公开(公告)号：CN106711024B

公开(公告)日：2020-08-21

申请号：CN201611257930.0

申请日：2016-12-30

Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司

Inventor： 贾传宇 ,  殷淑仪 ,  张国义

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/335

Abstract: 一种在硅衬底上制备高电子迁移率场效应晶体管的方法，在Si衬底上生长AlN成核层、固定Al组分的AlyGa1‑yN应力释放层和GaN外延层，采用低压化学气相沉积法，铺设第一组碳纳米管，第一组碳纳米管排列方向平行于GaN外延层[1‑100]方向；生长AlyGa1‑yN合并层，铺设排列方向和第一组碳纳米管成45度夹角的第二组碳纳米管，接着再生长AlyGa1‑yN合并层，铺设排列方向和第一组碳纳米管成90度角的第三组碳纳米管，接着生长AlyGa1‑yN合并层，铺设排列方向和第一组碳纳米管成135度角的第四组碳纳米管，再生长AlyGa1‑yN合并层。本发明能获得无龟裂、高晶体质量的GaN外延层。

公开(公告)号：CN107134406B

公开(公告)日：2020-06-05

申请号：CN201710316317.X

申请日：2017-05-08

Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司

Inventor： 刘南柳 ,  陈蛟 ,  吴洁君 ,  李文辉 ,  张国义

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/683 ,  B23K26/57

Abstract: 一种制备氮化物自支撑衬底的方法，包括以下步骤：选取待加工的蓝宝石基底，该蓝宝石基底由至少两个经加工整形后的子蓝宝石基底拼接形成；在蓝宝石基底上沉积氮化物形成氮化物层；进行激光剥离，使激光从蓝宝石基底所在侧入射，对蓝宝石基底进行全面扫描，根据激光扫描的先后顺序，各个子蓝宝石基底依次与氮化物层分离，从而制备出氮化物自支撑衬底。本发明有利于应力释放，很大程度上降低了激光剥离技术的难度，解决激光剥离中氮化物单晶层碎裂的问题，从而能够得到完整的大尺寸氮化物自支撑衬底。

公开(公告)号：CN106956211B

公开(公告)日：2019-05-14

申请号：CN201710136968.0

申请日：2017-03-09

Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司

Inventor： 刘南柳 ,  陈蛟 ,  胡楚雄 ,  付松 ,  张国义

IPC: B24B37/10 ,  B24B37/005 ,  B24B37/34 ,  B24B39/06

Abstract: 本发明公开了一种单面抛光装置，包括下抛光盘和设在该下抛光盘内的游星轮，下抛光盘通过下转轴与驱动机构连接，游星轮内设有用于放置待抛光材料的通孔，所述游星轮的通孔中活动放置有压住待抛光材料的压重块，该压重块上装设有压重控制系统，该压重控制系统包括竖杆、横杆和上旋转轴，竖杆的下端与压重块连接、上端与横杆一端连接，横杆另一端与上旋转轴连接。本发明通过压重控制系统，调节压重块的位置与重心，来控制待抛光材料的抛光表面各处的压力值，从而得到良好的抛光后表面质量。

公开(公告)号：CN106531862B

公开(公告)日：2019-03-29

申请号：CN201611184509.1

申请日：2016-12-20

Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司

Inventor： 汪青 ,  张国义 ,  童玉珍

IPC: H01L33/32 ,  H01L33/22 ,  H01L33/00 ,  H01L21/02

Abstract: 一种GaN基复合衬底的制备方法，该GaN基复合衬底由下往上依次包括导热导电转移衬底、键合介质层及GaN基外延薄膜，包括以下步骤：在蓝宝石衬底上外延生长GaN基外延薄膜得到蓝宝石GaN基复合衬底；然后在GaN基外延薄膜表面和导热导电转移衬底上分别制备键合介质层，接着将GaN基外延薄膜与导热导电转移衬底键合在一起；再去除蓝宝石衬底后得到GaN基复合衬底，在GaN基外延薄膜转移前、转移过程中和转移后选择性进行表面处理。本发明既兼顾以往转移实现的复合衬底具备的同质外延及可直接制备垂直结构器件的优点，又具有低应力状态和高温稳定性，能有效提高后续的GaN外延生长及芯片制备的质量。

公开(公告)号：CN106367733B

公开(公告)日：2019-02-22

申请号：CN201510443168.4

申请日：2015-07-24

Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司

Inventor： 刘南柳 ,  李春霞 ,  张国义

IPC: C23C16/44

Abstract: 本发明公开了一种清除HVPE设备管道尾气沉积物的装置及方法。本发明设计包括了腔体与管道连接过渡区、固态氯化铵处理系统及废液收集系统相结合的尾气处理设备，并根据固态氯化铵在不同温度下具有不同的溶解速度的特点，调控固态氯化铵处理系统中喷淋溶剂的流速及喷淋时间，以溶解方式去除固态氯化铵，有效地解决反应物尾气沉积致使管道严重堵塞的问题。同时通过调控固态氯化铵处理系统中的吹扫装置及干燥用加热器，保护和保证反应系统环境的安全性及稳定性。本发明装置及方法，从根本上解决HVPE设备后续管道严重堵塞的问题，显著提高设备循环利用率，大幅降低材料生长成本，具有很大的实用价值。

