公开(公告)号：CN104310304A

公开(公告)日：2015-01-28

申请号：CN201410564829.4

申请日：2014-10-22

Applicant: 上海大学

Inventor： 张朝 ,  郭坤平 ,  陈长博 ,  李炜玲 ,  张静 ,  徐韬 ,  魏斌

IPC: B81C1/00

Abstract: 本发明公开了一种可控尺寸及表面结构的纳米柱阵列制备方法，对SiO2纳米粒子进行表面改性，使其具有亲水及疏水的双亲性；然后用Langmuir-Blodget膜技术在衬底上沉积SiO2单层膜；用各向同性反应离子刻蚀技术刻蚀SiO2进一步改变SiO2纳米粒子的尺寸；将沉积的SiO2粒子作为刻蚀掩膜板分别用各向异性的深度反应离子刻蚀技术及感应耦合等离子体刻蚀技术刻蚀硅；用氢氟酸腐蚀掉残余的SiO2粒子，最终得到可控尺寸及可控表面结构的纳米柱阵列。本发明有效克服了电子束曝光高成本及批量加工方法的限制，可以有效地降低太阳电池的表面反射率，提高太阳电池的光电转换效率。

公开(公告)号：CN103956434A

公开(公告)日：2014-07-30

申请号：CN201410148111.7

申请日：2014-04-14

Applicant: 上海大学

Inventor： 王肖 ,  景悦林 ,  张朝 ,  黄荣娟 ,  徐韬 ,  魏斌

IPC: H01L51/52 ,  H01L51/56

CPC classification number: H01L51/504 ,  H01L51/52 ,  H01L51/56 ,  H01L2251/53

Abstract: 本发明提供一种基于OLED调制的双面有机电致发光器件及其制备方法，本器件包括顶发光器件和底发光器件，所述底发光器件包括透明电极、第一空穴注入层，第一空穴传输层，第一发光层，第一电子传输层，第一电子注入层，第一发光层引出电极阴极；所述顶发光器件包括第二空穴注入层，第二空穴传输层，第二发光层，第二电子传输层，第二电子注入层，第二发光层引出电极阴极，匹配层；所述顶发光器件和底发光器件通过连接层连接。本发明单独的电学调控特性使两边的发光颜色的强度和色度没有偏移，可以保留单色器件的完整性同时又具有单个器件的结构。