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公开(公告)号：CN110600419A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910891452.6
申请日：2019-09-20
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: H01L21/683 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供了一种静电吸盘，能够更精细地控制晶圆的温度，使晶圆任一部位的温度不会超过晶圆工艺所需的范围，提高晶圆的工艺质量，同时每个温控组件都设有单独的温度控制单元，使温度控制更加准确，加热元件之间互不影响。本发明还提供一种静电吸盘的使用方法。
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公开(公告)号：CN108118300A
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201711392270.1
申请日：2017-12-21
Applicant: 上海华力微电子有限公司
Inventor： 胡彬彬
CPC classification number: C23C14/3407 , C23C14/0641 , C23C14/34
Abstract: 本发明提出一种改善长寿命钽靶材后期使用的腔体套件结构，包括：溅射腔，其设置于溅射腔安装板上；钽靶，设置于所述溅射腔内部，并正对于晶圆表面；钽环，设置于所述溅射腔内部侧壁，其中所述溅射腔内部侧壁上设置有第一安装位置和第二安装位置，当晶圆和钽靶之间的距离发生变化时，将所述钽环从所述第一安装位置移动到第二安装位置。本发明提出的改善长寿命钽靶材后期使用的腔体套件结构，以补偿长寿命钽靶材后期靶材与晶圆的间距，晶圆与钽环的间距，以及钽环与靶材的间距，保持工艺稳定。
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公开(公告)号：CN104992920B
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201510277990.8
申请日：2015-05-27
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: H01L21/683
Abstract: 本发明公开了一种控制静电吸盘吸力的方法，首先晶圆工艺前，对晶圆设定初始吸力N0；其中，在初始吸力N0的作用下，晶圆刚好被静电吸盘吸附；然后工艺过程中，对晶圆弯曲度的变化程度拟合成工艺时间的函数f(t)；接着根据晶圆材料的弹性模量计算出克服晶圆形变所需要的静电吸力g(t)；最后计算出工艺过程中静电吸力变化函数N(t)＝N0+g(t)，以使晶圆在工艺过程中保持刚好被静电吸盘吸附。本发明可以合理控制在工艺过程中静电吸盘的静电吸力，防止静电吸力过小而导致跳片现象，同时防止静电吸力过大导致晶圆和静电吸盘之间的摩擦力过大，保证晶圆产品质量，延长静电吸盘寿命。
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公开(公告)号：CN105925945A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201610353584.X
申请日：2016-05-25
Applicant: 上海华力微电子有限公司
CPC classification number: C23C14/3407 , C23C14/3492 , G01N27/00
Abstract: 一种靶材边缘之铝熔射层的检测方法，包括：步骤S1：将待溅射之靶材设置在真空腔室内，并在靶材的横向端面与真空腔室内的隔离套件之间设置预设间距；步骤S2：在真空腔室内通入氩气和氮气，并通过泵抽单元将真空腔室之压力控制在预设压力；步骤S3：通过外部电源对靶材施加电压，其输出功率为P1，并监控直流功率输出值Pd；步骤S4：经过预设稳定时间后，直流功率输出值Pd满足a≤Pd≤b；步骤S5：对直流输出功率值Pd进行持续预设时间观察，当Pd＝c，且c＞b≥a时，则判定靶材边缘之铝熔射层品质异常。通过本发明进行铝熔射层品质检测，不仅操作简单、使用方便，而且检测结构更为直观，检测方法客观、准确，值得推广应用。
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公开(公告)号：CN103646897B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201310631450.6
申请日：2013-11-29
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明公开了一种对铝薄膜工艺中晶须缺陷进行实时监控的方法，包括在铝薄膜工艺过程中，通过残气分析仪对进行铝薄膜工艺的反应腔室内的各残余气体进行实时分析处理，得到晶须监控参数，所述晶须监控参数为根据各残余气体中将引起晶须缺陷的特定残余气体的分压值所设定的指数；判断所述晶须监控参数是否大于等于阈值；以及若所述晶须监控参数大于等于所述阈值，停止所述薄膜工艺。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103173735B
