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公开(公告)号：CN112951874A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110378750.2
申请日：2021-04-08
Applicant: 长沙安牧泉智能科技有限公司 , 中南大学
Abstract: 本发明提供了一种提高micro‑led柔性与互连可靠性的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：将一个Micro‑led大阵列中的像素点划分为多个Micro‑led小阵列，其中，每个像素点对应一个金属凸点，每个小阵列的凸点通过得重布线技术在电路上互相连通；步骤2：将Micro‑led与CMOS进行倒装互连，其中，一个Micro‑led小阵列与一个CMOS像素点互连。本发明将一组Micro‑led小阵列与一个CMOS像素点进行互连，即一种1对n的互连方式，使这一小阵列中只要有一个金属凸点与CMOS像素点实现导通即可点亮这一小阵列内所有Micro‑led像素点。更好地实现柔性显示，同时提高了金属凸点倒装工艺的可靠性，保障了Micro‑led器件显示的稳定性。
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公开(公告)号：CN112635415A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202011502056.9
申请日：2020-12-17
Applicant: 长沙安牧泉智能科技有限公司 , 中南大学
IPC: H01L23/367 , H01L23/46 , H01L23/31
Abstract: 本发明涉及电子元器件的散热技术领域，公开了一种用于三维封装系统散热的装置，本发明用于三维封装系统散热的装置，包括若干个热源件，每一热源件包括盖板、基层、固体球、填充层、以及散热件，其中，盖板与基层的第一表面连接，固体球与基层的第二表面连接，固体求的数量包括至少两个，相邻两个固体球之间填充有填充层，散热件设于基层上，通过将散热件设于基层上，可以及时对三维封装系统进行散热。
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公开(公告)号：CN111778545A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN202010760001.1
申请日：2020-07-31
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明提供了一种基于小尺寸季铵盐单一添加剂的微孔填充方法。采用具有阳极性的小尺寸季铵盐作为微孔电镀填充的抑制剂，将纯铜板浸入电镀液中作为阳极，将含有微孔的硅片浸入电镀液中作为阴极，对硅片微孔进行电镀填充，相比传统的多添加剂电镀体系，本发明提出的单一添加剂电镀体系，配方简单，更容易实现精准调控；且本发明微孔电镀填充效果更好、效率更高、成本更低。
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公开(公告)号：CN108169313B
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201810120320.9
申请日：2018-02-07
Applicant: 中南大学
IPC: G01N27/48 , G01N27/416
Abstract: 本发明为一种电镀液交换电流密度和阴极转移系数的表征与标定方法，采用线性扫描伏安法测定，本发明还提供了一种TSV电镀添加剂扩散系数的表征与标定方法，采用计时安培分析法测试，本发明利用电化学工作站，设计上述简单的测试方法，方便、有效地获得电镀液交换电流密度、阴极转移系数与添加剂扩散系数。
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公开(公告)号：CN110797335A
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201911188487.X
申请日：2019-11-28
Applicant: 中南大学 , 长沙安牧泉智能科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种异质集成芯片的系统级封装结构，包括：封装基板；硅通孔转接板，所述硅通孔转接板上开设有多个硅通孔，所述硅通孔转接板的底部设置有与多个凸点，所述硅通孔转接板通过所述凸点固定安装在所述封装基板上，所述硅通孔转接板通过所述凸点与所述封装基板电连接；凸点芯片，所述凸点芯片的底部设置有多个小微凸点，所述凸点芯片通过所述小微凸点固定安装在所述硅通孔转接板上，所述凸点芯片通过所述小微凸点与所述硅通孔转接板电连接；本封装结构有效的提高功能的集成度，同时减小了芯片在PCB板上占用空间，同时统一封装不同芯片有利于节省加工工序，使得封装效率得到了提高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109887882A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201910091582.1
申请日：2019-01-30
Applicant: 中南大学
