公开(公告)号：CN108411265A

公开(公告)日：2018-08-17

申请号：CN201810261975.8

申请日：2018-03-28

Applicant: 东南大学

Inventor： 张旭海 ,  陈龙 ,  郑云西 ,  肖静才 ,  曾宇乔 ,  朱奎 ,  季宝荣 ,  卢倩文 ,  杨志 ,  李娟 ,  蒋建清

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/06 ,  C23C14/08 ,  C23C14/16

CPC classification number: C23C14/35 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/0635 ,  C23C14/0641 ,  C23C14/08 ,  C23C14/165

Abstract: 本发明公开了一种低应力致密涂层制备方法，步骤一.将工件清洗干净，放入真空室抽真空至6X10-4Pa以上，通入惰性气体氩气，偏压为-800V至-1000V，刻蚀所述工件表面10分钟-60分钟；步骤二.通入惰性气体氩气，溅射中间层Ti或Cr，厚度100nm-500nm；步骤三.通入氩氪、氩氙、氪氙或氩氪氙惰性气体的混合气体，溅射所需沉积涂层。在溅射沉积过程，工作气体为氩氪、氩氙或氩氪氙的混合气体，同时控制合理沉积偏压，从而控制涂层应力水平。相对传统的涂层，在获得致密结构条件下，压应力更低，适用于涂层结合性能要求高，涂层厚度大的应用领域。