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公开(公告)号：CN109558671A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201811429397.0
申请日：2018-11-27
Applicant: 中南大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种模拟倒装芯片底部填充工艺过程中边缘效应的方法，其特征在于，所述方法包括设置材料属性，对倒装芯片的选定区域进行建模，建立数值模拟的几何模型以及边界条件，采用边界条件模拟边缘效应。通过本发明能精确预测流体前沿形状随时间的演变，特别是能够精确模拟边缘效应。且在模拟边缘效应时，不需要延长倒装芯片侧边处无焊点区域的长度，也不需要将倒装芯片外围区域纳入建模，能有效减轻计算负担。
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