一种具有功率检测的高线性度高功率的GaAs HBT功率放大器

    公开(公告)号:CN119788006A

    公开(公告)日:2025-04-08

    申请号:CN202411869388.9

    申请日:2024-12-18

    Abstract: 本发明公开了一种具有功率检测的高线性度高功率的GaAs HBT功率放大器,包括射频通路、偏置模块和功率检测电路;射频通路用于对射频信号进行功率放大,并利用负反馈网络提高稳定性并扩展带宽、二次谐波抑制提高整体线性度;偏置电路用于为三级放大电路提供随输入功率动态改变的偏置电压,以解决GaAs HBT晶体管大功率输入下因自热效应导致的线性度恶化和电流不稳定问题,改善了功率放大器的幅度‑幅度失真和幅度‑相位失真;功率检测电路用于输出与输出功率成正相关的直流电压,以实现对功率放大器输出功率的精准控制。本发明充分结合负反馈、动态偏置和谐波抑制技术,有效提高了放大器整体线性度。

    一种应用毫米波通信的三维微同轴结构耦合滤波器

    公开(公告)号:CN117832791A

    公开(公告)日:2024-04-05

    申请号:CN202311669065.0

    申请日:2023-12-06

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了一种应用毫米波通信的三维微同轴结构耦合滤波器,包括金属接地外壳、信号传输轴线、信号传输线支撑结构和三维微同轴线转共面波导转接口;信号传输轴线通过信号传输线支撑结构悬置在金属接地外壳内部的空气腔体内;信号传输轴线包括分成两列且交错排列的多根金属传输线,所有金属传输线的传输方向一致,相邻金属传输线之间相互耦合。本发明采用耦合线的方式,即射频信号传输线在金属外壳之内悬置且交错耦合,通过控制耦合线长度以及耦合间距可以调节滤波器的电磁特性,有效实现高频、低损耗传输特性;同时,以3D打印技术结合电镀技术为加工手段,在保证高电磁性能的情况下,大大降低了加工成本。

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