公开(公告)号：CN110890459A

公开(公告)日：2020-03-17

申请号：CN201910204594.0

申请日：2019-03-18

Applicant: 东芝存储器株式会社 ,  SK ,  海力士公司

Inventor： 李永珉 ,  李泰荣 ,  泽田和也 ,  北川英二 ,  矶田大河 ,  及川忠昭 ,  吉野健一

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12 ,  H01L27/22

Abstract: 本发明提供磁装置，一实施方式的磁装置具备磁阻效应元件。磁阻效应元件包括：具有铁磁性的第1结构体；具有铁磁性的第2结构体；及设置于所述第1结构体与所述第2结构体之间的第1非磁性体。所述第1结构体及所述第2结构体经由所述第1非磁性体而反铁磁性地耦合。所述第1结构体包括第1铁磁性氮化物。

公开(公告)号：CN108630805A

公开(公告)日：2018-10-09

申请号：CN201710845287.1

申请日：2017-09-19

Applicant: 东芝存储器株式会社 ,  SK ,  海力士公司

Inventor： 及川忠昭 ,  永濑俊彦 ,  李永珉 ,  渡边大辅 ,  泽田和也 ,  吉野健一 ,  大鸟博之 ,  金亮坤 ,  郑求烈 ,  林钟久 ,  李哉衡 ,  徐秀万 ,  郑星雄 ,  李泰荣

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  G11C11/16

CPC classification number: H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

Abstract: 根据一个实施例，磁存储装置包括磁阻元件，该磁阻元件包括具有可变磁化方向的第一磁性层(20)、具有固定磁化方向的第二磁性层(40)、以及设置在第一磁性层(20)和第二磁性层(40)之间的非磁性层(30)。第一磁性层(20)包括第一子磁性层和第二子磁性层(21，22)，每个至少包含铁(Fe)和硼(B)，以及在第一子磁性层(21)中包含的硼(B)的浓度与在第二子磁性层(22)中包含的硼(B)的浓度不同。

公开(公告)号：CN110010756A

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201811468366.6

申请日：2018-12-03

Applicant: 爱思开海力士有限公司 ,  东芝存储器株式会社

Inventor： 李泰荣 ,  李哉衡 ,  郑星雄 ,  北川英二

IPC: H01L43/02 ,  H01L43/10 ,  H01L43/08

Abstract: 一种电子设备可以包括半导体存储器，该半导体存储器可以包括：第一磁性层；第二磁性层；以及间隔层，其介于第一磁性层与第二磁性层之间，其中，间隔层包括第一层、第二层以及介于第一层与第二层之间的中间层，其中，第一层和第二层中的每个层包括氧化物或氮化物，或者氧化物与氮化物的组合，中间层包括包含[Ru/x]n或[x/Ru]n的多层结构，其中x包括金属、氧化物或氮化物，或者金属、氧化物和氮化物的组合，且其中n表示1或更大的整数。

公开(公告)号：CN110890459B

公开(公告)日：2024-01-09

申请号：CN201910204594.0

申请日：2019-03-18

Applicant: 铠侠股份有限公司 ,  SK ,  海力士公司

Inventor： 李永珉 ,  李泰荣 ,  泽田和也 ,  北川英二 ,  矶田大河 ,  及川忠昭 ,  吉野健一

IPC: H10N50/10 ,  H10N50/85 ,  H10N50/01 ,  H10B61/00

Abstract: 本发明提供磁装置，一实施方式的磁装置具备磁阻效应元件。磁阻效应元件包括：具有铁磁性的第1结构体；具有铁磁性的第2结构体；及设置于所述第1结构体与所述第2结构体之间的第1非磁性体。所述第1结构体及所述第2结构体经由所述第1非磁性体而反铁磁性地耦合。所述第1结构体包括第1铁磁性氮化物。

公开(公告)号：CN108630805B

公开(公告)日：2022-06-03

申请号：CN201710845287.1

申请日：2017-09-19

Applicant: 铠侠股份有限公司 ,  SK 海力士公司

Inventor： 及川忠昭 ,  永濑俊彦 ,  李永珉 ,  渡边大辅 ,  泽田和也 ,  吉野健一 ,  大鸟博之 ,  金亮坤 ,  郑求烈 ,  林钟久 ,  李哉衡 ,  徐秀万 ,  郑星雄 ,  李泰荣

