公开(公告)号：CN119153489A

公开(公告)日：2024-12-17

申请号：CN202310715151.4

申请日：2023-06-15

Applicant: 东南大学 ,  无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 张龙 ,  马杰 ,  张森 ,  刘斯扬 ,  孙媛 ,  何乃龙 ,  温宏扬 ,  刘新新 ,  孙伟锋

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/205 ,  H01L21/335 ,  H01L29/778

Abstract: 本发明涉及一种氮化镓功率器件及其制备方法，所述器件包括耐压区，耐压区包括第一导电类型掺杂区、第二导电类型掺杂区、多个电阻结构、多个导电结构、漏极掺杂区及第一漏电极。第一导电类型掺杂区和第二导电类型掺杂区设于衬底中，各电阻结构设于衬底上；每个导电结构的两端各连接一电阻结构，从而将各电阻结构串联连接；一导电结构的底部与第二导电类型掺杂区电性连接，其余电阻结构的底部与所述第一导电类型掺杂区电性连接。漏极掺杂区，设于衬底中，第一导电类型掺杂区位于第二导电类型掺杂区与漏极掺杂区之间；第一漏电极设于漏极掺杂区上，第一漏电极的底部与漏极掺杂区电性连接。本发明极大地提高了器件的雪崩能力，消除了衬偏效应。

公开(公告)号：CN118645534A

公开(公告)日：2024-09-13

申请号：CN202410842839.3

申请日：2024-06-27

Applicant: 东南大学

Inventor： 刘斯扬 ,  张龙 ,  顾勇 ,  温宏扬 ,  孙伟锋 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/417 ,  H01L29/08 ,  H01L23/373 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

Abstract: 为提高器件的单粒子效应触发电压，本发明提供一种抗辐照的碳化硅LDMOS器件及制备方法，器件包括衬底、外延层，沟道掺杂区、沟道注入区、沟道欧姆接触区、源极掺杂区及漏极掺杂区，金属沟槽，栅氧介质层，多晶硅、层间介质及源、漏金属电极。漏极掺杂区在器件表面横向上呈长短不一的矩形台阶状分布，增大了漏极掺杂区与外延层的接触面积，分散漏极电流。金属沟槽置于漏极掺杂区横向较短的区域以下，将电流吸引至包裹金属沟槽的漏极掺杂区处，避免电流在器件表面集中。方法是获取衬底，生长外延层，刻蚀沟槽，离子注入形成不同类型掺杂区，生长栅氧介质层，淀积多晶硅，淀积层间介质并刻蚀，淀积金属并刻蚀形成金属沟槽及金属电极。

公开(公告)号：CN118016663A

公开(公告)日：2024-05-10

申请号：CN202410191179.7

申请日：2024-02-21

Applicant: 东南大学

Inventor： 张龙 ,  顾勇 ,  马杰 ,  温宏扬 ,  刘斯扬 ,  孙伟锋 ,  时龙兴

IPC: H01L27/06 ,  H01L21/762 ,  H01L29/06 ,  H01L21/82

Abstract: 一种基于N外延的碳化硅器件隔离结构、高低压集成器件及制备方法，隔离结构包括N型衬底，N型漂移区，内部淀积氧化物的第一隔离沟槽和第二隔离沟槽以形成高压区域、低压区域和电平移位区域，在低压区域和电平移位区域底部设有第二P型掺杂区，在低压区域第二P型掺杂区上设有第二N型掺杂区，所述N型漂移区、低压区域的第二P型掺杂区及第二N型掺杂区构成背靠背的PN结；集成器件的高压区域设有DMOS器件用作功率器件，低压区域设有低压器件用作半桥驱动、保护电路，电平移位区域设有LDMOS器件用以控制驱动电路衬底电位；还包括一种集成器件的制备方法。本发明消除碳化硅高低压器件间的电位影响，提高了碳化硅半桥驱动电路的性能与可靠性。