公开(公告)号：CN118086833B

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202410110825.2

申请日：2024-01-26

Applicant: 上海大学

Inventor： 卞西磊 ,  俞潇龙 ,  何洲洋 ,  孙国栋 ,  贾延东 ,  王庆 ,  王刚

IPC: C23C14/16 ,  C23C14/35 ,  C22C30/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C22C1/05 ,  B22F3/14

Abstract: 本发明公开了一种氧掺杂CrCoNiO12.5中熵合金薄膜及其制备方法，属于合金材料及其制备技术领域。以含氧的CrCoNiO预合金化靶材为原料进行溅射，通过溅射参数的控制，得到氧原子掺杂量为12.5at.％的氧掺杂CrCoNiO12.5中熵合金薄膜。该CrCoNiO12.5薄膜能够在保持纳米晶高强度的同时获得超过50％压缩塑性而不在形变过程中产生任何剪切带。

公开(公告)号：CN118086833A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202410110825.2

申请日：2024-01-26

Applicant: 上海大学

Inventor： 卞西磊 ,  俞潇龙 ,  何洲洋 ,  孙国栋 ,  贾延东 ,  王庆 ,  王刚

IPC: C23C14/16 ,  C23C14/35 ,  C22C30/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C22C1/05 ,  B22F3/14

Abstract: 本发明公开了一种氧掺杂CrCoNiO12.5中熵合金薄膜及其制备方法，属于合金材料及其制备技术领域。以含氧的CrCoNiO预合金化靶材为原料进行溅射，通过溅射参数的控制，得到氧原子掺杂量为12.5at.％的氧掺杂CrCoNiO12.5中熵合金薄膜。该CrCoNiO12.5薄膜能够在保持纳米晶高强度的同时获得超过50％压缩塑性而不在形变过程中产生任何剪切带。