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201310081819.0
申请日：2013-03-14
Applicant: 上海华力微电子有限公司
Abstract: 本发明涉及一种PVD溅射工艺中预防靶材被击穿的方法。包括以下步骤：同时获取PVD溅射工艺中当前薄膜沉积速率和当前靶材的使用寿命值；根据当前的薄膜沉积速率，利用靶材寿命计算公式得出该靶材的实际使用寿命值；将实际使用寿命值与当前靶材的使用寿命值进行比较计算步骤，并判断经过该比较计算步骤后的值是否在设定的容许误差范围内；若经过比较计算步骤后的值在容许误差范围内，则不触发报警机制；若经过比较计算步骤的值在容许误差范围内，则触发报警机制，以对PVD溅射监控系统中的当前靶材的使用寿命值的校准工艺。本发明能够形成报警机制，从而使得系统出现故障时能够第一时间发出警报告，避免靶材被击穿。
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公开(公告)号：CN103646897A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201310631450.6
申请日：2013-11-29
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: H01L21/66
CPC classification number: H01L21/67253 , H01L22/20
Abstract: 本发明公开了一种对铝薄膜工艺中晶须缺陷进行实时监控的方法，包括在铝薄膜工艺过程中，通过残气分析仪对进行铝薄膜工艺的反应腔室内的各残余气体进行实时分析处理，得到晶须监控参数，所述晶须监控参数为根据各残余气体中将引起晶须缺陷的特定残余气体的分压值所设定的指数；判断所述晶须监控参数是否大于等于阈值；以及若所述晶须监控参数大于等于所述阈值，停止所述薄膜工艺。
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公开(公告)号：CN108118300B
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201711392270.1
申请日：2017-12-21
Applicant: 上海华力微电子有限公司
Inventor： 胡彬彬
Abstract: 本发明提出一种改善长寿命钽靶材后期使用的腔体套件结构，包括：溅射腔，其设置于溅射腔安装板上；钽靶，设置于所述溅射腔内部，并正对于晶圆表面；钽环，设置于所述溅射腔内部侧壁，其中所述溅射腔内部侧壁上设置有第一安装位置和第二安装位置，当晶圆和钽靶之间的距离发生变化时，将所述钽环从所述第一安装位置移动到第二安装位置。本发明提出的改善长寿命钽靶材后期使用的腔体套件结构，以补偿长寿命钽靶材后期靶材与晶圆的间距，晶圆与钽环的间距，以及钽环与靶材的间距，保持工艺稳定。
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公开(公告)号：CN107910257A
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201711127897.4
申请日：2017-11-15
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: H01L21/263 , H01L21/67 , H01L21/3063
Abstract: 本发明公开了一种PVD设备的工艺腔的工艺调节结构，靶材通过第一安装装置陶瓷环设置在位于工艺腔的侧壁顶部的第二安装装置上，在工艺腔的侧壁上设置有靶环，晶圆设置在工艺腔的底部；靶材的底部表面和晶圆表面的距离为第一距离；工艺调节结构包括：多个不同厚度的所述陶瓷环；各陶瓷环的厚度根据靶材消耗的厚度进行设计，在靶材的厚度消耗使得第一距离从初始值增加超出工艺窗口范围之前，选择一个厚度更薄的陶瓷环来替换使用中的陶瓷环，陶瓷环的厚度的减小使第一距离减少并向初始值趋近。本发明还公开了一种PVD设备的工艺腔的工艺调节方法。本发明能延长靶材的使用寿命，同时还能够保持工艺稳定。
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公开(公告)号：CN103646883B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201310625197.3
申请日：2013-11-28
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L24/05 , H01L2224/02166
Abstract: 本发明提供一种铝衬垫制备方法，通过使用AL/Ti双层膜形成铝衬垫以及使用氮氧化硅作为抗反射层，从而回避了现有技术中刻蚀氮化钛薄膜作为抗反射层时的难以刻蚀问题，又解决了使用氮氧化硅薄膜作为单铝层铝衬垫的抗反射层时造成的钝化层刻蚀中的铝表面损伤问题，避免了在集成电路的后续酸洗工艺中铝衬垫会被酸腐蚀而在表面形成腐蚀坑的现象发生，提高集成电路芯片可靠性。
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