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公开(公告)号：CN106531862B
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201611184509.1
申请日：2016-12-20
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司
Abstract: 一种GaN基复合衬底的制备方法，该GaN基复合衬底由下往上依次包括导热导电转移衬底、键合介质层及GaN基外延薄膜，包括以下步骤：在蓝宝石衬底上外延生长GaN基外延薄膜得到蓝宝石GaN基复合衬底；然后在GaN基外延薄膜表面和导热导电转移衬底上分别制备键合介质层，接着将GaN基外延薄膜与导热导电转移衬底键合在一起；再去除蓝宝石衬底后得到GaN基复合衬底，在GaN基外延薄膜转移前、转移过程中和转移后选择性进行表面处理。本发明既兼顾以往转移实现的复合衬底具备的同质外延及可直接制备垂直结构器件的优点，又具有低应力状态和高温稳定性，能有效提高后续的GaN外延生长及芯片制备的质量。
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公开(公告)号：CN107221496A
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201710384470.6
申请日：2017-05-26
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司
IPC: H01L21/306 , H01L33/00
Abstract: 一种氮化物材料激光剥离后的表面处理方法，包括以下步骤：通过激光剥离方式制备得到氮化物复合衬底或者氮化物单晶衬底；选择一腔室，往该腔室中填充具有挥发性的腐蚀液体，将氮化物复合衬底或者氮化物单晶衬底放入该腔室中的液面上方，对腔室进行密封处理使该腔室形成密闭的腔室，放置预定时间T，利用腐蚀液体挥发产生的气氛对氮化物复合衬底或者氮化物单晶衬底的激光剥离后的表面进行腐蚀处理；对腔室中的氮化物复合衬底或氮化物单晶衬底进行清洗、吹干，完成对激光剥离表面的气氛腐蚀处理。本发明利用气氛腐蚀方法对剥离后的氮化物表面进行处理，去除剥离表面上残余的金属等杂质，改善剥离表面的成份和粗糙度，提高后期同质外延效果和芯片性能。
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公开(公告)号：CN105514231A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201410498134.0
申请日：2014-09-25
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于GaN生长的低应力状态复合衬底,包括一熔点大于1000℃的导热导电衬底、位于该衬底上的高熔点导热导电键合介质层、GaN单晶外延层、以及在导热导电衬底背面制备的应力补偿层。其中GaN外延片与导热导电衬底是用高温扩散键合技术键合在一起的。本发明制备的复合衬底，既兼顾以往转移实现的复合衬底具备的同质外延及可直接制备垂直结构器件的优点，又具有低应力状态和高温稳定性，能有效提高后续的GaN外延生长及芯片制备的质量。
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公开(公告)号：CN105514224A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201410500175.9
申请日：2014-09-25
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于GaN生长的低应力状态复合衬底的制备方法。先在蓝宝石衬底上制备GaN单晶外延层；并在高熔点的导热导电转移衬底背面沉积应力补偿层；然后在GaN外延膜及转移衬底表面分别制备高熔点的键合介质层；之后用高温扩散键合技术将GaN外延片与该导热导电衬底键合在一起；最后用衬底剥离技术剥离蓝宝石衬底；则得到可用于GaN生长的高温下稳定且低应力状态的复合衬底。本发明制备的复合衬底，既兼顾以往转移实现的复合衬底具备的同质外延及可直接制备垂直结构器件的优点，又具有低应力状态和高温稳定性，能有效提高后续的GaN外延生长及芯片制备的质量。
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公开(公告)号：CN103094175B
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201210559456.2
申请日：2012-12-21
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 , 北京大学
IPC: H01L21/687
Abstract: 本发明公开了一种晶片专用三夹头夹具，通过夹臂减小三夹头之间的间距，三夹头仅与样品侧边缘接触而不直接接触晶面即可完成夹持操作。本发明包含有夹臂、三个夹头，夹臂末端设有夹头，其中一个夹臂上安装1或2个夹头，夹具设有3条或2条夹臂，各夹臂间相互连接，夹臂间相互连接处在夹臂中部或夹臂首端。本发明通过夹头与夹臂的巧妙组合，避免夹头与晶片正面的直接接触，从而减少晶面的接触源并避免了夹头直接施力于晶面易导致晶面被划伤、污染等问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102797034B
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201210309119.8
申请日：2012-08-27
