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公开(公告)号：CN104350585A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201380026450.1
申请日：2013-06-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46
CPC classification number: H01J37/32449 , C23F4/00 , H01J37/321 , H01J37/3244 , H01L21/31116 , H01L21/32134
Abstract: 等离子体处理装置(1)通过使导入至处理容器(2)的处理气体等离子化，从而对收容在处理容器(2)的内部的晶圆(W)进行处理。等离子体处理装置(1)具备中央导入部(55)、周边导入部(61)、流量调整部以及控制部(49)。中央导入部(55)将含有Ar气体、He气体和蚀刻气体中的至少任意一者的处理气体导入至晶圆(W)的中央部。周边导入部(61)将处理气体导入至晶圆(W)的周边部。流量调整部用于调整自中央导入部(55)导入至晶圆(W)的中央部的处理气体的流量和自周边导入部(61)导入至晶圆(W)的周边部的处理气体的流量。控制部(49)以处理气体所含有的He气体相对于处理气体所含有的Ar气体的分压比为预定值以上的方式控制由流量调整部进行调整的处理气体的流量。
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公开(公告)号：CN102210015A
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN200980145127.X
申请日：2009-11-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/76
CPC classification number: H01L21/67069 , H01J37/32192 , H01L21/3065 , H01L21/76229
Abstract: 一种使用等离子体蚀刻装置的蚀刻方法，该等离子体蚀刻装置具备有处理容器、载置台、微波供给单元、气体供给单元、排气装置、向载置台供给交流偏置电力的偏置电力供给单元和控制交流偏置电力的偏置电力控制单元，其中偏置电力控制单元以下述方式对交流偏置电力进行控制：交替地重复向载置台的交流偏置电力的供给和停止，使得供给交流偏置电力的期间与供给交流偏置电力的期间和停止交流偏置电力的期间的合计期间之比在0.1以上0.5以下。
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公开(公告)号：CN117438273A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202310892186.5
申请日：2023-07-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 提供对环组件进行陈化的技术。一种陈化方法，在具备腔室以及配置于所述腔室内的静电吸盘的等离子体处理装置中执行，所述静电吸盘具有支持基板的中央区域以及包围所述中央区域且支持环组件的环状区域，所述陈化方法包含：在所述静电吸盘的所述环状区域配置所述环组件的工序；在所述静电吸盘的所述中央区域配置所述基板的工序；在所述腔室内生成等离子体的工序；计算所述静电吸盘与所述环组件之间的热阻的工序；以及基于计算的所述热阻，判断是否重复生成所述等离子体的工序以及所述计算的工序的工序。还提供一种等离子体处理装置。
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公开(公告)号：CN102403183B
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201110287142.7
申请日：2011-09-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/3065 , H01J37/32192 , H01J37/32706 , H01L21/31116 , H01L21/76224 , H01L21/76897 , H01L29/6653 , H01L29/6656
Abstract: 本发明提供能够更精确地蚀刻成所希望的形状的等离子体蚀刻处理装置及其方法和半导体元件制造方法。等离子体蚀刻处理装置11包括：在内部对被处理基板进行蚀等离子体处理的处理容器12；向处理容器12内供给等离子体处理用的气体的气体供给部13；配置在处理容器12内，在其上支承被处理基板W的支承台14；产生等离子体激励用的微波的微波发生器15；使用由微波发生器15产生的微波，在处理容器12内产生等离子体的等离子体发生单元；调整处理容器12内的压力的压力调整单元；向支承台14供给交流偏置电力的偏置电力供给单元；以交替反复地进行停止和供给的方式控制偏置电力供给单元的交流偏置电力的控制单元。
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公开(公告)号：CN102365392A
公开(公告)日：2012-02-29
申请号：CN201080013934.9
申请日：2010-03-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23F1/08 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/3081 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L22/12 , H01L22/20 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种等离子体蚀刻方法。一种对衬底进行处理的方法，其用于当在所述衬底上形成掩模图案之后通过蚀刻处理来形成期望的图案，该方法包括以下步骤：在衬底上形成两个层；测量掩模图案以及两个层中一者的蚀刻图案的宽度；以及基于所测量的宽度来调整用在蚀刻处理中的HBr和其他气体中任何一者的流速。这两个层可以包括氮化硅层和有机电介质层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119585852A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202380053639.3
