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公开(公告)号：CN119487618A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202380049160.2
申请日：2023-06-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46
Abstract: 本发明提供减少离子通量的分布的不均的技术。提供一种等离子体处理方法，其在具有腔室和配置于上述腔室内的基片支承部的等离子体处理装置中，在上述腔室内生成等离子体来对基片执行等离子体处理。等离子体处理方法包括：(a)预先保存第一分布数据的步骤，上述第一分布数据是关于在上述腔室内生成的等离子体与配置于上述基片支承部的第一基片之间产生的离子通量的分布的数据；(b‑a)将第二基片配置在上述基片支承部的步骤；和(b‑b)基于上述第一分布数据在上述腔室内生成等离子体，来对上述第二基片执行等离子体处理的等离子体处理步骤。
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公开(公告)号：CN117438274A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202310893460.0
申请日：2023-07-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 提供一种在等离子体处理的执行中检测特异点的技术。本公开涉以及的检测方法是在等离子体处理装置中执行的检测方法，所述等离子体处理装置具备等离子体处理腔室、配置于所述等离子体处理腔室内的基板支持部以及配置于所述基板支持部内的多个加热器，所述检测方法包含：在所述基板支持部上配置基板的工序；在所述等离子体处理腔室内生成等离子体并对所述基板执行等离子体处理的工序；在所述等离子体处理腔室内生成了等离子体的状态下，对所述多个加热器分别测量温度的工序；基于测量的所述多个加热器的温度检测所述基板支持部中的温度的特异点的工序。还提供一种等离子体处理装置。
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公开(公告)号：CN119585852A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202380053639.3
申请日：2023-07-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/68 , H05H1/46
Abstract: 本发明提供掌握等离子体处理的状态的技术。等离子体处理方法在具有腔室和配置于腔室内的基片支承部的等离子体处理装置中，在腔室内生成等离子体来对基片执行等离子体处理，该等离子体处理方法包括：(a)步骤，将基片配置于基片支承部；(b)步骤，在腔室内生成等离子体来对位于基片支承部的基片执行等离子体处理；(c)步骤，获取关于在(b)步骤中在腔室内生成的等离子体与配置于基片支承部的基片之间产生的离子通量的数据；和(d)步骤，基于数据来检测等离子体处理的终点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119422231A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202380049169.3
申请日：2023-06-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46
Abstract: 本发明提供修正在多个等离子体处理装置间产生的装置间差的技术。调节方法包括：在具有第一腔室和配置于第一腔室内的第一基片支承部的第一等离子体处理装置中，获取基准分布数据的步骤，基准分布数据是关于在第一腔室内生成的等离子体与配置于第一基片支承部的基片之间产生的离子通量的分布的数据；在具有第二腔室和配置于第二腔室内的第二基片支承部的第二等离子体处理装置中，获取分布数据的步骤，分布数据是关于在第二腔室内生成的等离子体与配置于第二基片支承部的基片之间产生的离子通量的分布的数据；和基于第二等离子体处理装置中获取到的分布数据和第一等离子体处理装置中获取到的基准分布数据，来调节第二等离子体处理装置中的能够调节离子通量的要素的步骤。
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公开(公告)号：CN109427575A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201810964660.X
申请日：2018-08-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/67 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种抑制通过蚀刻而形成的槽的关键尺寸的扩大的蚀刻方法和蚀刻装置。蚀刻方法包括搬送工序、改性工序、去除工序以及蚀刻工序。在搬送工序中，将层叠有基底膜、第一有机膜以及掩膜的被处理体搬入腔室内并载置在载置台上。在改性工序中，利用被供给到腔室内的包含碳元素、氢元素以及氟元素的第一气体的等离子体，对被处理体的表面进行改性。在去除工序中，向载置台施加第一电力的高频偏压，利用在腔室内生成的第二气体的等离子体将形成于未被掩膜覆盖的第一有机膜的表面的改性层去除。在蚀刻工序中，向载置台施加比第一电力低的第二电力的高频偏压，利用在腔室内生成的第二气体的等离子体对已被去除的改性层的下层的第一有机膜进行蚀刻。
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公开(公告)号：CN119173985A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202380039777.6
申请日：2023-05-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , G03F7/004 , G03F7/26
Abstract: 提供了在具有腔室的等离子体处理装置中执行的等离子体处理方法。该方法包括：(a)在腔室内的基板支撑部上准备具有蚀刻对象膜和设置在蚀刻对象膜上的含金属膜的基板的工序，含金属膜具有被曝光的第一区域和未曝光的第二区域；(b)使用由包括含氟气体或含氧气体中的任一种气体的第一处理气体生成的第一等离子体，对含金属膜进行改性的工序；和(c)使用由第二处理气体生成的第二等离子体，相对于第二区域选择性除去改性后的含金属膜的第一区域的工序。
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公开(公告)号：CN117438273A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202310892186.5
申请日：2023-07-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 提供对环组件进行陈化的技术。一种陈化方法，在具备腔室以及配置于所述腔室内的静电吸盘的等离子体处理装置中执行，所述静电吸盘具有支持基板的中央区域以及包围所述中央区域且支持环组件的环状区域，所述陈化方法包含：在所述静电吸盘的所述环状区域配置所述环组件的工序；在所述静电吸盘的所述中央区域配置所述基板的工序；在所述腔室内生成等离子体的工序；计算所述静电吸盘与所述环组件之间的热阻的工序；以及基于计算的所述热阻，判断是否重复生成所述等离子体的工序以及所述计算的工序的工序。还提供一种等离子体处理装置。
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公开(公告)号：CN109427575B
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN201810964660.X
申请日：2018-08-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/67 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种抑制通过蚀刻而形成的槽的关键尺寸的扩大的蚀刻方法和蚀刻装置。蚀刻方法包括搬送工序、改性工序、去除工序以及蚀刻工序。在搬送工序中，将层叠有基底膜、第一有机膜以及掩膜的被处理体搬入腔室内并载置在载置台上。在改性工序中，利用被供给到腔室内的包含碳元素、氢元素以及氟元素的第一气体的等离子体，对被处理体的表面进行改性。在去除工序中，向载置台施加第一电力的高频偏压，利用在腔室内生成的第二气体的等离子体将形成于未被掩膜覆盖的第一有机膜的表面的改性层去除。在蚀刻工序中，向载置台施加比第一电力低的第二电力的高频偏压，利用在腔室内生成的第二气体的等离子体对已被去除的改性层的下层的第一有机膜进行蚀刻。
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