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公开(公告)号：CN119630008B
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510157053.2
申请日：2025-02-13
Applicant: 上海维安半导体有限公司
Abstract: 本发明涉及功率器件技术领域，具体涉及一种具有高浪涌高稳定触发特性的可控硅器件及其制备方法。包括：正面基区金属电极和正面发射区金属电极之间有保护层，保护层中有多晶硅电阻区，分别连接两侧的电极进行分流。针对可控硅器件不能同时具备高触发电流、高抗浪涌能力的问题，在正面电极之间通过多晶硅电阻区形成了并联通路进行分流，从而提高触发电流IG值。该结构可使得器件选用更淡掺杂的基区和更宽面积的发射区，从而提升防浪涌能力和耐压性能。通过对多晶硅电阻区的参数进行限制，从而使得多晶硅电阻区具有负温度系数，对触发电流形成温度补偿，从而解决现有可控硅触发电流随温度变化而变化，及IG随着温度升高而电流降低的问题。
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公开(公告)号：CN119743968A
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202510238351.4
申请日：2025-03-03
Applicant: 上海维安半导体有限公司
Abstract: 本发明涉及可控硅器件技术领域，具体涉及一种少子增强型微触发可控硅器件，包括：正面基区具有第一掺杂类型；正面基区中形成有具有第二掺杂类型的埋层；埋层与上下两侧的正面基区形成三极管放大结构，并在器件导通时对埋层下方的正面基区进行少子增强。针对现有技术中的微触发可控硅器件性能不稳定的问题，本方案中在正面基区中通过埋层引入了三极管放大结构，由于埋层距离发射区的区域固定且掺杂浓度固定，因此在微电流下同样能够实现稳定的触发控制精度。且埋层下方的正面基区中的少数载流子，会因为上方的基于埋层的放大结构产生倍增效应，可以有效减少触发电流。在器件触发后，电导调制效应的加强可以有效降低导通后等效电阻。
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公开(公告)号：CN119630008A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202510157053.2
申请日：2025-02-13
Applicant: 上海维安半导体有限公司
Abstract: 本发明涉及功率器件技术领域，具体涉及一种具有高浪涌高稳定触发特性的可控硅器件及其制备方法。包括：正面基区金属电极和正面发射区金属电极之间有保护层，保护层中有多晶硅电阻区，分别连接两侧的电极进行分流。针对可控硅器件不能同时具备高触发电流、高抗浪涌能力的问题，在正面电极之间通过多晶硅电阻区形成了并联通路进行分流，从而提高触发电流IG值。该结构可使得器件选用更淡掺杂的基区和更宽面积的发射区，从而提升防浪涌能力和耐压性能。通过对多晶硅电阻区的参数进行限制，从而使得多晶硅电阻区具有负温度系数，对触发电流形成温度补偿，从而解决现有可控硅触发电流随温度变化而变化，及IG随着温度升高而电流降低的问题。
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