-
公开(公告)号：CN119913388A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202510111262.3
申请日：2025-01-23
Applicant: 陕西科技大学
Abstract: 本发明公开了一种碲掺杂的镁锑铋基化合物半导体材料及制备方法及应用，属于半导体材料合成技术领域，本发明采用机械合金化加热压烧结的方法制备了Mg3(Sb,Bi)2基半导体材料，材料结晶性良好，结构致密，可重复性强，所述材料化学式为Mg3.4Bi1.3‑xSb0.7Tex (0≤x≤0.03)，通过优化烧结工艺与元素Te的掺杂，显著提升了Mg3(Sb,Bi)2基半导体材料的热循环稳定性和空气稳定性，循环20次测试电导率下降小于5%且暴露于空气中20天后室温和高温电导率基本不变，从而拓宽了其在实际应用中的温度范围和服役寿命。
-
公开(公告)号：CN119144871B
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202411607151.3
申请日：2024-11-11
Applicant: 中国科学技术大学
IPC: C22C12/00 , C22C1/10 , C25B11/089 , C25B3/26 , C25B3/07
Abstract: 本发明公开了一种金属铋基固溶体合金材料及其制备方法和应用，属于固溶体合金材料技术领域。所述金属铋基固溶体合金材料包括金属铋和掺杂于其中的非金属原子；所述非金属原子选自P、B、S或N。所述金属铋基固溶体合金材料作为催化剂在电催化还原二氧化碳产甲酸时具有优异的甲酸法拉第效率和良好的稳定性。此外，所述金属铋基固溶体合金材料作为催化剂将阴极的电催化二氧化碳还原反应和阳极PET水解产物的氧化反应耦合实现了废塑料的降解和高收率甲酸的生成，具有极大的工业应用前景。
-
公开(公告)号：CN119421760A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202380049152.8
申请日：2023-06-15
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
Abstract: 接合材料包含：作为第1金属的粒子的单一粒子；复合粒子，其具备作为第1金属的粒子的中心核、和覆盖中心核的整个表面的至少一层的由第2金属的微粒构成的被覆层；以及助焊剂，其具有还原剂成分，第1金属与第2金属能够形成金属间化合物，在中心核与被覆层之间存在助焊剂的还原剂成分。
-
公开(公告)号：CN112992456B
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202010782869.1
申请日：2020-08-06
Applicant: 现代自动车株式会社 , 起亚自动车株式会社 , 汉阳大学校ERICA产学协力团
Abstract: 本发明公开了一种Mn‑Bi‑Sb基磁性物质及其制造方法。特别地，Mn‑Bi‑Sb基磁性物质包括形成六方晶体结构的Mn和Bi，并且形成晶体结构的一部分Bi元素被Sb取代，从而改善其磁性。
-
公开(公告)号：CN118720158B
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411226890.8
申请日：2024-09-03
Applicant: 中国科学技术大学
IPC: B22F9/22 , H01M4/36 , H01M4/587 , H01M4/38 , H01M10/052 , H01M10/054 , B22F1/054 , C22C13/02 , C22C12/00 , B82Y30/00
Abstract: 本发明属于碱金属离子二次电池电极材料相关技术领域，提供了用于碱金属离子二次电池的分级多孔碳复合锡锑合金材料，其制备方法为：以含有锡与碱金属的有机金属盐以及含有锑与碱金属的有机金属盐为原料，球磨混合均匀后在还原气氛中高温烧结形成锑锡合金、水溶性碳酸盐和碳的复合物，再经水洗溶解烧结过程中原位形成的碳酸盐以获得多级孔结构，从而得到分级多孔碳复合锡锑合金材料。本发明工艺简单、成本较低，所构建的分级多孔碳复合锡锑合金负极材料可以通用于碱金属（锂、钠、钾）离子二次电池，具有较低且安全的工作电位、优异的循环稳定性和倍率性能。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118516589A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410402975.0
申请日：2024-04-03
Applicant: 洪启集成电路(珠海)有限公司
Abstract: 本发明提供一种Mg3Sb2基热电合金及其制备方法，所述Mg3Sb2基热电合金的化学式为MgaSb0.5Bi1.49Te0.01Yx，a的取值为3‑3.2；其中Mg3Sb2基热电合金为Mg、Sb、Bi、Te和Y经过混合研磨后在一定烧结温度和烧结压力下进行放电等离子体烧结得到。本发明的Mg3Sb2基热电合金中，Bi、Te的掺杂形成Mg3Sb2和Mg3Bi2固溶，从而将ZT值的极点移向室温，并通过Y掺杂在镁空位跨层迁移路径上形成阻碍，使镁空位难以迁移并在晶界处积累，提高载流子迁移效率及室温热电性能。
-
公开(公告)号：CN118284302A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410275871.8
申请日：2024-03-12
Applicant: 太原理工大学
Abstract: 本发明涉及热电器件制备和连接件技术领域，一种提升n型镁锑基热电接头性能的方法，该热电接头的镁锑基是指Mg3Sb2基，以Mg3.2Sb2Y0.05为热电材料，MgxSbyNiz为阻挡层材料，采用放电等离子烧结方法SPS利用Sb、Mg、Y混合粉末和Mg、Sb、Ni混合粉末制备MgxSbyNiz/Mg3.2Sb2Y0.05/MgxSbyNiz结构热电接头，在外加电场和压力场的耦合作用下，实现材料致密化的同时，同步实现阻挡层材料与热电材料之间的扩散反应而形成连接的方法，最后，将制备的热电接头密封于真空中，进行时效处理；其中，x：y：z=（4.3~1.2）：（1~3）：（1~2），Y为稀土元素Y。
-
公开(公告)号：CN114807890B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202210484996.2
申请日：2022-05-06
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种具有大温差电动势二维锑化铋的制备方法，所述制备方法为：对密闭管式炉抽真空后，以惰性气体作为载气，在所需压强下将二维锑化铋在低于其熔点的温度下进行退火处理。本发明制备方法能够制得厚度在20nm以下仍具有大温差电动势(塞贝克系数绝对值大于25μV/K)的二维锑化铋，从而实现20nm以下二维锑化铋在便携场景中的应用；本发明通过退火诱导二维锑化铋升华并留下微孔，通过微孔降低低能量载流子浓度，减少低能量载流子对塞贝克系数的负面贡献，从而提高二维锑化铋塞贝克系数的绝对值；并且本发明方法能够通过氩气的流量来控制锑化铋薄膜上微孔的尺寸和数量，从而实现对锑化铋薄膜塞贝克系数的调控。
-
公开(公告)号：CN117999138A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202280065003.6
申请日：2022-08-05
Applicant: 迪睿合株式会社
Abstract: 提供一种焊料粒子的制造方法，其包括：将焊料粒子以使70％压缩变形时的硬度K值成为850N/mm2以上1,500N/mm2以下的方式进行固化的固化工序，通过分级装置使气流强制地产生，将固化后的焊料粒子进行分级的分级工序。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
658
records
(took 0.014 seconds)