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 , 北京大学
Abstract: 本发明公开一种适用于GaN材料外延产业化的托舟，解决氮化镓半导体材料外延过程中副产物生成过快，导致系统维护频率高的难题。本发明包含有托舟，托舟四周设计有高低不同凸起的侧壁，反应物被喷洒在侧壁内侧，托舟底部设有数层可拆开的分层结构，托舟底部的衬底层上设有复数用于放置衬底的衬底槽，在托舟各层设置位于流道隔壁中的流道，托舟设计有数个尾气出口，尾气出口连接对应的尾气管道。本发明实现了控制副产物生成位置，使副产物生长在托舟内部，以清理托舟方式来降低系统清理频率，有利于实现生长氮化镓材料的产业化。
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公开(公告)号：CN103789823A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201410028993.3
申请日：2014-01-22
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 , 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种氮化物半导体材料气相外延（HVPE）用反应器设计。包括轴对称圆柱型反应腔体、同心圆环喷头、加热器、石墨舟及衬底等；石墨舟及衬底采用电阻丝或红外光照射加热；所述腔体底端外壁的切向设置三至六个矩形横截面的气体出口通道；在该出口通道与腔体内壁之间设置一同心圆环缓冲带；在该出口通道外围设置一同心圆环集流通道；所述各出口通道与集流通道均贯通。本发明反应器设计，使反应物气体在衬底有效生长区域形成一种微旋流，从而显著改善外延生长厚度及其组分均匀性；因省去现有反应器中的石墨舟旋转装置及附属组件，既简化装置、节能、便于维护，还去除旋转运动不稳定对外延生长的不利影响。
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公开(公告)号：CN103305908A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201210068026.0
申请日：2012-03-14
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司
CPC classification number: H01L29/2003 , C30B25/183 , C30B29/406 , H01L21/187 , H01L21/2007 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/02 , H01L33/32 , H01L33/405 , H01L2933/0083 , Y10T428/24612 , Y10T428/24967 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明公开了一种用于GaN生长的复合衬底，包括一熔点大于1000℃的导热导电层和位于该导热导电层上的GaN单晶层，导热导电层与GaN单晶层之间通过范德瓦尔兹力或者柔性介质键合在一起。该复合衬底还可以包括一位于GaN单晶层内部、底部或底面的反射层。本发明的复合衬底既兼顾了GaN外延所需要的同质外延，提高了晶体质量，又可以直接制备垂直结构LED，且因为只使用了薄层GaN单晶，大幅降低了成本，使其在应用中极具优势。
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公开(公告)号：CN102797034A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201210309119.8
申请日：2012-08-27
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 , 北京大学
Abstract: 本发明公开一种适用于GaN材料外延产业化的托舟，解决氮化镓半导体材料外延过程中副产物生成过快，导致系统维护频率高的难题。本发明包含有托舟，托舟四周设计有高低不同凸起的侧壁，反应物被喷洒在侧壁内侧，托舟底部设有数层可拆开的分层结构，托舟底部的衬底层上设有复数用于放置衬底的衬底槽，在托舟各层设置位于流道隔壁中的流道，托舟设计有数个尾气出口，尾气出口连接对应的尾气管道。本发明实现了控制副产物生成位置，使副产物生长在托舟内部，以清理托舟方式来降低系统清理频率，有利于实现生长氮化镓材料的产业化。
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公开(公告)号：CN102492938A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201110453183.9
申请日：2011-12-30
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司
IPC: C23C16/458 , C23C16/34 , C30B29/38 , C30B25/12
Abstract: 本发明提供一种单接触式自转公转基舟，解决气相沉积生长法在材料生长过程中的厚度不均匀问题。本发明包含有基舟基座，基舟基座上的小圆凹槽内设有衬底基座，基舟基座的镂空孔内设有转动轮，转动轮顶端设有C齿轮，C齿轮与衬底基座的半圈齿轮接触，转动轮底端设有B齿轮，基舟基座下面设有一个可以改变转向的马达，马达连接A齿轮，A齿轮与B齿轮啮合。本发明可实现衬底的自转与公转，提高设备性能，在一定程度上降低工艺调试难度。
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