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公开(公告)号：CN111850630A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010758076.6
申请日：2020-07-31
Applicant: 中南大学
IPC: C25D3/38 , C25D7/12 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供了一种使用CTAB作为抑制类添加剂进行微孔填充的方法。采用CTAB作为抑制类添加剂，将纯铜板浸入电镀液中作为阳极，将含有微孔的硅片浸入电镀液中作为阴极，对硅片微孔进行电镀填充，相比传统的抑制类添加剂电镀体系，本发明所开发的使用CTAB作抑制剂的填充方法对微孔孔口及侧壁具有更强的抑制效果，输运能力更强，电镀填充效果更好、效率更高，有利于节约微孔电镀填充成本，在高深宽比微孔电镀填充中具有极大的优势。
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公开(公告)号：CN106570211A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201610886947.6
申请日：2016-10-11
Applicant: 中南大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明涉及微电子封装与热管理计算领域，公开了一种TSV转接板等效热导率预测方法及系统，为解决3D集成封装芯片热管理问题提供基础支持。该方法包括：构建考虑有介电层的TSV转接板垂直方向上的二维等效模型；根据组分在模型中的体积占比不变的原则，分别计算TSV孔中填充物及介电层在垂直方向二维等效模型中的等效参数；根据所述二维等效模型中的等效参数及硅、介电层及填充物的热导率仿真得出与垂直方向热流相垂直的两平行截面之间的平均温度差；根据所述平均温度差、两平行截面的距离及热流参数计算得出TSV转接板垂直方向的等效热导率。
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公开(公告)号：CN106011962A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610548373.1
申请日：2016-07-13
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种超声外场作用下的TSV电镀方法及系统，电镀方法包括以下步骤：步骤1：将带TSV微盲孔的硅片放放置在密闭容器内，容器内填充有含有添加剂的电镀液，对该容器进行抽真空预处理，使得电镀液浸润到TSV微盲孔中；然后放置10～60分钟，等添加剂在TSV微盲孔内表面达到初步吸附平衡；步骤2：将硅片与电镀电源的负极连接在一起，放入电镀槽中，作为电镀阴极；步骤3：开启电镀电源，进行阴极铜离子沉积反应；同时开启超声电源，对TSV微盲孔内施加超声激励，利用超声的空化效应，实现TSV微盲孔孔口电镀的抑制、孔底电镀的加速，形成自底向上的完全填充。本发明能有效利用超声作为外加能场增强TSV镀铜填充。
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公开(公告)号：CN109628968A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201910091137.5
申请日：2019-01-30
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明提供了一种TSV快速填充方法与装置，TSV快速填充方法包括如下步骤：预处理：将含TSV盲孔的硅片保持开口向上在金属纳米粒子悬浮液中放置20小时以上；取出所述硅片，在200‑500℃下加热15‑60min；电镀铜：将加热后的硅片进行电镀铜，至TSV盲孔被完全填充。TSV快速填充装置，包括电镀阳极、电镀阴极、电镀电源、电镀液和超声变幅杆。预处理后TSV孔中预先沉积有金属纳米粒子，再用上述TSV快速填充装置进行电镀铜，加快了铜的沉积速度，提高了生产效率。
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公开(公告)号：CN108866616A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810751577.4
申请日：2018-07-10
Applicant: 中南大学
IPC: C25D21/14
Abstract: 本发明公开了一种混合电镀液中添加剂的控制方法，利用了电镀添加剂在不同电位下的吸附率会产生变化，从而多种电镀添加剂受电位影响产生的相互作用也不相同的这一原理，通过实验确定了多种电镀添加剂在各电位下协同、竞争或取代的关系，并将该关系具体表达为第三本构方程，根据第三本构方程控制各电镀添加剂的量就能准确得到所需的吸附率，该方法具有能准确控制多种电镀添加剂吸附率和避免电镀缺陷等优点。本发明还相应公开了一种能实现该方法的控制系统以及一种能实现该方法的计算机存储介质，同样具有以上方法所具备的优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111778545A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN202010760001.1
申请日：2020-07-31
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明提供了一种基于小尺寸季铵盐单一添加剂的微孔填充方法。采用具有阳极性的小尺寸季铵盐作为微孔电镀填充的抑制剂，将纯铜板浸入电镀液中作为阳极，将含有微孔的硅片浸入电镀液中作为阴极，对硅片微孔进行电镀填充，相比传统的多添加剂电镀体系，本发明提出的单一添加剂电镀体系，配方简单，更容易实现精准调控；且本发明微孔电镀填充效果更好、效率更高、成本更低。
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公开(公告)号：CN108169313B
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201810120320.9
申请日：2018-02-07
Applicant: 中南大学
IPC: G01N27/48 , G01N27/416
Abstract: 本发明为一种电镀液交换电流密度和阴极转移系数的表征与标定方法，采用线性扫描伏安法测定，本发明还提供了一种TSV电镀添加剂扩散系数的表征与标定方法，采用计时安培分析法测试，本发明利用电化学工作站，设计上述简单的测试方法，方便、有效地获得电镀液交换电流密度、阴极转移系数与添加剂扩散系数。
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公开(公告)号：CN109887882A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201910091582.1
申请日：2019-01-30
Applicant: 中南大学
IPC: H01L21/768 , B82Y30/00
Abstract: 本发明提供了一种在微孔内快速填充纳米粒子的方法，包括如下步骤：将含有微孔的基片保持开口向上浸入含有纳米粒子的悬浮液中，将浸有基片的悬浮液进行真空处理，使纳米粒子向微孔内沉淀；将经真空处理后浸有基片的悬浮液进行超声处理；重复上述真空处理与上述超声处理3次以上；将所述基片从悬浮液中取出，对所述基片进行加热处理，完成纳米粒子填充。本发明提供的在微孔内快速填充纳米粒子的方法，不仅使填充效率得到大大提高，还使得微孔内纳米粒子的填充更致密、更均匀，有效改善了填充效果。
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公开(公告)号：CN108169313A
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201810120320.9
申请日：2018-02-07
Applicant: 中南大学
IPC: G01N27/48 , G01N27/416
Abstract: 本发明为一种电镀液交换电流密度和阴极转移系数的表征与标定方法，采用线性扫描伏安法测定，本发明还提供了一种TSV电镀添加剂扩散系数的表征与标定方法，采用计时安培分析法测试，本发明利用电化学工作站，设计上述简单的测试方法，方便、有效地获得电镀液交换电流密度、阴极转移系数与添加剂扩散系数。
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公开(公告)号：CN109558671A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201811429397.0
申请日：2018-11-27
Applicant: 中南大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种模拟倒装芯片底部填充工艺过程中边缘效应的方法，其特征在于，所述方法包括设置材料属性，对倒装芯片的选定区域进行建模，建立数值模拟的几何模型以及边界条件，采用边界条件模拟边缘效应。通过本发明能精确预测流体前沿形状随时间的演变，特别是能够精确模拟边缘效应。且在模拟边缘效应时，不需要延长倒装芯片侧边处无焊点区域的长度，也不需要将倒装芯片外围区域纳入建模，能有效减轻计算负担。
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