稳定时间后，直流功率输出值Pd满足a≤Pd≤b；步骤S5：对直流输出功率值Pd进行持续预设时间观察，当Pd＝c，且c＞b≥a时，则判定靶材边缘之铝熔射层品质异常。通过本发明进行铝熔射层品质检测，不仅操作简单、使用方便，而且检测结构更为直观，检测方法客观、准确，值得推广应用。

公开(公告)号：CN105925945B

公开(公告)日：2018-08-24

申请号：CN201610353584.X

申请日：2016-05-25

Applicant: 上海华力微电子有限公司

Inventor： 胡彬彬 ,  王东

IPC: C23C14/34 ,  G01N27/00

Abstract: 一种靶材边缘之铝熔射层的检测方法，包括：步骤S1：将待溅射之靶材设置在真空腔室内，并在靶材的横向端面与真空腔室内的隔离套件之间设置预设间距；步骤S2：在真空腔室内通入氩气和氮气，并通过泵抽单元将真空腔室之压力控制在预设压力；步骤S3：通过外部电源对靶材施加电压，其输出功率为P1，并监控直流功率输出值Pd；步骤S4：经过预设稳定时间后，直流功率输出值Pd满足a≤Pd≤b；步骤S5：对直流输出功率值Pd进行持续预设时间观察，当Pd＝c，且c＞b≥a时，则判定靶材边缘之铝熔射层品质异常。通过本发明进行铝熔射层品质检测，不仅操作简单、使用方便，而且检测结构更为直观，检测方法客观、准确，值得推广应用。