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公开(公告)号：CN105624458A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201610113835.7
申请日：2016-02-29
Applicant: 东南大学
IPC: C22C5/06 , C22C29/06 , C22C32/00 , C22C1/05 , H01H1/0233
CPC classification number: C22C5/06 , B22F2998/10 , B22F2999/00 , C22C1/05 , C22C1/051 , C22C29/06 , C22C32/0052 , H01H1/0233 , B22F1/0003 , B22F3/02 , B22F3/10 , B22F2201/11 , B22F2201/20
Abstract: 一种Ti3AlC2增强Ag基电触头材料的制备方法。该复合材料由Ti3AlC2和Ag基体组成，其中Ti3AlC2增强相的质量百分数为1～70％。将Ti3AlC2粉末和Ag粉末按比例混合5～300min后，在100～900MPa下冷压成型。将生坯在保护性气氛或真空中，500～1000℃烧结1～24h，即制备成Ti3AlC2增强Ag基复合电触头材料。本发明制备出的Ag基复合材料具有致密度高，组织均匀，硬度适中，导电性好等优点。
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公开(公告)号：CN109811399A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201910071310.5
申请日：2019-01-25
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公布了一种尺寸可控Ga2O3纳米管的制备方法，包括以下步骤：1)制备MAX相Cr2GaC-Ga粉末；2)将MAX相Cr2GaC-Ga粉末置于球磨机中球磨，得到球磨后的粉体；3)将球磨后的粉体冷压成薄片，并置于-60℃～28℃的温度条件下培养1min～1000min，自发生长得到不同尺寸的Ga晶须；4)在空气或氧化气氛中自然或加速氧化Ga晶须后，加热到30℃～1900℃去除Ga晶须内部金属Ga，根据氧化时长获得不同壁厚的一维Ga2O3纳米管。该制备方法具有工艺简单、密度高、速度快、成本低、环保等优点，解决了目前一维Ga2O3纳米材料制备领域中存在的工艺复杂、制备时间长、产率低等问题。
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公开(公告)号：CN106220181A
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201610550675.2
申请日：2016-07-13
Applicant: 东南大学
IPC: C04B35/56 , C04B35/622
CPC classification number: C04B35/56 , C04B35/622 , C04B2235/3843 , C04B2235/401 , C04B2235/404 , C04B2235/658 , C04B2235/6581
Abstract: 本发明是一种利用粉末冶金手段制备Ti2PbC陶瓷的方法，按照TiC∶Ti∶Pb＝1∶1∶(1-1.3)(摩尔比)配料，混合1-50小时，利用管式炉，在保护性气氛下，以1-50℃/min的升温速率升温至900-1500℃并保温30-200min，随炉冷却，即得高纯度Ti2PbC陶瓷。此合成方式具有诸多优势：Ti2PbC陶瓷所需要的合成时间极大缩短，可以达到很高的纯度，合成的成本低，所用的设备简单，工艺参数范围大，适用于工业化生产。所得陶瓷可以用于铅酸电池中过渡层，相比贵金属其价格低廉，且与电池中的石墨纤维以及铅基活性相有着极其优异的兼容性。
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公开(公告)号：CN109811399B
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201910071310.5
申请日：2019-01-25
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公布了一种尺寸可控Ga2O3纳米管的制备方法，包括以下步骤：1)制备MAX相Cr2GaC‑Ga粉末；2)将MAX相Cr2GaC‑Ga粉末置于球磨机中球磨，得到球磨后的粉体；3)将球磨后的粉体冷压成薄片，并置于‑60℃～28℃的温度条件下培养1min～1000min，自发生长得到不同尺寸的Ga晶须；4)在空气或氧化气氛中自然或加速氧化Ga晶须后，加热到30℃～1900℃去除Ga晶须内部金属Ga，根据氧化时长获得不同壁厚的一维Ga2O3纳米管。该制备方法具有工艺简单、密度高、速度快、成本低、环保等优点，解决了目前一维Ga2O3纳米材料制备领域中存在的工艺复杂、制备时间长、产率低等问题。
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公开(公告)号：CN107009044B
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201710329209.6
申请日：2017-05-11
