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公开(公告)号：CN107546139B
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201710735809.2
申请日：2017-08-24
Applicant: 中南大学
IPC: H01L21/60 , H01L23/485
Abstract: 本发明公开了一种微铜柱的制造方法，包括：步骤一、在绝缘衬底上完成多层RDL金属互连结构，在最后一层金属互连结构外对应导电通道位置处设置焊盘；步骤二、制作微阳极，微阳极的直径与微铜柱的直径相匹配；步骤三、制作微阳极夹具盘，将制作好的微阳极安装于微阳极夹具盘上对应焊盘的区域，并将各微阳极连通；步骤四、将装有微阳极的微阳极夹具盘放置在芯片上方，使微阳极与焊盘一一对应，将微阳极夹具盘连接至电镀电源的正极，芯片连接至电镀电源的负极；步骤五、采用局部电化学沉积方法，在焊盘上电镀沉积出需要的微铜柱。对设备的要求较低，制备过程简单，降低了制作成本；并且可通过多焊盘和多微阳极同时制备多个微铜柱，生产效率较高。
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公开(公告)号：CN109628968A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201910091137.5
申请日：2019-01-30
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明提供了一种TSV快速填充方法与装置，TSV快速填充方法包括如下步骤：预处理：将含TSV盲孔的硅片保持开口向上在金属纳米粒子悬浮液中放置20小时以上；取出所述硅片，在200‑500℃下加热15‑60min；电镀铜：将加热后的硅片进行电镀铜，至TSV盲孔被完全填充。TSV快速填充装置，包括电镀阳极、电镀阴极、电镀电源、电镀液和超声变幅杆。预处理后TSV孔中预先沉积有金属纳米粒子，再用上述TSV快速填充装置进行电镀铜，加快了铜的沉积速度，提高了生产效率。
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公开(公告)号：CN105842523B
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：CN201610377641.8
申请日：2016-05-31
Applicant: 中南大学
IPC: G01R19/08
Abstract: 本发明公开了一种TSV微盲孔表面电流密度的测定方法及系统，测定过程为：先将硅片和夹具一起放入电镀槽中，使得电镀液浸润到TSV微盲孔中；然后将电镀槽放回三维运动平台；将Pt电极定位到TSV微盲孔上表面位置；最后测定TSV微盲孔口部电流密度：将Pt电极移动到距离TSV微盲孔口部10‑50纳米的位置；用微电阻仪的两极分别连接Pt电极与硅片表面的种子层，测量电阻R1；将硅片接入电镀电源的负极进行电镀，测量Pt电极与硅片表面的种子层之间的电压V1，计算局部电流I1＝V1/R1，除以电极截面积，获得局部电流密度。通过类似的方法，可测定TSV微盲孔表面不同位置的电流密度分布情况。
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公开(公告)号：CN105842523A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201610377641.8
申请日：2016-05-31
Applicant: 中南大学
IPC: G01R19/08
CPC classification number: G01R19/08
Abstract: 本发明公开了一种TSV微盲孔表面电流密度的测定方法及系统，测定过程为：先将硅片和夹具一起放入电镀槽中，使得电镀液浸润到TSV微盲孔中；然后将电镀槽放回三维运动平台；将Pt电极定位到TSV微盲孔上表面位置；最后测定TSV微盲孔口部电流密度：将Pt电极移动到距离TSV微盲孔口部10?50纳米的位置；用微电阻仪的两极分别连接Pt电极与硅片表面的种子层，测量电阻R1；将硅片接入电镀电源的负极进行电镀，测量Pt电极与硅片表面的种子层之间的电压V1，计算局部电流I1＝V1/R1，除以电极截面积，获得局部电流密度。通过类似的方法，可测定TSV微盲孔表面不同位置的电流密度分布情况。
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公开(公告)号：CN103464342B
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201310388378.9
申请日：2013-08-30