公开(公告)号：CN106328771B

公开(公告)日：2018-08-17

申请号：CN201510395363.4

申请日：2015-07-04

Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司

Inventor： 贾传宇 ,  殷淑仪 ,  张国义

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明一种在金属氮化镓复合衬底上外延无裂纹高晶体质量LED外延层的方法：首先在N2气氛，750‑850℃，反应室压力300torr下,将金属GaN复合衬底退火处理后，以0.2‑1.0微米/小时的低速率生长100‑300纳米厚的低温GaN应力释放层；然后在H2气氛、950‑1050℃下，以从1微米/小时线性变化到3微米/小时的变速率生长1‑2微米厚的高温非掺杂GaN缓冲层；接着以恒定生长速率生长1‑2微米厚的n型GaN层；然后在N2气氛、750‑850℃下，生长多周期InGaN/GaN多量子阱有源区；接着在H2气氛、950‑1000℃下，生长p型AlGaN/GaN超晶格电子阻挡层、p型GaN层；通过优化金属衬底生长初期载气、生长温度及生长速率等参数，有效缓解GaN外延层和金属衬底之间热失配，防止GaN分解，在金属衬底上制备出高质量GaN基LED外延层。

公开(公告)号：CN105374677B

公开(公告)日：2018-05-22

申请号：CN201410421647.1

申请日：2014-08-25

Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 ,  北京大学

Inventor： 张国义 ,  贾传宇

IPC: H01L21/335 ,  H01L21/205 ,  C23C16/26 ,  C30B25/04

Abstract: 本发明提供一种在大尺寸Si衬底上制备高电子迁移率场效应晶体管(HEMT)的方法，尤其涉及一种采用碳纳米管作为周期性介质掩膜，采用选区外延（SAG）方法制备无龟裂、高晶体质量的AlGaN/GaN HEMT器件方法。在Si衬底上采用金属有机化学气相外延技术生长AlN成核层和AlGaN籽晶层；然后采用低压化学气相沉积法（LPCVD），生长排列整齐的多层碳纳米管，通过生长和编织，最终形成连续的碳纳米管薄膜；在此基础上采用选区外延（SAG）方法，利用GaN在介质掩膜和衬底上生长的选择性，把GaN外延层限制在没有介质掩膜的区域中生长，形成分立的窗口，从而释放整个外延层中的张应力；采用多周期Al组分渐变的Aly1Ga1‑y1N/GaN超晶格或AlN/Aly1Ga1‑y1N/GaN超晶格作为应力调控层，获得无龟裂、高晶体质量的GaN外延层。在此基础上制备AlGaN/GaN HEMT器件。

公开(公告)号：CN105609402B

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201410686083.4

申请日：2014-11-25

Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 ,  北京大学

Inventor： 贾传宇 ,  殷淑仪 ,  张国义

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种在Si衬底上采用碳纳米管作为周期性介质掩膜制备低位错密度GaN薄膜的方法：使用三甲基镓(TMGa)、三甲基铝(TMAl)作为III族源，氨气(NH3)作为V族源，硅烷(SiH4)作为n型掺杂源，在Si衬底上先生长高温AlN成核层后，在其上面制备两层或三层或四层单向(交叉)碳纳米管周期性介质掩膜图形化AlN/Si衬底层；其后，采用选区外延方法，在该图形化AlN/Si衬底模板上生长低Al组分的AlxGa1‑xN合并层(0.3～0.5微米厚，Al组分x≤0.25)；然后，分别生长四层GaN，在其两GaN层间插入三层其Al组分y随层次增加而递减的低温AlyGa1‑yN应力调控层(1≥y≥0.5)；从而获得低位错密度、无裂纹、高晶体质量的GaN/Si薄膜(2微米厚，其(002)面半峰宽为500aresec、(102)面半峰宽为610aresec)。

公开(公告)号：CN105352324B

公开(公告)日：2018-01-09

申请号：CN201510656861.X

申请日：2015-10-13

Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司

Inventor： 赵红军 ,  刘鹏 ,  毕绿燕 ,  张国义

IPC: F27D1/00

Abstract: 本发明公开了一种联动可调节的隔热保温装置及使用方法，其结构特征为：主要包括内支撑杆、内杆活动连接结构、外支撑杆、外杆活动连接结构、隔热反射器、固定螺栓和嵌装圆螺母；通过调节内、外支撑杆的相对位置，结合内杆活动连接结构和外杆活动连接结构，以调整隔热反射器的方位、隔热反射面形状和隔热保温面积乃至隔热保温性能，也可调整隔热装置相对温场的位置；从而解决现有技术中隔热保温装置所存在的通用性差、安装后隔热保温面积和隔热位置距离调整困难等问题。该装置可以满足多种加热炉对不同隔热保温面积的需求，具有较好的互换性、通用性。

公开(公告)号：CN107221496A

公开(公告)日：2017-09-29

申请号：CN201710384470.6

申请日：2017-05-26

Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司

Inventor： 汪青 ,  梁文林 ,  任俊杰 ,  罗家懋 ,  张集发 ,  童玉珍 ,  孙明 ,  张国义

IPC: H01L21/306 ,  H01L33/00

Abstract: 一种氮化物材料激光剥离后的表面处理方法，包括以下步骤：通过激光剥离方式制备得到氮化物复合衬底或者氮化物单晶衬底；选择一腔室，往该腔室中填充具有挥发性的腐蚀液体，将氮化物复合衬底或者氮化物单晶衬底放入该腔室中的液面上方，对腔室进行密封处理使该腔室形成密闭的腔室，放置预定时间T，利用腐蚀液体挥发产生的气氛对氮化物复合衬底或者氮化物单晶衬底的激光剥离后的表面进行腐蚀处理；对腔室中的氮化物复合衬底或氮化物单晶衬底进行清洗、吹干，完成对激光剥离表面的气氛腐蚀处理。本发明利用气氛腐蚀方法对剥离后的氮化物表面进行处理，去除剥离表面上残余的金属等杂质，改善剥离表面的成份和粗糙度，提高后期同质外延效果和芯片性能。