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种无铅焊料及其制备方法，该无铅焊料包括无铅焊料基体和增强相，且增强相占无铅焊料基体质量的0.1％～1％；其中所述无铅焊料基体为Sn‑Ag‑Cu合金、Sn‑Sb合金、Sn‑In合金、Sn‑Cu合金或者Sn‑Ag合金中的一种，所述的增强相为二维过渡金属碳化物或碳氮化物(MXene)材料。该无铅焊料制备方法如下：将MXene置于无水乙醇中，经超声震荡分散，之后按一定的比例与无铅焊料基体混合均匀，压制成坯体；最后，在惰性气氛保护下烧结，制得一种比现有无铅焊料具有更高力学、电学、热学性能的新型焊料，该方法绿色环保，符合现代电子工业的发展趋势。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105970608B
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201610412592.7
申请日：2016-06-13
Applicant: 东南大学
IPC: D06M11/74 , D06M101/40
Abstract: 本发明涉及一种基于浆料涂覆法制备碳化钛包覆碳纤维材料的方法，属于材料制备领域。本发明采用浆料涂覆法在碳纤维表面均匀涂覆一层钛粉，然后采用无压烧结的方法使钛粉在碳纤维表面发生原位反应，在碳纤维表面生成一层或多层碳化钛。该制备方法方便、快捷、成本低廉，制备出来的碳化钛包覆碳纤维材料表面碳化钛厚度均匀，颗粒处于纳米级别，可用于增强材料、吸波材料、磁屏蔽材料和增强热传导材料等。
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公开(公告)号：CN108611500B
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201810677352.9
申请日：2018-06-27
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种低熔点金属提纯方法，所述方法为：①将MAX相粉末与含有A金属组元的被提纯合金按比例混合，并于球磨机中球磨；②将上述经过球磨的粉体冷压成薄片；③将薄片置于热处理炉中，在接近A金属熔点TA温度下热处理1～300min，然后自然降温；④在室温下放置1～30天，待试样表面生长出A金属晶须；⑤收集样品表面的A金属晶须。本发明的提纯方法具有工艺简单、成本低、环保、提纯所得金属纯度高等优点，解决了目前金属提纯技术中存在的工艺复杂、成本高、环境污染等问题。
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公开(公告)号：CN106191492A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610547135.9
申请日：2016-07-12
Applicant: 东南大学
CPC classification number: C22C1/0483 , C22C1/0491 , C22C28/00
Abstract: 一种高纯FeGa3金属间化合物的制备方法，以Fe粉和Ga颗粒为原料，按Fe∶Ga＝1∶(2.8～3.2)的摩尔比混合后加热处理。在保护性气氛或真空环境下，加热至900～1500℃，并保温30～210分钟，即可得到高纯度FeGa3。本发明以Fe和Ga元素为原料利用粉末冶金途径制备FeGa3，具有工艺简单，成本低，合成FeGa3纯度高，无杂质相存在，环境友好等优点，适合大规模生产应用。
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公开(公告)号：CN105970608A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201610412592.7
申请日：2016-06-13
Applicant: 东南大学
IPC: D06M11/74 , D06M101/40
CPC classification number: D06M11/74 , D06M2101/40
Abstract: 本发明涉及一种基于浆料涂覆法制备碳化钛包覆碳纤维材料的方法，属于材料制备领域。本发明采用浆料涂覆法在碳纤维表面均匀涂覆一层钛粉，然后采用无压烧结的方法使钛粉在碳纤维表面发生原位反应，在碳纤维表面生成一层或多层碳化钛。该制备方法方便、快捷、成本低廉，制备出来的碳化钛包覆碳纤维材料表面碳化钛厚度均匀，颗粒处于纳米级别，可用于增强材料、吸波材料、磁屏蔽材料和增强热传导材料等。
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公开(公告)号：CN105777127A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201610113861.X
申请日：2016-02-29
Applicant: 东南大学
IPC: C04B35/56 , C04B35/626
CPC classification number: C04B35/56 , C04B35/626 , C04B2235/40 , C04B2235/404 , C04B2235/425
Abstract: 一种高纯Ti2SnC金属性陶瓷粉体的制备方法，以Ti、Sn和C粉为原料，按Ti∶Sn∶C＝2∶(1～1.2)∶1的摩尔比混合1～100小时后，加热处理。在保护性气氛或真空环境下，900～1500℃加热保温10～200分钟，即可得到高纯度Ti2SnC粉体。该方法具有：所用设备简单，合成Ti2SnC粉体时间短，纯度高，无Ti2C杂质存在，适合大规模生产应用。
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