公开(公告)号：CN110890459A

公开(公告)日：2020-03-17

申请号：CN201910204594.0

申请日：2019-03-18

Applicant: 东芝存储器株式会社 ,  SK ,  海力士公司

Inventor： 李永珉 ,  李泰荣 ,  泽田和也 ,  北川英二 ,  矶田大河 ,  及川忠昭 ,  吉野健一

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12 ,  H01L27/22

Abstract: 本发明提供磁装置，一实施方式的磁装置具备磁阻效应元件。磁阻效应元件包括：具有铁磁性的第1结构体；具有铁磁性的第2结构体；及设置于所述第1结构体与所述第2结构体之间的第1非磁性体。所述第1结构体及所述第2结构体经由所述第1非磁性体而反铁磁性地耦合。所述第1结构体包括第1铁磁性氮化物。

公开(公告)号：CN111697126A

公开(公告)日：2020-09-22

申请号：CN201910686879.2

申请日：2019-07-29

Applicant: 东芝存储器株式会社

Inventor： 及川忠昭 ,  李永珉 ,  泽田和也 ,  吉野健一 ,  北川英二 ,  矶田大河

IPC: H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  G11C11/16

Abstract: 实施方式提供一种能够使性能提高的磁阻元件以及磁存储装置。实施方式的磁阻元件包括：第1磁性层(14)，其具有不变的磁化方向；非磁性层(15)，其设在第1磁性层(14)上；第2磁性层(16)，其设在非磁性层(15)上，具有可变的磁化方向，包含稀土类元素；第3磁性层(17)，其设在第2磁性层(16)上，由钴构成；以及氧化物层(18)，其设在第3磁性层(17)上。

公开(公告)号：CN110896127A

公开(公告)日：2020-03-20

申请号：CN201910056355.5

申请日：2019-01-22

Applicant: 东芝存储器株式会社

Inventor： 北川英二 ,  李永珉 ,  及川忠昭 ,  吉野健一 ,  泽田和也 ,  矶田大河

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L27/22

Abstract: 本公开提供一种存储装置。实施方式的存储装置包括电阻变化元件，所述电阻变化元件包含层叠体，该层叠体包含第一铁磁性体、第二铁磁性体、以及设置于所述第一铁磁性体与所述第二铁磁性体之间的包含硼添加稀土类氧化物的第一非磁性体。

公开(公告)号：CN111725389A

公开(公告)日：2020-09-29

申请号：CN201910732600.X

申请日：2019-08-09

Applicant: 东芝存储器株式会社

Inventor： 泽田和也 ,  李永珉 ,  及川忠昭 ,  吉野健一 ,  北川英二 ,  矶田大河

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01F10/28 ,  H01F10/32

Abstract: 实施方式提供一种能够提高器件的特性的磁性器件。实施方式的磁性器件包括：设置于基板(80)的上方的第1磁性体(12A)；基板(80)与第1磁性体(12A)之间的第2磁性体(11A)；第1磁性体(12A)与第2磁性体(11A)之间的非磁性体(13A)；设置于基板(80)与第2磁性体(11A)之间并包括非晶层的第1层(199A)；以及设置于第1层(199A)与第2磁性体(11A)之间并包括结晶层的第2层(190A)。

公开(公告)号：CN110010756A

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201811468366.6

申请日：2018-12-03

Applicant: 爱思开海力士有限公司 ,  东芝存储器株式会社

Inventor： 李泰荣 ,  李哉衡 ,  郑星雄 ,  北川英二

IPC: H01L43/02 ,  H01L43/10 ,  H01L43/08

Abstract: 一种电子设备可以包括半导体存储器，该半导体存储器可以包括：第一磁性层；第二磁性层；以及间隔层，其介于第一磁性层与第二磁性层之间，其中，间隔层包括第一层、第二层以及介于第一层与第二层之间的中间层，其中，第一层和第二层中的每个层包括氧化物或氮化物，或者氧化物与氮化物的组合，中间层包括包含[Ru/x]n或[x/Ru]n的多层结构，其中x包括金属、氧化物或氮化物，或者金属、氧化物和氮化物的组合，且其中n表示1或更大的整数。

公开(公告)号：CN115117231A

公开(公告)日：2022-09-27

申请号：CN202111083938.0

申请日：2021-09-14

Applicant: 铠侠股份有限公司 ,  SK 海力士公司

Inventor： 及川忠昭 ,  李永珉 ,  北川英二 ,  泽田和也 ,  矶田大河 ,  郑求烈 ,  郑镇源

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L27/22

Abstract: 根据一实施例，磁存储装置具备层叠构造，该层叠构造包括：第1磁性层，具有可变的磁化方向；第2磁性层，具有固定的磁化方向；非磁性层，设置于所述第1磁性层与所述第2磁性层之间；及氧化物层，与所述第1磁性层相邻，所述第1磁性层设置于所述非磁性层与所述氧化物层之间，所述氧化物层含有稀土类元素、硼即B及氧即O。

公开(公告)号：CN110890459B

公开(公告)日：2024-01-09

申请号：CN201910204594.0

申请日：2019-03-18

Applicant: 铠侠股份有限公司 ,  SK ,  海力士公司

Inventor： 李永珉 ,  李泰荣 ,  泽田和也 ,  北川英二 ,  矶田大河 ,  及川忠昭 ,  吉野健一

IPC: H10N50/10 ,  H10N50/85 ,  H10N50/01 ,  H10B61/00

Abstract: 本发明提供磁装置，一实施方式的磁装置具备磁阻效应元件。磁阻效应元件包括：具有铁磁性的第1结构体；具有铁磁性的第2结构体；及设置于所述第1结构体与所述第2结构体之间的第1非磁性体。所述第1结构体及所述第2结构体经由所述第1非磁性体而反铁磁性地耦合。所述第1结构体包括第1铁磁性氮化物。

公开(公告)号：CN115117232A

公开(公告)日：2022-09-27

申请号：CN202111083939.5

申请日：2021-09-14

Applicant: 铠侠股份有限公司 ,  SK 海力士公司

Inventor： 及川忠昭 ,  李永珉 ,  北川英二 ,  矶田大河 ,  郑求烈 ,  郑镇源

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L27/22

Abstract: 根据一实施例，磁存储装置具备层叠构造，该层叠构造包括：第1磁性层，具有固定的磁化方向；第2磁性层，具有可变的磁化方向；非磁性层，设置于所述第1磁性层与所述第2磁性层之间；钼层即Mo层，相对于所述第2磁性层设置于所述非磁性层的相反侧；及氧化物层，设置于所述第2磁性层与所述钼层即Mo层之间，含有从稀土类元素、硅即Si及铝即Al中选择出的预定元素。

公开(公告)号：CN114649470A

公开(公告)日：2022-06-21

申请号：CN202110876577.9

申请日：2021-07-30

Applicant: 铠侠股份有限公司 ,  SK 海力士公司

Inventor： 矶田大河 ,  李永珉 ,  及川忠昭 ,  北川英二 ,  泽田和也 ,  郑镇源 ,  郭重赫

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L27/22

Abstract: 本公开涉及磁存储装置。一个实施方式的磁存储装置具备：第1铁磁性层；第1铁磁性层的上方的绝缘层；绝缘层的上方的第2铁磁性层；第2铁磁性层的上方的、包含含有铁的合金的氧化物的第3铁磁性层；及第3铁磁性层的上方的、包含铁及5d过渡金属的第4铁磁性层。