公开(公告)号：CN114334713A

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN202111150556.5

申请日：2021-09-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 绪方信博 ,  樱井宏纪 ,  后藤大辅 ,  古贺贵广 ,  森宽太 ,  桥本佑介

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明涉及基板处理装置。提供一种能够在液处理中提升去除对象物的去除效率的技术。本公开的基板处理装置具有流体供给部、处理液供给部以及喷嘴。流体供给部供给包含经过了加压的纯水的蒸汽或水雾的流体。处理液供给部供给至少包含硫酸的处理液。喷嘴具有第1喷出口、第2喷出口以及导出路径。第1喷出口喷出自流体供给部供给的流体。第2喷出口喷出自处理液供给部供给的处理液。导出路径与第1喷出口以及第2喷出口连通，导出自第1喷出口喷出的流体和自第2喷出口喷出的处理液的混合流体。另外，导出路径的截面面积比第1喷出口的截面面积大。

公开(公告)号：CN119446962A

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202410979297.4

申请日：2024-07-22

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 樱井宏纪

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/687

Abstract: 本发明提供能抑制利用混合流体进行清洗处理时产生溅液的技术。基片处理装置包括：以基片能够旋转的方式对其进行保持的旋转保持部，将清洗液与气体的混合流体释放到基片上；液体供给喷嘴，能在基片的上方与清洗喷嘴一体地移动；和控制各部的控制部。清洗喷嘴能分别独立释放清洗液和气体。控制部执行：第一处理，在基片上形成液体的液膜；第二处理，在形成有液体的液膜的基片上从清洗喷嘴向基片的中央部释放清洗液；第三处理，通过从清洗喷嘴向基片释放第一流量的气体来向基片中央部释放混合流体；和第四处理，使气体的流量变为比第一流量大的第二流量且使释放混合流体的清洗喷嘴和释放液体的液体供给喷嘴从基片的中央部的上方移动到周缘部的上方。

公开(公告)号：CN116153775A

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN202310155226.8

申请日：2021-02-22

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 樱井宏纪 ,  小佐井一树 ,  筱原和义

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  B08B3/02 ,  F26B5/00

Abstract: 本发明提供能够抑制在基片表面的中心位置或其附近产生颗粒的基片处理方法和基片处理装置。基片处理方法具有下述(A)～(D)。(A)向旋转的基片表面的中心位置供给处理液。(B)使所述处理液的供给位置从所述中心位置移动至第一偏心位置。(C)使所述处理液的供给位置停止在所述第一偏心位置，向与所述第一偏心位置不同的第二偏心位置供给用于置换所述处理液的置换液。(D)使所述处理液的供给位置从所述第一偏心位置向与所述中心位置相反的方向移动，并且使所述置换液的供给位置从所述第二偏心位置向所述中心位置移动。

公开(公告)号：CN111613549B

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202010095517.9

申请日：2020-02-17

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 樱井宏纪

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/311

Abstract: 和所述低介电常数溶剂的比率。由此，能够调节本发明提供一种基片处理装置及基片处理 形成于基片上的两个以上的膜的蚀刻选择比。方法，该基片处理装置包括：能够保持基片的基片保持部；向由所述基片保持部保持的所述基片供给处理液的处理液供给部；药液供给部，其向所述处理液供给部供给作为所述处理液的构成成分的药液；纯净水供给部，其向所述处理液供给部供给作为所述处理液的构成成分的纯净水；低介电常数溶剂供给部，其向所述处理液供给部供给作为所述处理液的构成成分的低介电常数溶剂；和控制部，其控制所述药液供给部、所述纯

公开(公告)号：CN116264174A

公开(公告)日：2023-06-16

申请号：CN202211551531.0

申请日：2022-12-05

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 樱井宏纪 ,  绪方信博 ,  后藤大辅 ,  森宽太 ,  矢田健二 ,  桥本佑介 ,  水口将辉 ,  许彦瑞

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明涉及喷嘴、基板处理装置以及基板处理方法。能够在使用流体与处理液的混合流体的液处理中将流体与处理液高效地混合。喷嘴是将包含加压后的纯水的蒸气或雾沫的流体与至少包含硫酸的处理液混合并喷出的喷嘴。喷嘴具备第1喷出口、第2喷出口以及导出路。第1喷出口喷出流体。第2喷出口喷出处理液。导出路与第1喷出口以及第2喷出口连通，用于导出从第1喷出口喷出来的流体和从第2喷出口喷出来的处理液的混合流体。另外，第1喷出口或第2喷出口配置为在平面视角下朝向自导出路的中心轴线偏离的位置。

