公开(公告)号：CN108318796B

公开(公告)日：2020-04-10

申请号：CN201711326839.4

申请日：2017-12-12

Applicant: 东南大学 ,  东南大学—无锡集成电路技术研究所

Inventor： 孙伟锋 ,  方炅 ,  魏家行 ,  徐志远 ,  李智超 ,  刘斯扬 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: G01R31/26

Abstract: 一种三端口碳化硅基功率器件界面态测试方法，这种方法可以简单快速的提取三端口碳化硅基功率器件结型场效应区与栅氧层界面处的平均界面态密度，通过在三端口碳化硅基功率器件的栅极外接频率和幅值固定而基压V0变化的脉冲电压或频率和基压V0固定而幅值Vp变化的脉冲电压、源极外接反偏电压的负极、漏极外接反偏电压的正极、漏极外接电流表探测电流且电流表串接于漏极、电压源、源极组成的回路中，可以得到一条电流电压曲线，由电流电压曲线的峰值电流通过公式计算即可得到界面态沿结型场效应区上方的平均分布，同时，通过对比应力前后的测试曲线可判断器件结型场效应区与沟道区上方的栅氧层界面在应力作用下的退化情况。

公开(公告)号：CN108318796A

公开(公告)日：2018-07-24

申请号：CN201711326839.4

申请日：2017-12-12

Applicant: 东南大学 ,  东南大学—无锡集成电路技术研究所

Inventor： 孙伟锋 ,  方炅 ,  魏家行 ,  徐志远 ,  李智超 ,  刘斯扬 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: G01R31/26

Abstract: 一种三端口碳化硅基功率器件界面态测试方法，这种方法可以简单快速的提取三端口碳化硅基功率器件结型场效应区与栅氧层界面处的平均界面态密度，通过在三端口碳化硅基功率器件的栅极外接频率和幅值固定而基压V0变化的脉冲电压或频率和基压V0固定而幅值Vp变化的脉冲电压、源极外接反偏电压的负极、漏极外接反偏电压的正极、漏极外接电流表探测电流且电流表串接于漏极、电压源、源极组成的回路中，可以得到一条电流电压曲线，由电流电压曲线的峰值电流通过公式计算即可得到界面态沿结型场效应区上方的平均分布，同时，通过对比应力前后的测试曲线可判断器件结型场效应区与沟道区上方的栅氧层界面在应力作用下的退化情况。

公开(公告)号：CN107180865A

公开(公告)日：2017-09-19

申请号：CN201710530001.0

申请日：2017-06-30

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  李胜 ,  徐志远 ,  杨卓 ,  张小双 ,  刘斯扬 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331

Abstract: 一种低噪声低损耗绝缘栅双极型晶体管，包括：底部设有集电极金属电极的P型衬底，在P型衬底上方设有N型缓冲层，N型缓冲层上设有N型外延层，在N型外延层内设有一维阵列分布的P型体区，并在其中设有重掺杂N型发射区，在P型体区与N型外延层之间设有N型载流子存储层，所述晶体管还包括按一维阵列分布的侧壁覆盖有隔离氧化层的沟槽，各个沟槽横向贯穿各P型体区、重掺杂N型发射区及N型外延层，在沟槽内设有和金属层相连的二极管，在各沟槽下方分别设有重掺杂P阱；在位于相邻沟槽之间的N型外延层的上方分别设有栅氧化层，在栅氧化层上方覆盖有多晶硅栅极；将各个重掺杂N型发射区、P型体区和第二金属连接层连接，作为器件的发射极。

公开(公告)号：CN107180865B

公开(公告)日：2020-01-07

申请号：CN201710530001.0

申请日：2017-06-30

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  李胜 ,  徐志远 ,  杨卓 ,  张小双 ,  刘斯扬 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331

Abstract: 一种低噪声低损耗绝缘栅双极型晶体管，包括：底部设有集电极金属电极的P型衬底，在P型衬底上方设有N型缓冲层，N型缓冲层上设有N型外延层，在N型外延层内设有一维阵列分布的P型体区，并在其中设有重掺杂N型发射区，在P型体区与N型外延层之间设有N型载流子存储层，所述晶体管还包括按一维阵列分布的侧壁覆盖有隔离氧化层的沟槽，各个沟槽横向贯穿各P型体区、重掺杂N型发射区及N型外延层，在沟槽内设有和金属层相连的二极管，在各沟槽下方分别设有重掺杂P阱；在位于相邻沟槽之间的N型外延层的上方分别设有栅氧化层，在栅氧化层上方覆盖有多晶硅栅极；将各个重掺杂N型发射区、P型体区和第二金属连接层连接，作为器件的发射极。

公开(公告)号：CN107910357A

公开(公告)日：2018-04-13

申请号：CN201711007210.3

申请日：2017-10-24

Applicant: 东南大学

Inventor： 刘斯扬 ,  戴志刚 ,  吴其祥 ,  叶然 ,  徐志远 ,  孙伟锋 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

Abstract: 一种低导通电阻功率半导体器件，其特征在于，在P型体区内横向设有凹槽且所述凹槽向N型漂移区延伸、经过高压N型区后进入N型漂移区，最终止于浅槽隔离区的边界，在P型体区的表面以及凹槽的底部和侧壁依次注硼、注磷、生长二氧化硅层1和二氧化硅层2，并分别由此形成P型源区、N源型区，隔离氧化层和栅氧化层，在P型源区的表面及N型源区的一部分表面上设有源极金属接触，在栅氧化层的表面设有多晶硅栅极，所述多晶硅栅极的中间部分向下延伸至凹槽底部的栅氧化层的上表面，所述隔离氧化层将源极金属接触和多晶硅栅极隔开。本发明结构与传统的功率半导体器件相比，在保持较高的击穿电压的同时，能得到极低的导通电阻，并具有较高的可靠性。