-
公开(公告)号：CN106611809B
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201710018987.3
申请日：2017-01-11
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司
Abstract: 一种用于GaN生长的具有隔离保护层的复合衬底制备方法，包括以下步骤：在蓝宝石衬底上外延生长GaN外延层得到蓝宝石基GaN复合衬底；在蓝宝石基GaN复合衬底上的GaN外延层表面制备隔离保护层，使用粘接剂将隔离保护层连接到临时转移衬底上，去除原蓝宝石衬底；在GaN外延层和导热导电转移衬底上分别制备键合介质层，然后通过该键合介质层将GaN外延层和导热导电转移衬底进行键合，实现GaN外延层表面与导热导电转移衬底的键合；键合过程中临时转移衬底脱落，保留或者去除隔离保护层，从而得到相应的GaN基复合衬底。本发明通过设置隔离保护层，避免了工艺过程中GaN外延层的表面损伤，提高良品率和同质外延质量。
-
公开(公告)号：CN107221496A
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201710384470.6
申请日：2017-05-26
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司
IPC: H01L21/306 , H01L33/00
Abstract: 一种氮化物材料激光剥离后的表面处理方法，包括以下步骤：通过激光剥离方式制备得到氮化物复合衬底或者氮化物单晶衬底；选择一腔室，往该腔室中填充具有挥发性的腐蚀液体，将氮化物复合衬底或者氮化物单晶衬底放入该腔室中的液面上方，对腔室进行密封处理使该腔室形成密闭的腔室，放置预定时间T，利用腐蚀液体挥发产生的气氛对氮化物复合衬底或者氮化物单晶衬底的激光剥离后的表面进行腐蚀处理；对腔室中的氮化物复合衬底或氮化物单晶衬底进行清洗、吹干，完成对激光剥离表面的气氛腐蚀处理。本发明利用气氛腐蚀方法对剥离后的氮化物表面进行处理，去除剥离表面上残余的金属等杂质，改善剥离表面的成份和粗糙度，提高后期同质外延效果和芯片性能。
-
公开(公告)号：CN106611809A
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201710018987.3
申请日：2017-01-11
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L33/007 , H01L33/10
Abstract: 一种用于GaN生长的具有隔离保护层的复合衬底制备方法，包括以下步骤：在蓝宝石衬底上外延生长GaN外延层得到蓝宝石基GaN复合衬底；在蓝宝石基GaN复合衬底上的GaN外延层表面制备隔离保护层，使用粘接剂将隔离保护层连接到临时转移衬底上，去除原蓝宝石衬底；在GaN外延层和导热导电转移衬底上分别制备键合介质层，然后通过该键合介质层将GaN外延层和导热导电转移衬底进行键合，实现GaN外延层表面与导热导电转移衬底的键合；键合过程中临时转移衬底脱落，保留或者去除隔离保护层，从而得到相应的GaN基复合衬底。本发明通过设置隔离保护层，避免了工艺过程中GaN外延层的表面损伤，提高良品率和同质外延质量。
-
公开(公告)号：CN107221496B
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201710384470.6
申请日：2017-05-26
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司
IPC: H01L21/306 , H01L33/00
Abstract: 一种氮化物材料激光剥离后的表面处理方法，包括以下步骤：通过激光剥离方式制备得到氮化物复合衬底或者氮化物单晶衬底；选择一腔室，往该腔室中填充具有挥发性的腐蚀液体，将氮化物复合衬底或者氮化物单晶衬底放入该腔室中的液面上方，对腔室进行密封处理使该腔室形成密闭的腔室，放置预定时间T，利用腐蚀液体挥发产生的气氛对氮化物复合衬底或者氮化物单晶衬底的激光剥离后的表面进行腐蚀处理；对腔室中的氮化物复合衬底或氮化物单晶衬底进行清洗、吹干，完成对激光剥离表面的气氛腐蚀处理。本发明利用气氛腐蚀方法对剥离后的氮化物表面进行处理，去除剥离表面上残余的金属等杂质，改善剥离表面的成份和粗糙度，提高后期同质外延效果和芯片性能。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.032 seconds)