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种喷射点胶阀装置及喷射点胶方法，喷射点胶阀装置包括喷射点胶阀、供胶管道和供胶阀。其中，供胶阀底部安装有可快速关闭/开启的转盘装置。在喷胶过程中，通过关闭供胶阀，截断了胶液从供胶管道回流至供胶阀的通道，实现了精确体积的喷胶。在喷胶单个过程结束后，通过开启供胶阀，打开供胶通道进行填料，从而实现胶液的连续喷射。利用本装置及喷射点胶方法进行点胶时，无回流出现，提高了撞针运动的有效利用率，有利于大粘度胶液的喷射；该装置结构简单，加工容易，转盘具有周期性旋转的特点，能够对胶液进行搅拌，有效地阻止了胶液内荧光粉沉淀，喷射点胶阀内流体速度分布更加均匀，有利于点胶质量的保证。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102032872A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN201010530416.6
申请日：2010-11-03
Applicant: 中南大学
IPC: G01B11/02
Abstract: 本发明公开了一种基于阴影法的高密度BGA焊料球高度测量系统及方法，该方法为：步骤1：开启SIP模块正上方的环形光源，从SIP模块上的正上方获取SIP模块上的BGA焊料球的无阴影图像，从所述的无阴影图像中获得BGA焊料球的半径R和焊料球中心点；步骤2：关闭环形电源，开启SIP模块侧上方的点光源，从SIP模块上的正上方获取SIP模块上的BGA焊料球的带阴影图像，从所述的带阴影图像中获得BGA焊料球中心点到阴影顶点的距离L；步骤3：通过几何关系计算焊料球高度H。该测量方法和系统易于实施，检测精度高，检测速度快。
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公开(公告)号：CN101372066A
公开(公告)日：2009-02-25
申请号：CN200810143325.X
申请日：2008-10-15
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种压电式超声换能器驱动电源，包括主控制器、采样电路、调整电路和驱动电路；所述的采样电路和调整电路从压电式超声换能器获取信号，其输出端接所述的主控制器；所述的主控制器接收外部控制发来的信号，并通过驱动电路连接压电式超声换能器；所述的主控制器包括鉴相单元、控制单元、直接数字式频率合成器、调幅限幅单元；所述的鉴相单元接所述采样电路的输出信号；所述的鉴相单元、控制单元、直接数字式率频合成器和调幅限幅单元依次串联后输出信号给所述的驱动电路。与基于DSP和其他控制器的超声电源相比，本发明具有锁相速度快、精度高、输出功率可编程调节等优点。
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公开(公告)号：CN101055846A
公开(公告)日：2007-10-17
申请号：CN200610031493.0
申请日：2006-04-12
Applicant: 中南大学
Abstract: 热超声倒装芯片键合机，主要包括承载倒装芯片的运动平台、对倒装芯片与基板实施精确定位的视觉系统、对倒装芯片进行键合的超声换能系统、在键合过程中完成芯片的自动拾取的真空吸附系统及加热键合工作台、使工作台保持恒定的温度的温控系统。本发明采用超声键合技术，键合温度为150～200℃，可减小键合过程温度对芯片的影响，提高焊接可靠性；超声能使金属软化的效果是热软化的100倍，降低了焊接的功率，提高了焊接效率，节约了能源；热超声倒装键合无需添加助焊剂，无铅焊接，绿色环保；热超声倒装键合效率高，键合时间少于300毫秒，适应于自动化生产。本发明适用于1×1～5×5mm微电子及LED芯片的倒装键合。
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公开(公告)号：CN108169313B
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201810120320.9
申请日：2018-02-07
Applicant: 中南大学
IPC: G01N27/48 , G01N27/416
Abstract: 本发明为一种电镀液交换电流密度和阴极转移系数的表征与标定方法，采用线性扫描伏安法测定，本发明还提供了一种TSV电镀添加剂扩散系数的表征与标定方法，采用计时安培分析法测试，本发明利用电化学工作站，设计上述简单的测试方法，方便、有效地获得电镀液交换电流密度、阴极转移系数与添加剂扩散系数。
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公开(公告)号：CN108169313A
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201810120320.9
申请日：2018-02-07
Applicant: 中南大学
IPC: G01N27/48 , G01N27/416
Abstract: 本发明为一种电镀液交换电流密度和阴极转移系数的表征与标定方法，采用线性扫描伏安法测定，本发明还提供了一种TSV电镀添加剂扩散系数的表征与标定方法，采用计时安培分析法测试，本发明利用电化学工作站，设计上述简单的测试方法，方便、有效地获得电镀液交换电流密度、阴极转移系数与添加剂扩散系数。
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