基片处理方法和基片处理装置
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118160075A

    公开(公告)日:2024-06-07

    申请号:CN202280072218.0

    申请日:2022-10-21

    Abstract: 本发明的基片处理方法包括:使用能够水平地并且以可旋转的方式保持基片的保持部来保持所述基片的步骤;之后,对所保持的所述基片进行加热的步骤;之后,在从配置在预先确定的处理位置的第一喷嘴向旋转的所述基片的周缘部释放第一处理液之前,调节所述周缘部的温度,使所述基片的面内温度分布近似于从配置在所述处理位置的所述第一喷嘴向旋转的所述基片的所述周缘部释放所述第一处理液的期间的面内温度分布的步骤;和之后,从配置在所述处理位置的所述第一喷嘴向旋转的所述基片的所述周缘部释放所述第一处理液的步骤。

    处理液释放喷嘴、喷嘴臂、基片处理装置和基片处理方法

    公开(公告)号:CN112242321A

    公开(公告)日:2021-01-19

    申请号:CN202010673489.4

    申请日:2020-07-14

    Abstract: 本发明提供处理液释放喷嘴、喷嘴臂、基片处理装置和基片处理方法。实施方式的处理液释放喷嘴是释放用于基片处理的处理液的处理液释放喷嘴。处理液释放喷嘴包括喷嘴主体部和角度改变机构。喷嘴主体部包括:形成有与处理液供给通路连通的第1流路的第1主体部;和形成有与第1流路连通的第2流路,并相对于第1主体部弯曲的第2主体部。角度改变机构相对于固定喷嘴主体部的固定部件,改变水平方向上的喷嘴主体部的角度。本发明能够抑制颗粒的产生。

    基片处理装置和基片处理方法
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118160074A

    公开(公告)日:2024-06-07

    申请号:CN202280071573.6

    申请日:2022-09-30

    Abstract: 本发明的基片处理装置(1)包括保持基片并使其旋转的基片旋转部(20)、外侧杯状体(51)、内侧杯状体(52)、环状排液部(64)和排气通路(62)。外侧杯状体(51)呈环状地覆盖被保持在基片旋转部(20)的基片的周围。内侧杯状体(52)配置在外侧杯状体(51)的内侧,并且配置在被保持在基片旋转部(20)的基片的下方。环状排液部(64)形成在外侧杯状体(51)与内侧杯状体(52)之间,将被供给至基片的处理液向外部排出。排气通路(62)形成在内侧杯状体(52)的内侧。内侧杯状体(52)具有将由内侧杯状体(52和外侧杯状体(51)形成的承液空间(60)与排气通路(62)之间连通的排气孔(61)。排气孔(61)从内侧杯状体(52)的外表面(52c)向斜下方形成至内表面(52d)。

    基片处理装置
    7.
    发明公开
    基片处理装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN118160073A

    公开(公告)日:2024-06-07

    申请号:CN202280071551.X

    申请日:2022-09-30

    Abstract: 本发明的一个方式的基片处理装置(1)包括基片旋转部(20)和杯状体。基片旋转部(20)保持基片并使其旋转。杯状体呈环状地覆盖被保持在基片旋转部(20)的基片的周围。另外,杯状体具有杯状体基部(53)、第一部件(55)和第二部件(56)。杯状体基部(53)包围基片旋转部(20)的整周。第一部件(55)可拆装地安装于杯状体基部(53)的上端部,呈环状地包围基片的外周。第二部件(56)至少可拆装地安装于第一部件(55)的内周端,表面(56a)为疏水性的。

    基板处理装置和喷嘴
    8.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107658244B

    公开(公告)日:2024-12-13

    申请号:CN201710620301.8

    申请日:2017-07-26

    Abstract: 本发明提供一种基板处理装置和喷嘴,能够在停止了处理液的喷出之后确认喷嘴内的液面位置。实施方式的基板处理装置具备基板保持部和喷嘴。基板保持部保持基板。喷嘴向基板供给处理液。另外,喷嘴具备配管部和观察窗。配管部具有水平部分和从水平部分下垂的下垂部分,从下垂部分的顶端喷出处理液。观察窗设于配管部的水平部分。

    基板处理装置
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112053970A

    公开(公告)日:2020-12-08

    申请号:CN202010475873.3

    申请日:2020-05-29

    Abstract: 本发明提供一种能够精度良好地蚀刻基板的周缘部的基板处理装置。本公开的一形态的基板处理装置具备基板旋转部、气液分离部以及排气路径。基板旋转部保持基板并使该基板旋转。气液分离部以包围基板旋转部的外周的方式设置,使气体和液滴分离。排气路径以包围气液分离部的外周的方式设置,对由气液分离部分离后的气体进行排气。

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