TSV盲孔填充的新方法及系统

    公开(公告)号:CN107675233A

    公开(公告)日:2018-02-09

    申请号:CN201710905749.4

    申请日:2017-09-29

    Applicant: 中南大学

    CPC classification number: C25D15/00 C25D7/12

    Abstract: 本发明公开了一种TSV盲孔填充的新方法,包括以下步骤:步骤一、将带有TSV盲孔的硅片放入去离子水中,进行抽真空预处理,排尽TSV盲孔内气体;步骤二、将预处理后的硅片与电镀阴极连为一体;步骤三、向电镀液中加入添加剂、抑制剂和加速剂,充分混合形成悬浮电镀液;步骤四、将悬浮电镀液加入电镀槽内,将电镀电源的电镀阳极和电镀阴极均置入悬浮电镀液中,使硅片在悬浮电镀液中静置,使电镀液在TSV盲孔内达到初步吸附平衡;步骤五、将循环泵的入口和出口接通至悬浮电镀液中,入口连通至电镀阳极处、出口连通至电镀阴极处;步骤六、启动循环泵同时启动电镀电源,开始电镀,循环泵向电镀槽内的悬浮电镀液提供流速。能够有效的提高填充效率、降低成本。

Patent Agency Ranking