-
公开(公告)号：CN119585850A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202380052545.4
申请日：2023-07-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/02 , H05H1/46
Abstract: 辅助等离子体处理装置中的工艺性能的提高。等离子体处理系统具备等离子体处理装置、辅助装置以及控制装置，所述辅助装置具有：第一决定部，其构成为基于与处理前基板的构造有关的第一输入、与处理后基板的要求形状有关的第二输入、与所述等离子体处理装置的规格有关的第三输入以及与所述等离子体处理装置的状态有关的第四输入，使用第一机器学习模型来决定用于对所述处理前基板进行处理以使处理后基板的预测形状符合所述处理后基板的要求形状的多个控制参数；以及第二决定部，其构成为基于所决定的多个控制参数、所述第三输入以及所述第四输入，使用第二机器学习模型来决定所述等离子体处理装置的运用条件。
-
公开(公告)号：CN110544628B
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN201910444639.1
申请日：2019-05-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 胜沼隆幸
IPC: H01L21/311 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种方法，其能够不封闭膜的开口，而面内均匀地形成保护侧壁面不受对膜进行蚀刻的化学种的影响的保护区域。在例示的实施方式的对膜进行蚀刻的方法中，在膜上形成前体的单分子层。膜具有用于形成开口的侧壁面和底面。利用化学种对膜进行蚀刻，该化学种来自从处理气体形成的等离子体。在对膜进行蚀刻期间，利用来自等离子体的化学种或来自等离子体的其他化学种，从单分子层形成保护区域。
-
公开(公告)号：CN113169066B
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN201980076470.7
申请日：2019-07-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/302
Abstract: 本发明的基片处理方法包括：提供具有掩模的基片的步骤；在掩模上形成膜的步骤；在膜的表层形成反应层的步骤；和对反应层供给能量来去除反应层的步骤。
-
公开(公告)号：CN106067417B
公开(公告)日：2019-09-03
申请号：CN201610247871.2
申请日：2016-04-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种蚀刻有机膜的方法，在有机膜的等离子体蚀刻中改善硬质掩模的形状。在一个实施方式的方法中，在收容有被处理体的等离子体处理装置的处理容器内生成包含氢气和氮气的处理气体的等离子体。通过处理气体的等离子体的生成，从硬质掩模露出的上述有机膜的一部分区域变化为改性区域。接着，在处理容器内生成稀有气体的等离子体。利用稀有气体的等离子体除去改性区域，并且使从该改性区域释放出的物质堆积在硬质掩模的表面上。该方法交替地反复进行处理气体的等离子体的生成和稀有气体的等离子体的生成。
-
公开(公告)号：CN102655086A
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN201210053193.8
申请日：2012-03-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311 , H01L21/3213
CPC classification number: H01L21/31116 , H01J37/32091 , H01J37/32669 , H01L21/0206 , H01L21/0273 , H01L21/31138 , H01L21/31144 , H01L21/32137 , H01L21/32139 , H01L27/11556 , H01L27/11582
Abstract: 本发明提供半导体器件的制造方法和计算机存储介质。本发明提供一种半导体器件的制造方法，其蚀刻基板形成台阶状结构，上述基板具有：多层膜，交替叠层有第一介电常数的第一膜和与第一介电常数不同的第二介电常数的第二膜；和位于多层膜的上层作为蚀刻掩模发挥作用的光致抗蚀剂层，该半导体器件的制造方法，包括：第一工序，以光致抗蚀剂层为掩模，对第一膜进行等离子体蚀刻；第二工序，将光致抗蚀剂层暴露于含氢等离子体；第三工序，修整光致抗蚀剂层；和第四工序：以通过第三工序修整过的光致抗蚀剂层和在第一工序中进行了等离子体蚀刻的第一膜为掩模，蚀刻第二膜，通过反复进行第一工序至第四工序，使多层膜为台阶状结构。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111261514B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN201910857745.2
申请日：2019-09-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311
Abstract: 本发明涉及一种基片处理方法，提供将形成于基片的图案控制为所希望的状态的技术。基片处理方法包括：提供具有图案的处理对象的基片的步骤；在所述基片上形成膜的步骤；利用等离子体在基片的表层形成反应层的步骤；和对基片施加能量来除去反应层的步骤。
-
公开(公告)号：CN111326414B
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN201911249113.4
申请日：2019-12-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311
Abstract: 本发明的课题在于：提供一种能够高精度地控制图案的形状的技术。本发明解决课题的方法在于：基板处理方法包括：提供在表层形成有图案的基板的提供工序；设定基板的温度使得图案的变化达到规定的变化量的设定工序；在基板的表层形成与温度相对应厚度的反应层的形成工序；和向基板供给能量而除去反应层的除去工序。
-
公开(公告)号：CN114121641A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202110959471.5
申请日：2021-08-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 胜沼隆幸
IPC: H01L21/3065 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供晶片处理方法和等离子体处理装置，其目的在于提供抑制由在基片上形成的膜引起的凹部的开口的闭塞的技术，基片处理方法包含使前驱体吸附于基片的侧壁面的工序(a)，侧壁面在基片区划形成凹部，基片处理方法还包含向基片供给第一化学种和第二化学种的工序(b)，第一化学种在侧壁面上由前驱体形成膜，第二化学种抑制膜的厚度的增加，工序(a)与工序(b)交替重复。
-
公开(公告)号：CN113035708A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202011472515.3
申请日：2020-12-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311 , H01J37/305
Abstract: 本发明提供一种基片处理方法和基片处理装置。基片处理方法包括提供基片的步骤、形成保护膜的步骤和蚀刻的步骤。提供基片的步骤提供基片，该基片具有被蚀刻膜、形成于被蚀刻膜之上的第1掩模和以覆盖第1掩模的至少一部分的方式形成的第2掩模。形成保护膜的步骤利用由第1气体生成的等离子体，在第2掩模的侧壁形成保护膜。蚀刻的步骤利用由第2气体生成的等离子体，蚀刻被蚀刻膜。根据本发明，能够抑制层叠的掩模的损耗。
-
公开(公告)号：CN112908844A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202011238186.6
申请日：2020-11-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供对膜进行蚀刻的方法和等离子体处理装置。一个例示的实施方式的方法包括通过供给前体气体来在基片上形成前体层的步骤。基片具有膜，提供开口。方法还包括用来自从处理气体形成的等离子体的化学种来蚀刻膜的步骤。在蚀刻膜的步骤中，开口的深度增加，并且利用来自等离子体的化学种或其他化学种，由前体层形成保护区域。执行分别包含形成前体层的步骤和蚀刻膜的步骤的多个循环。至少一个循环所包含的蚀刻膜的步骤的执行过程中的基片的温度和至少一个其他循环所包含的蚀刻膜的步骤的执行过程中的基片的温度，被设定为彼此不同的温度。根据本发明，能够提供保护膜的侧壁面并且在形成于膜的开口的深度方向上控制该开口的宽度的技术。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
40
records
(took 0.034 seconds)