公开(公告)号：CN115176334A

公开(公告)日：2022-10-11

申请号：CN202180017221.8

申请日：2021-02-22

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 樱井宏纪 ,  小佐井一树 ,  筱原和义

IPC: H01L21/304

Abstract: 基片处理方法具有下述(A)～(D)。(A)向旋转的基片表面的中心位置供给处理液。(B)使所述处理液的供给位置从所述中心位置移动至第一偏心位置。(C)使所述处理液的供给位置停止在所述第一偏心位置，向与所述第一偏心位置不同的第二偏心位置供给用于置换所述处理液的置换液。(D)使所述处理液的供给位置从所述第一偏心位置向与所述中心位置相反的方向移动，并且使所述置换液的供给位置从所述第二偏心位置向所述中心位置移动。(E)以第一流量向所述第一偏心位置供给所述处理液，在使所述处理液的供给位置从所述第一偏心位置开始移动之后、并且到所述置换液的供给位置到达所述中心位置时为止的期间，将所述处理液的流量从所述第一流量减少至第二流量。

公开(公告)号：CN115223889A

公开(公告)日：2022-10-21

申请号：CN202210372277.1

申请日：2022-04-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 樱井宏纪

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种基片处理装置和基片处理方法。基片处理装置包括保持基片的保持部、液排出部、第一供给部、第二供给部和控制部。液排出部对保持在保持部上的基片排出处理液。第一供给部对液排出部供给处理液。第二供给部对液排出部供给水蒸气。第二供给部具有水蒸汽发生器、供给管线、稳定机构、测量供给管线中流动的水蒸汽的压力的压力计和压力调节机构。供给管线将来自水蒸汽发生器的水蒸汽供给到液排出部。稳定机构使从水蒸汽发生器向供给管线供给的水蒸汽的量稳定。压力调节机构调节供给管线中流动的水蒸汽的压力。控制部控制压力调节机构以使得由压力计测量的水蒸汽的压力成为预先设定的压力。根据本发明，能够以稳定的处理性能来处理基片。

公开(公告)号：CN113161255A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN202011576637.7

申请日：2020-12-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 樱井宏纪 ,  后藤大辅 ,  中泽贵士 ,  高松祐助 ,  桥本佑介

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明提供一种基片处理装置，其能够抑制在利用混合液的蚀刻处理结束时在混合部发生突沸反应。本发明的一个方式的基片处理装置包括升温部、混合部和释放部。升温部使硫酸升温。混合部将升温后的硫酸与含有水分的液体混合来生成混合液。释放部在基片处理部内对基片释放混合液。此外，混合部包括：合流部，其用于供升温后的硫酸流动的硫酸供给管路与供液体流动的液体供给管路合流；和反应抑制机构，其抑制合流部中的升温后的硫酸与液体的反应。

公开(公告)号：CN117410202A

公开(公告)日：2024-01-16

申请号：CN202310820209.1

申请日：2023-07-05

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 樱井宏纪 ,  许彦瑞 ,  水口将辉 ,  绪方信博 ,  梅野慎一 ,  金珉成 ,  东博之 ,  合田一哉

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/687 ,  B08B3/02 ,  B08B3/08

Abstract: 本发明提供能够提高将除去对象物从基片除去的处理的面内均匀性的基片处理装置和基片处理方法。本发明的基片处理装置包括基片保持部、流体供给部、处理液供给部、喷嘴、流体流量调节部和控制部。基片保持部用于以可旋转的方式保持基片。流体供给部用于供给包含被加压后的纯水的蒸气或雾的流体。处理液供给部用于供给至少包含硫酸的处理液。喷嘴与流体供给部和处理液供给部连接，用于向基片释放流体与处理液的混合流体。流体流量调节部用于对在流体供给部流动的流体的流量进行调节。控制部用于控制流体流量调节部。控制部能够控制流体流量调节部来调节流体相对于处理液的比例。

公开(公告)号：CN115176334B

公开(公告)日：2023-03-14

申请号：CN202180017221.8

申请日：2021-02-22

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 樱井宏纪 ,  小佐井一树 ,  筱原和义

IPC: H01L21/304

Abstract: 基片处理方法具有下述(A)～(D)。(A)向旋转的基片表面的中心位置供给处理液。(B)使所述处理液的供给位置从所述中心位置移动至第一偏心位置。(C)使所述处理液的供给位置停止在所述第一偏心位置，向与所述第一偏心位置不同的第二偏心位置供给用于置换所述处理液的置换液。(D)使所述处理液的供给位置从所述第一偏心位置向与所述中心位置相反的方向移动，并且使所述置换液的供给位置从所述第二偏心位置向所述中心位置移动。(E)以第一流量向所述第一偏心位置供给所述处理液，在使所述处理液的供给位置从所述第一偏心位置开始移动之后、并且到所述置换液的供给位置到达所述中心位置时为止的期间，将所述处理液的流量从所述第一流量减少至第二流量。