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公开(公告)号：CN119584648A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411763429.6
申请日：2024-12-03
Applicant: 上海维安半导体有限公司
Abstract: 本发明提供一种非稳定态开关型防浪涌保护器件，属于半导体保护技术领域，包括：衬底；穿通隔离区，将衬底分隔为相互独立的第一区域和第二区域；第一TSS器件区，形成于第一区域中；第一电阻区，形成于第二区域中；介质层，分别形成于衬底相对的第一面和第二面的表面；金属层，形成于介质层的表面，第一电阻区通过金属层并联连接于第一TSS器件区的第一电极和第二电极之间。有益效果：通过在TSS器件的两个电极间并联体电阻，当小电流通过时，并联体电阻可以有效降低器件两端电压；当大电流通过时，利用体电阻发热导致的局部温度升高，影响TSS器件的IBO参数，使器件提前进入导通状态，导通状态的TSS器件可以拉低电阻端电压，进而降低流经电阻的电流水平。
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公开(公告)号：CN116504844A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310462330.1
申请日：2023-04-25
Applicant: 上海维安半导体有限公司
IPC: H01L29/861 , H01L23/31 , H01L21/329
Abstract: 本发明涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种大功率浪涌保护器件，包括：自器件中心向外依次形成的衬底、扩散层和金属层，所述衬底和所述扩散层的两端分别刻蚀形成有一对连续的圆弧转角；每一个所述圆弧转角上形成有钝化区；所述钝化区的顶部高于所述扩散层；所述钝化区的顶部与所述扩散层之间的夹角形成有阻挡区；两个阻挡区之间的区域用于形成所述金属层。本发明的有益效果在于：通过在钝化区和扩散层之间的夹角加工出阻挡区，并采用阻挡区限定金属层的形成区域，进而使得在后续焊接的时候通过阻挡区、金属层形成用于容纳锡膏的凹面结构，避免了锡膏在高温下外溢至钝化区造成器件内漏电流增大的问题，延长了器件的使用寿命。
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公开(公告)号：CN119894072A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202411883181.7
申请日：2024-12-19
Applicant: 上海维安半导体有限公司
IPC: H10D80/20 , H01L23/538 , H01L23/498 , H01L21/768 , H01L21/60 , H10D8/00
Abstract: 本发明提供一种先进封装叠片型瞬态电压抑制二极管及其制备方法，属于半导体技术领域，包括：芯片堆叠体，芯片堆叠体由多个芯片半成品堆叠封装构成，每个芯片半成品包括外露于芯片半成品的第一包封体的第一重布线层和第一引线层；第二包封体，第二包封体包裹于芯片堆叠体，芯片堆叠体正面的第一重布线层以及芯片堆叠体背面外露于第二包封体，第二包封体中具有过孔；焊盘，形成于第二包封体与芯片堆叠体背面共面的一面相对的两侧；第二重布线层，形成于芯片堆叠体正面的第一重布线层上，第二重布线层通过过孔连接焊盘。有益效果：本发明能够在有效减小器件体积的同时，保持了芯片原有的击穿方向的峰值脉冲电流IPP水平不变。
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公开(公告)号：CN119743968A
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202510238351.4
申请日：2025-03-03
Applicant: 上海维安半导体有限公司
Abstract: 本发明涉及可控硅器件技术领域，具体涉及一种少子增强型微触发可控硅器件，包括：正面基区具有第一掺杂类型；正面基区中形成有具有第二掺杂类型的埋层；埋层与上下两侧的正面基区形成三极管放大结构，并在器件导通时对埋层下方的正面基区进行少子增强。针对现有技术中的微触发可控硅器件性能不稳定的问题，本方案中在正面基区中通过埋层引入了三极管放大结构，由于埋层距离发射区的区域固定且掺杂浓度固定，因此在微电流下同样能够实现稳定的触发控制精度。且埋层下方的正面基区中的少数载流子，会因为上方的基于埋层的放大结构产生倍增效应，可以有效减少触发电流。在器件触发后，电导调制效应的加强可以有效降低导通后等效电阻。
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