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  G11C11/16

Abstract: 根据一个实施例，磁存储装置包括磁阻元件，该磁阻元件包括具有可变磁化方向的第一磁性层(20)、具有固定磁化方向的第二磁性层(40)、以及设置在第一磁性层(20)和第二磁性层(40)之间的非磁性层(30)。第一磁性层(20)包括第一子磁性层和第二子磁性层(21，22)，每个至少包含铁(Fe)和硼(B)，以及在第一子磁性层(21)中包含的硼(B)的浓度与在第二子磁性层(22)中包含的硼(B)的浓度不同。

公开(公告)号：CN112725210B

公开(公告)日：2024-04-02

申请号：CN202011053020.7

申请日：2020-09-29

Applicant: SK新技术株式会社

Inventor： 朴宰演 ,  李泰荣 ,  李气成

IPC: C12N1/19 ,  C12N15/53 ,  C12N9/04 ,  C12N15/113 ,  C12P7/56 ,  C12R1/645

Abstract: 本发明公开了一种使用重组耐酸酵母生产乳酸的方法，该酵母抑制乳酸代谢和乙醇的产生。更具体地，公开了一种重组耐酸酵母，其减少了乳酸消耗反应并且被赋予了乳酸产生能力，从而表现出提高乳酸的产生并降低乙醇的产生的能力，并公开了使用该重组耐酸酵母生产乳酸的方法。

公开(公告)号：CN112639104A

公开(公告)日：2021-04-09

申请号：CN201980039165.0

申请日：2019-02-28

Applicant: SK新技术株式会社

Inventor： 朴宰演 ,  李泰荣 ,  李气成 ,  欧蒂·科威斯托仁 ,  卡利·科乌兰塔

IPC: C12N15/81 ,  C12N15/67 ,  C12N9/04 ,  C12N9/02 ,  C07K14/39 ,  C12P7/40

Abstract: 本发明涉及用于调控耐有机酸的酵母中ADH基因表达的新型启动子，以及通过使用该启动子表达与有机酸产生相关的基因来生产有机酸的方法。当使用根据本发明的新型启动子在耐有机酸的酵母中表达与有机酸产生相关的靶基因时，由于耐有机酸，菌株的生长能力不受抑制并且以高产率产生有机酸。

公开(公告)号：CN112789353B

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN201980065667.0

申请日：2019-09-23

Applicant: SK新技术株式会社

Inventor： 朴宰演 ,  李泰荣 ,  李气成

IPC: C12N15/63 ,  C12N9/04 ,  C12N9/88 ,  C12N15/52 ,  C12P7/56

Abstract: 本发明涉及耐酸酵母，其被赋予了乳酸产生能力，其中丙酮酸盐向乙醛的转化被抑制，因此乙醇的产生途径受到抑制。本发明还涉及使用该耐酸酵母制备乳酸的方法。

公开(公告)号：CN112639104B

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN201980039165.0

申请日：2019-02-28

Applicant: SK新技术株式会社

Inventor： 朴宰演 ,  李泰荣 ,  李气成 ,  欧蒂·科威斯托仁 ,  卡利·科乌兰塔

IPC: C12N15/81 ,  C12N15/67 ,  C12N9/04 ,  C12N9/02 ,  C07K14/39 ,  C12P7/40

Abstract: 本发明涉及用于调控耐有机酸的酵母中ADH基因表达的新型启动子，以及通过使用该启动子表达与有机酸产生相关的基因来生产有机酸的方法。当使用根据本发明的新型启动子在耐有机酸的酵母中表达与有机酸产生相关的靶基因时，具有的优点在于，该酵母可以在对有机酸具有耐性、该酵母的生长能力不受抑制的同时以高产率产生有机酸。

公开(公告)号：CN114832612A

公开(公告)日：2022-08-02

申请号：CN202210025284.4

申请日：2022-01-11

Applicant: SK新技术株式会社

Inventor： 罗莲花 ,  宋在亮 ,  李泰荣 ,  郑在钦 ,  金泰完

IPC: B01D53/84 ,  B01D53/50 ,  B01D53/56 ,  B01D53/62

Abstract: 本发明涉及一种减少二氧化碳和空气污染物的方法，更具体地，涉及一种同时减少二氧化碳和空气污染物的排放的方法，其中含有二氧化碳、SOx和NOx的废气通过硫氧化微生物反应器，从而将废气中存在的二氧化碳转化为生物质，将SOx转化为硫酸根离子，并将NOx转化为氨基‑N。