公开(公告)号：CN119602781A

公开(公告)日：2025-03-11

申请号：CN202311165084.X

申请日：2023-09-11

Applicant: 世界先进积体电路股份有限公司

Inventor： 庄荣圳 ,  黄绍璋 ,  陈立凡 ,  陈俊智 ,  林功凯 ,  王前伟

IPC: H03K19/0185 ,  H03K19/003

Abstract: 本发明提供一种位准转换器，包括位准转换电路及电压追踪电路。位准转换电路通过输入端接收输入信号，且将输入信号由第一电源域转换为第二电源域，以于输出端产生输出信号。电压追踪电路耦接第一电源端以及第二电源端，且追踪第一电源端的电压以及第二电源端的电压中具有较低位准的一者以产生一控制电压。位准转换电路包括第一N型晶体管以及第二N型晶体管。第一N型晶体管具有耦接输入端的栅极、耦接第一节点的漏极、以及耦接接地的源极。第二N型晶体管具有接收控制电压的栅极、耦接输出端于第二节点的漏极、以及耦接输入端的源极。

公开(公告)号：CN117472129A

公开(公告)日：2024-01-30

申请号：CN202210858686.2

申请日：2022-07-21

Applicant: 世界先进积体电路股份有限公司

Inventor： 黄绍璋 ,  周业宁 ,  李庆和 ,  许凯杰 ,  陈俊智 ,  王前伟 ,  林功凯 ,  陈立凡

IPC: G05F1/56

Abstract: 本发明公开了一种电压追踪电路以及电子电路，所述电压追踪电路用以追踪第一电压端上的第一电压与第二电压端上的第二电压中的一个以产生输出电压。电压追踪电路包括第一与第二P型晶体管以及一控制电路。第一P型晶体管的漏极耦接第一电压端。第二P型晶体管的栅极耦接第一电压端，且其的漏极耦接第二电压端。控制电路耦接第一与第二电压端，且根据第一与第二电压产生控制电压。第一P型晶体管的源极与第二P型晶体管的源极耦接电压追踪电路的输出端，且输出电压产生于输出端。当第二电压大于第一电压时，控制电路产生控制电压以关断第一P型晶体管。

公开(公告)号：CN115208372A

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN202110381045.8

申请日：2021-04-09

Applicant: 世界先进积体电路股份有限公司

Inventor： 黄绍璋 ,  陈立凡 ,  李庆和 ,  林功凯 ,  庄介尧

IPC: H03K17/687 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明提供了一种半导体结构和操作电路，该半导体结构包括一基板、一第一阱区、一第二阱区、一第一掺杂区、一第二掺杂区、一栅极电极层、一绝缘层、一场板以及一可调电路。第一阱区及第二阱区形成于基板之上。第一掺杂区形成于第一阱区之中。第二掺杂区形成于第二阱区之中。栅极电极层位于基板之上。栅极电极层、第一掺杂区及第二掺杂区构成一晶体管。绝缘层位于基板之上，并重叠部分栅极电极层。场板重叠绝缘层及栅极电极层。可调电路在场板与栅极电极层之间提供一第一短路路径，或是在场板与第一掺杂区之间提供一第二短路路径。本发明的半导体结构具有较低的导通电阻，故该半导体结构的功耗较低，同时该半导体结构的切换速度较快。

公开(公告)号：CN118074495A

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202211477809.4

申请日：2022-11-23

Applicant: 世界先进积体电路股份有限公司

Inventor： 黄绍璋 ,  李庆和 ,  陈俊智 ,  许凯杰 ,  王前伟 ,  林志轩 ,  邱华琦 ,  林功凯 ,  陈立凡

IPC: H02M1/088 ,  H02M1/32 ,  H02H9/04

Abstract: 一种驱动电路，包括检测电路、控制电路、以及功率元件。检测电路耦接于第一电源端与第二电源端之间，且根据第一电源端的第一电压以及第二电源端的第二电压以在检测节点上产生检测电压。控制电路包括具有一背对背连接结构的一晶体管元件。晶体管元件耦接于接合垫与第一节点之间，且受控于检测电压。驱动电压产生于第一节点。功率元件耦接于接合垫与第二电源端之间，且受控于驱动电压。当在接合垫上发生静电放电事件时，晶体管元件根据检测电压而导通，且功率元件被驱动电压触发以提供介于接合垫与第二电源端之间的放电路径。驱动电路可以有效提供静电放电路径的电路，以避免在高压应用下无法有效地提供有效放电路径导致的元件损坏。

公开(公告)号：CN113745349A

公开(公告)日：2021-12-03

申请号：CN202010468102.1

申请日：2020-05-28

Applicant: 世界先进积体电路股份有限公司

Inventor： 黄绍璋 ,  许凯杰 ,  陈俊智 ,  陈立凡 ,  李庆和 ,  林庭佑 ,  林功凯 ,  周业甯 ,  宋建宪 ,  杨晓莹 ,  许建祺 ,  曾富群

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06

Abstract: 一种半导体装置，包括半导体基底、肖特基层、复数个第一掺杂区、复数个第二掺杂区、第一导电层以及第二导电层。半导体基底具有第一导电类型，肖特基层设置在半导体基底上。第一掺杂区以及第二掺杂区具有第二导电类型，并且设置于半导体基底内。第一掺杂区相互平行地沿着第一方向延伸，第二掺杂区相互平行地沿着第二方向延伸且横跨第一掺杂区，并共同在半导体基底内定义出复数个网格区。第一导电层设置在肖特基层上，而第二导电层则设置在半导体基底下。