公开(公告)号：CN119833476A

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202510119007.3

申请日：2025-01-23

Applicant: 上海积塔半导体有限公司

Inventor： 何勇 ,  刘贵明 ,  解海江

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3205 ,  B23K26/364

Abstract: 本发明涉及一种半导体芯片及其形成方法。所述半导体芯片的形成方法包括如下步骤：提供一晶圆，所述晶圆包括相对分布的正面和背面，于所述晶圆的所述背面形成背面金属层，所述晶圆的所述正面具有间隔排布的多个正面器件结构以及位于两相邻所述正面器件结构之间的切割道；采用切割刀沿所述切割道切割所述晶圆，形成延伸至所述晶圆内部的第一切割槽；采用激光沿所述第一切割槽切割所述背面金属层，形成与所述第一切割槽连通且沿第一方向贯穿所述背面金属层的第二切割槽。本发明避免了切割后形成的半导体芯片的边缘产生崩边、隐裂等问题，而且避免了单独采用激光切割导致的半导体芯片侧面发黑和热效应等问题。

公开(公告)号：CN119230385A

公开(公告)日：2024-12-31

申请号：CN202411339623.1

申请日：2024-09-24

Applicant: 上海积塔半导体有限公司

Inventor： 张汝京 ,  刘峰松 ,  刘贵明 ,  闵炼锋

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种晶圆减薄加工方法和晶圆，晶圆减薄加工方法包括以下步骤：提供晶圆，晶圆包括相对设置的正面和背面，将晶圆的正面通过第一键合胶层键合于载片；对晶圆的背面进行第一次加工处理；对晶圆和载片解键合，以使晶圆和载片脱离；将晶圆的正面通过第二键合胶层键合于载片；对晶圆的背面进行第二次加工处理；其中，第二键合胶层的温度耐受性大于第一键合胶层的温度耐受性，第二次加工处理的工艺温度大于第一次加工处理的工艺温度。本发明中根据不同工艺对键合要求不同，采用多次键合，在不同的工艺节点选择不同要求的键合胶水，既能够满足超薄晶圆的减薄、自动化传输转运，又能够满足较高温度的高温退火和金属化等工艺需求，提升器件性能。