申请日：2023-07-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/68 , H05H1/46
Abstract: 本发明提供掌握等离子体处理的状态的技术。等离子体处理方法在具有腔室和配置于腔室内的基片支承部的等离子体处理装置中，在腔室内生成等离子体来对基片执行等离子体处理，该等离子体处理方法包括：(a)步骤，将基片配置于基片支承部；(b)步骤，在腔室内生成等离子体来对位于基片支承部的基片执行等离子体处理；(c)步骤，获取关于在(b)步骤中在腔室内生成的等离子体与配置于基片支承部的基片之间产生的离子通量的数据；和(d)步骤，基于数据来检测等离子体处理的终点。
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公开(公告)号：CN102959692B
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201180032822.2
申请日：2011-04-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 小津俊久
IPC: H01L21/3065 , H01L21/768 , H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/3065 , H01J37/32192 , H01J2237/334 , H01L21/31116 , H01L21/76834 , H01L21/823807 , H01L21/823864 , H01L29/6656 , H01L29/6659 , H01L29/7843 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种当对形成在基板上的绝缘膜进行蚀刻时能够防止在绝缘膜的底层产生氧等离子体的坏影响的蚀刻方法。本发明的蚀刻方法包括：第一蚀刻工序，使绝缘膜（222）暴露于被等离子体化的处理气体中，对绝缘膜（222）进行蚀刻，直到厚度方向的中途；沉积物去除工序，使第一蚀刻工序结束时残存的绝缘膜（222）暴露于被氧等离子体中，去除沉积在残存的绝缘膜（222）的表面上的沉积物；和第二蚀刻工序，使残存的绝缘膜（222）暴露于被等离子体化的处理气体中，对残存的绝缘膜（222）进行蚀刻。
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公开(公告)号：CN102473634A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080036920.9
申请日：2010-08-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/67069 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01L21/31116 , H01L21/32137
Abstract: 本发明提供等离子体处理装置和等离子体处理方法。该等离子体处理装置提高了基板表面的等离子体处理的均匀性。该等离子体处理装置(1)用于使被导入到处理容器(2)中的处理气体等离子化来处理基板(W)，其中，被导入到收纳在处理容器(2)中的基板(W)的中心部的处理气体的导入量与被导入到收纳在处理容器(2)中的基板(W)的周边部的处理气体的导入量之比在等离子体处理过程中发生变化。采用本发明，能够减小基板(W)的中心部和周边部的蚀刻速率(ER)等的偏差。因此，基板(W)表面的等离子体处理的均匀性提高。
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公开(公告)号：CN119422231A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202380049169.3
申请日：2023-06-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46
Abstract: 本发明提供修正在多个等离子体处理装置间产生的装置间差的技术。调节方法包括：在具有第一腔室和配置于第一腔室内的第一基片支承部的第一等离子体处理装置中，获取基准分布数据的步骤，基准分布数据是关于在第一腔室内生成的等离子体与配置于第一基片支承部的基片之间产生的离子通量的分布的数据；在具有第二腔室和配置于第二腔室内的第二基片支承部的第二等离子体处理装置中，获取分布数据的步骤，分布数据是关于在第二腔室内生成的等离子体与配置于第二基片支承部的基片之间产生的离子通量的分布的数据；和基于第二等离子体处理装置中获取到的分布数据和第一等离子体处理装置中获取到的基准分布数据，来调节第二等离子体处理装置中的能够调节离子通量的要素的步骤。
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公开(公告)号：CN102473634B
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201080036920.9
申请日：2010-08-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/67069 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01L21/31116 , H01L21/32137
Abstract: 本发明提供等离子体处理装置和等离子体处理方法。该等离子体处理装置提高了基板表面的等离子体处理的均匀性。该等离子体处理装置(1)用于使被导入到处理容器(2)中的处理气体等离子化来处理基板(W)，其中，被导入到收纳在处理容器(2)中的基板(W)的中心部的处理气体的导入量与被导入到收纳在处理容器(2)中的基板(W)的周边部的处理气体的导入量之比在等离子体处理过程中发生变化。采用本发明，能够减小基板(W)的中心部和周边部的蚀刻速率(ER)等的偏差。因此，基板(W)表面的等离子体处理的均匀性提高。
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