IPC: H01L21/768 , B82Y30/00
Abstract: 本发明提供了一种在微孔内快速填充纳米粒子的方法，包括如下步骤：将含有微孔的基片保持开口向上浸入含有纳米粒子的悬浮液中，将浸有基片的悬浮液进行真空处理，使纳米粒子向微孔内沉淀；将经真空处理后浸有基片的悬浮液进行超声处理；重复上述真空处理与上述超声处理3次以上；将所述基片从悬浮液中取出，对所述基片进行加热处理，完成纳米粒子填充。本发明提供的在微孔内快速填充纳米粒子的方法，不仅使填充效率得到大大提高，还使得微孔内纳米粒子的填充更致密、更均匀，有效改善了填充效果。
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公开(公告)号：CN108428637A
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201810196418.2
申请日：2018-03-09
Applicant: 中南大学 , 湖南建之达节能科技有限公司
IPC: H01L21/603 , H01L21/607
CPC classification number: H01L24/83 , H01L24/82 , H01L2224/8201 , H01L2224/82048 , H01L2224/82203 , H01L2224/82207 , H01L2224/83024 , H01L2224/83048 , H01L2224/83203 , H01L2224/83207
Abstract: 一种超声辅助微米银浆烧结实现微铜柱互连的方法，包括如下步骤：1）将上、下芯片分别清洗干净；2）将银浆涂覆在上芯片的微铜柱上，将助焊剂涂覆在下芯片的微铜柱上；3)将上、下芯片通过超声吸附固定到超声吸头和基座上，对准，然后进行预热过程；4)预热到180-200°C，使上、下芯片接触，开始键合，并开始加压；5)将超声吸头吸附在上芯片上进行超声振动，振动方向沿水平方向，下芯片随基座固定不动，超声振动的时间为1-2s，温度持续上升至260-300°C；6）保温保压1.5-3min后，停止超声振动和加热，解除真空吸附，完成键合的芯片随基座冷却。本发明可实现烧结温度上升温和，不会对芯片造成热冲击损伤，并且还可实现微米银浆的低温、快速、有力的连接烧结。
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公开(公告)号：CN108169313A
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201810120320.9
申请日：2018-02-07
Applicant: 中南大学
IPC: G01N27/48 , G01N27/416
Abstract: 本发明为一种电镀液交换电流密度和阴极转移系数的表征与标定方法，采用线性扫描伏安法测定，本发明还提供了一种TSV电镀添加剂扩散系数的表征与标定方法，采用计时安培分析法测试，本发明利用电化学工作站，设计上述简单的测试方法，方便、有效地获得电镀液交换电流密度、阴极转移系数与添加剂扩散系数。
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公开(公告)号：CN107505557A
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201710654087.8
申请日：2017-08-03
Applicant: 中南大学 , 湖南建之达节能科技有限公司
CPC classification number: G01R31/2881 , G01R31/2601
Abstract: 本发明公开了一种用于微电子器件的柔性加载测试装置，包括测试工具头和用于驱动测试工具头的往复运动的驱动机构，测试工具头通过一柔性加载组件与驱动机构的驱动端相连，柔性加载组件包括与测试工具头相连的滑轴以及与驱动机构相连的缸体，缸体具有一填充有磁流变液的内腔，滑轴贯穿内腔并与缸体滑动密封配合，滑轴上绕设有一组以上内线圈组，缸体的外部绕设有一组以上外线圈组，柔性加载组件还包括用于向各内线圈组和各外线圈组通入线性电流的电源，所有内线圈组和所有外线圈组的电流方向绕滑轴轴线相同。该柔性加载测试装置具有结构简单紧凑、响应灵敏、便于控制、加载无冲击、可提升测试精准性和可靠性等优点。
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公开(公告)号：CN105043297B
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201510584682.X
申请日：2015-09-15
Applicant: 中南大学
IPC: G01B11/24
Abstract: 本发明公开了一种无损、快速的TSV结构侧壁形貌测量方法，包括如下步骤：利用高分辨率IR显微镜，调节聚焦深度，选取多个焦平面；选定其中一焦平面，并针对该焦平面所获得的图像，获得圆心的位置；计算边缘轮廓到圆心的距离，获得该焦平面图像的边缘到圆心的距离分布；改变焦平面位置，重复步骤三，计算出每一个焦平面图像的边缘到圆心的距离分布，获得在同一个旋转角度下，边缘在深度方向到圆心的距离分布；结合步骤五所得的计算结果，得到TSV结构侧壁的三维形貌分布；通过统计计算，获得TSV结构侧壁的形貌测量。
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