公开(公告)号：CN104877633A

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201510276373.6

申请日：2015-05-26

Applicant: 上海大学

Inventor： 雷红 ,  陈入领 ,  马盼 ,  顾倩 ,  仝开宇 ,  黄丽琴 ,  张佰春

IPC: C09K3/14 ,  C09G1/02

Abstract: 本发明涉及一种镁掺杂二氧化硅溶胶的复合磨粒、抛光液组合物及其制备方法。该复合磨粒的制备方法为：质量分数为1.1wt%的硝酸镁溶液和2.5wt%的硅酸溶液按质量比1:1混合，通过共沉淀法沉淀在二氧化硅晶种上。溶胶中的复合颗粒呈均匀球形，氢氧化镁相对氧化硅的掺杂量为0.1wt%-5wt%。采用本发明的复合磨粒制备抛光液。镁元素以氢氧化镁形式掺杂入二氧化硅颗粒，在抛光过程中可以和蓝宝石表面层发生化学反应，提高了抛光速率。溶胶中的复合磨粒呈现均匀球形，球形结构可以减小抛光过程中对蓝宝石基片的划削，保持表面的光滑性。因而，采用本发明提供的抛光液对蓝宝石基片进行抛光，可以有效提高蓝宝石基片的去除率，并降低蓝宝石表面的粗糙度。

公开(公告)号：CN104479565A

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201410565995.6

申请日：2014-10-22

Applicant: 上海大学

Inventor： 雷红 ,  蒋婷 ,  陈入领 ,  任小艳 ,  顾倩 ,  仝开宇 ,  黄丽琴

IPC: C09G1/18

CPC classification number: C09G1/16

Abstract: 本发明公开了一种含有氧化还原体系的存储器硬盘基片的无磨粒抛光液组合物，0.003~1.78%还原剂有机胺类化合物、1.0~6.0%氧化剂双氧水、1.0~4.0%分散剂六偏磷酸钠、1.0~4.0%表面活性剂十六烷基聚氧乙烯醚羧酸盐和余量的去离子水。本发明抛光液制备方法为：按抛光液组分称取各原料，在搅拌作用下，依次将还原剂、分散剂和表面活性剂加入到去离子水中，待搅拌溶解后，在不断搅拌下加入氧化剂，得到透明液，即得到抛光液组合物。本发明抛光液不含颗粒，同时含有氧化还原体系，特别适用于Ni-P镀敷的计算机硬盘基片抛光，使用该抛光液抛后可提高基片去除速率，减少表面微观划痕、凹陷，提高硬盘基片表面平整度。

公开(公告)号：CN105176492A

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：CN201510562333.8

申请日：2015-09-02

Applicant: 上海大学

Inventor： 雷红 ,  仝开宇 ,  陈入领 ,  张佰春 ,  张迪

IPC: C09K3/14 ,  C09G1/02

Abstract: 本发明公开了镧元素掺杂氧化硅溶胶复合磨粒、抛光液组合物及其制备方法，该复合磨粒的组成及其重量百分比含量如下：镧元素化合物为 0.1～5%；氧化硅溶胶为99.9～95% ；制备过程为：首先，将镧元素通过共沉淀的方法掺杂到氧化硅溶胶颗粒中，然后，通过离子交换法制备镧元素掺杂氧化硅溶胶的复合磨粒；该抛光液组合物的组成及其重量百分比含量如下：镧元素掺杂氧化硅溶胶复合磨粒为6～6.12%，分散剂六偏磷酸钠为2%，去离子水为其余量，以上各组成的质量百分含量之和为100.%。该磨粒的化学组成上含有镧元素，可提高磨粒的抛光速率，提高材料的去除速率；抛光液对蓝宝石基片、硅片进行抛光能够降低器件表面的粗糙度，提高表器件面去除速率。

公开(公告)号：CN104946202A

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201510276371.7

申请日：2015-05-26

Applicant: 上海大学

Inventor： 雷红 ,  顾倩 ,  陈入领 ,  马盼 ,  仝开宇 ,  黄丽琴 ,  张佰春

IPC: C09K3/14 ,  C09G1/02

Abstract: 本发明涉及铁元素掺杂氧化硅溶胶的复合磨粒、抛光液组合物及其制备方法。该复合磨粒的制备方法为：质量分数为0.29%氯化铁溶液与质量分数为2-3%稀硅酸溶液以等质量比，在一定反应条件下加入氧化硅晶种中，通过硅溶胶长大过程将铁元素掺杂到氧化硅溶胶磨粒中去，形成均一、稳定的铁元素掺杂硅溶胶的复合磨粒，且掺杂质量比为0.1%-5.0%。本发明的复合磨粒的物理结构为纳米级的球形，该磨粒的化学组成上含有铁元素，铁元素的作用是可与蓝宝石、硅片表面发生化学作用，提高了抛光速率。本发明提供的抛光液对蓝宝石基片和硅片进行抛光，可以有效降低蓝宝石和硅片表面的粗糙度及微粗糙度，且提高蓝宝石和硅片的抛光速率。