公开(公告)号：CN110034076B

公开(公告)日：2021-07-27

申请号：CN201810029222.4

申请日：2018-01-12

Applicant: 中兴光电子技术有限公司

Inventor： 张志珂 ,  张一鸣 ,  刘宇 ,  刘建国 ,  祝宁华 ,  张琦 ,  王会涛 ,  刘真南

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L31/02

Abstract: 本申请提出一种光电子器件及其封装结构，封装结构包括：高频电极；低频电极；高频传输线，与高频电极直接相连；和低频传输线，与低频电极直接相连或间接相连。高频传输线与高频电极直接相连，如直接进行焊接连接或直接进行对接压连等的方式，以大幅度减少采用间接连接所使用的连接线的使用数量，避免因大量使用连接线而引入的寄生效应，防止导致光电子器件性能恶化而造成无法忽视的影响。

公开(公告)号：CN110034076A

公开(公告)日：2019-07-19

申请号：CN201810029222.4

申请日：2018-01-12

Applicant: 中兴光电子技术有限公司

Inventor： 张志珂 ,  张一鸣 ,  刘宇 ,  刘建国 ,  祝宁华 ,  张琦 ,  王会涛 ,  刘真南

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L31/02

Abstract: 本申请提出一种光电子器件及其封装结构，封装结构包括：高频电极；低频电极；高频传输线，与高频电极直接相连；和低频传输线，与低频电极直接相连或间接相连。高频传输线与高频电极直接相连，如直接进行焊接连接或直接进行对接压连等的方式，以大幅度减少采用间接连接所使用的连接线的使用数量，避免因大量使用连接线而引入的寄生效应，防止导致光电子器件性能恶化而造成无法忽视的影响。