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公开(公告)号:CN110106551B
公开(公告)日:2021-04-06
申请号:CN201910401737.7
申请日:2019-05-15
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种铜纳米线及其制备方法,该方法包括以下步骤:1)将纯金属Fe、Mn、Cu和S混合,加热获得均匀金属熔液后进行快淬,获得单一相结构的FeMnCuS预合金;2)将单一相结构的FeMnCuS预合金进行腐蚀液腐蚀处理,之后对腐蚀完的溶液过滤,得到残留物;3)对残留物清洗并在惰性气体中干燥,即可获得铜纳米线。该铜纳米线具有 方向生长的单晶结构,其宽度为50~200纳米,长度为10~100μm。
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公开(公告)号:CN108441818A
公开(公告)日:2018-08-24
申请号:CN201810261965.4
申请日:2018-03-28
Applicant: 东南大学
CPC classification number: C23C14/0641 , C23C14/35 , C23C14/5806 , C23C28/04
Abstract: 本发明公开了一种超厚立方AlN薄膜的制备工艺及参数。先采用磁控溅射的方法,在500-700摄氏度范的基底上沉积氮化钛和AlN的多层涂层。沉积过程中衬底温度保持恒定,氮化钛涂层厚度为2-10nm,AlN涂层厚度为1-5nm。再将沉积获得的纳米复合涂层在真空条件下1000-1100摄氏度进行0.5-5小时的热处理,即可获得立方氮化钛-立方AlN的多层涂层。其中单层立方AlN厚度最厚可达5nm,且在1150摄氏度的高温条件下可长期稳定存在。
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公开(公告)号:CN110106551A
公开(公告)日:2019-08-09
申请号:CN201910401737.7
申请日:2019-05-15
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种铜纳米线及其制备方法,该方法包括以下步骤:1)将纯金属Fe、Mn、Cu和S混合,加热获得均匀金属熔液后进行快淬,获得单一相结构的FeMnCuS预合金;2)将单一相结构的FeMnCuS预合金进行腐蚀液腐蚀处理,之后对腐蚀完的溶液过滤,得到残留物;3)对残留物清洗并在惰性气体中干燥,即可获得铜纳米线。该铜纳米线具有 方向生长的单晶结构,其宽度为50~200纳米,长度为10~100μm。
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公开(公告)号:CN108435202A
公开(公告)日:2018-08-24
申请号:CN201810262084.4
申请日:2018-03-28
Applicant: 东南大学
CPC classification number: B01J23/8926 , B01J37/348 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C30B7/12 , C30B29/52 , C30B29/66
Abstract: 本发明公开了一种高催化活性Pt基复合纳米枝晶的制备方法,在K2PtCl4、NiSO4、CuSO4、(NH4)2SO4、Na3C6H5O7和H3BO3的混合溶液中,以铜片、镍片、石墨片或玻碳片为工作电极在溶液中以1.5-3.0A/cm2恒流方式进行100-300秒电化学沉积,可以获得Pt基复合材料。该材料具有纳米枝晶结构,一次枝晶长度约为300-700纳米,二次枝晶尺寸在20-50纳米之间。Pt分布于枝晶表面,并在枝晶尖端富集,形成大量原子级别的台阶。具有该种结构的Pt基复合纳米枝晶对甲醇和甲酸等有机物表现出优异的电化学催化效果。
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公开(公告)号:CN108411265A
公开(公告)日:2018-08-17
申请号:CN201810261975.8
申请日:2018-03-28
Applicant: 东南大学
CPC classification number: C23C14/35 , C23C14/0036 , C23C14/0635 , C23C14/0641 , C23C14/08 , C23C14/165
Abstract: 本发明公开了一种低应力致密涂层制备方法,步骤一.将工件清洗干净,放入真空室抽真空至6X10-4Pa以上,通入惰性气体氩气,偏压为-800V至-1000V,刻蚀所述工件表面10分钟-60分钟;步骤二.通入惰性气体氩气,溅射中间层Ti或Cr,厚度100nm-500nm;步骤三.通入氩氪、氩氙、氪氙或氩氪氙惰性气体的混合气体,溅射所需沉积涂层。在溅射沉积过程,工作气体为氩氪、氩氙或氩氪氙的混合气体,同时控制合理沉积偏压,从而控制涂层应力水平。相对传统的涂层,在获得致密结构条件下,压应力更低,适用于涂层结合性能要求高,涂层厚度大的应用领域。
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公开(公告)号:CN106834763B
公开(公告)日:2018-06-19
申请号:CN201710003629.5
申请日:2017-01-05
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种超黑纳米柱状钴及其制备方法,属于纳米材料制备技术领域,其中包括:1)合成Co含量在10‑20at%,CoMn预合金熔液,并在1300摄氏度以上熔液进行快淬获得单相合金;2)将4‑30摄氏度条件下,将CoMn预合金置于体积浓度为5%‑15%的盐酸溶液中静置50‑180分钟进行脱合金处理;3)将脱合金完的产物取出,分别依次在体积浓度为0.1%,0.01%的盐酸溶液中进行漂洗,时间不超过10秒,再在超纯水中漂洗,时间不超过30s;将漂洗后的产物取出,在惰性气体保护条件下进行干燥即可获得超黑纳米柱状钴。
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