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公开(公告)号：CN114807890A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210484996.2
申请日：2022-05-06
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种具有大温差电动势二维锑化铋的制备方法，所述制备方法为：对密闭管式炉抽真空后，以惰性气体作为载气，在所需压强下将二维锑化铋在低于其熔点的温度下进行退火处理。本发明制备方法能够制得厚度在20nm以下仍具有大温差电动势(塞贝克系数绝对值大于25μV/K)的二维锑化铋，从而实现20nm以下二维锑化铋在便携场景中的应用；本发明通过退火诱导二维锑化铋升华并留下微孔，通过微孔降低低能量载流子浓度，减少低能量载流子对塞贝克系数的负面贡献，从而提高二维锑化铋塞贝克系数的绝对值；并且本发明方法能够通过氩气的流量来控制锑化铋薄膜上微孔的尺寸和数量，从而实现对锑化铋薄膜塞贝克系数的调控。
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公开(公告)号：CN113540333A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110779226.6
申请日：2021-07-09
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于优异电学性能的二维铋薄膜的器件及其制备方法，包括基底和电极。利用电子束蒸镀的工艺首次在纯硅片基底上制备出高导电性能的二维铋薄膜，并通过光刻和电子束蒸镀的工艺在二维铋薄膜上制作出特定形状的电极。该方法工艺可控，可大规模制备高导电性能的二维铋器件，二维铋导电薄膜与基底材料以层状/层状形式复合,使二维铋薄膜具有长平均自由程、高载流子迁移率、高热电转换效率的特征。具有表面平整度高、材料厚度可调、化学性质稳定等优点，且使用寿命长、材料耐久性好。
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公开(公告)号：CN114807890B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202210484996.2
申请日：2022-05-06
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种具有大温差电动势二维锑化铋的制备方法，所述制备方法为：对密闭管式炉抽真空后，以惰性气体作为载气，在所需压强下将二维锑化铋在低于其熔点的温度下进行退火处理。本发明制备方法能够制得厚度在20nm以下仍具有大温差电动势(塞贝克系数绝对值大于25μV/K)的二维锑化铋，从而实现20nm以下二维锑化铋在便携场景中的应用；本发明通过退火诱导二维锑化铋升华并留下微孔，通过微孔降低低能量载流子浓度，减少低能量载流子对塞贝克系数的负面贡献，从而提高二维锑化铋塞贝克系数的绝对值；并且本发明方法能够通过氩气的流量来控制锑化铋薄膜上微孔的尺寸和数量，从而实现对锑化铋薄膜塞贝克系数的调控。
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公开(公告)号：CN117241649A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311268290.3
申请日：2023-09-28
Applicant: 东南大学
IPC: H10N10/01 , H10N10/852
Abstract: 本发明公开了一种具有高功率因子碲化铋薄膜的制备方法，包括如下步骤：(1)利用电子束蒸镀法在衬底上沉积铋薄膜；(2)沿气体流动方向，将铋薄膜置于管式炉下游，将过量碲粉置于管式炉中心位置，抽真空后通入氩气作为载气，过量碲粉挥发使铋薄膜发生碲化反应，得到碲化铋薄膜。本发明方法能够低成本地制得50nm以下仍具有高功率因子(不同厚度下碲化铋薄膜的功率因子均大于5μW·cm‑1·K‑2)的碲化铋薄膜，从而有利于实现50nm以下碲化铋薄膜在便携场景中的应用；本发明通过调整碲化温度和碲粉用量来提高碲化铋薄膜的功率因子，无需后续单独退火处理。
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