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发明公开
适于等离子体蚀刻装置用构件等的成膜材料及其制造方法审中-实审

公开(公告)号：CN118043492A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202280066605.3

申请日：2022-12-08

Applicant: 东华隆株式会社

Inventor： 浜岛和雄 , 矢野步 , 森笹真司

IPC: C23C4/11 , C04B35/505 , C23C14/08 , H01L21/3065 , H01L21/31

Abstract: 提供作为等离子体蚀刻装置用构件合适的、耐等离子体性高的含Y2O3的成膜材料及其制造方法。一种成膜材料，其特征在于，其为含有固溶体的成膜材料，所述固溶体包含Y2O3、和仅含有ZrO2、HfO2或Nb2O5的金属氧化物，在前述金属氧化物为ZrO2的情况下，ZrO2的含量为2～12摩尔％，前述金属氧化物为HfO2的情况下，HfO2的含量为4～24摩尔％，在前述金属氧化物为Nb2O5的情况下，Nb2O5的含量为1～8摩尔％，并且，该固溶体的晶体结构具有Y2O3的正六面体晶体结构。

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