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公开(公告)号：CN105161615B
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201510561180.5
申请日：2015-09-06
Applicant: 中南大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种基于纤维衬底的忆阻器及其制备方法，该忆阻器由上至下依次为柔性纤维衬底I、隔离层I、上电极、存储介质层薄膜、下电极、隔离层II和柔性纤维衬底II；忆阻器的制备方法是在柔性纤维衬底I表面依次沉积隔离层I和上电极，记为部件A；在柔性纤维衬底II表面依次沉积隔离层II、下电极和存储介质层薄膜，记为部件B；将部件A和部件B以任意角度接触，在接触处形成忆阻器。该忆阻器具有良好的柔韧性、可弯曲、质量轻的特点，有利于推动电子产品的轻型化发展；与现有的CMOS工艺兼容，且其制备方法简单，生产效率高，成本低，满足大规模生产的需求，具有产业化价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105161615A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201510561180.5
申请日：2015-09-06
Applicant: 中南大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种基于纤维衬底的忆阻器及其制备方法，该忆阻器由上至下依次为柔性纤维衬底I、隔离层I、上电极、存储介质层薄膜、下电极、隔离层II和柔性纤维衬底II；忆阻器的制备方法是在柔性纤维衬底I表面依次沉积隔离层I和上电极，记为部件A；在柔性纤维衬底II表面依次沉积隔离层II、下电极和存储介质层薄膜，记为部件B；将部件A和部件B以任意角度接触，在接触处形成忆阻器。该忆阻器具有良好的柔韧性、可弯曲、质量轻的特点，有利于推动电子产品的轻型化发展；与现有的CMOS工艺兼容，且其制备方法简单，生产效率高，成本低，满足大规模生产的需求，具有产业化价值。
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公开(公告)号：CN115538155A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211265349.9
申请日：2022-10-17
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明提供一种碳化硅纤维复合电磁吸波材料及其制备方法，制备方法包括如下步骤：步骤S1，将碳化硅纤维进行除胶预处理；步骤S2，采用熔盐法在除胶后的碳化硅纤维表面沉积钛硅碳层；其中，熔盐中各成分的质量比为钛：碳化硅：氯化钠：氯化钾＝1～4：1：12～16：12～16，气氛为氮气或者氩气，温度为900～1200℃，升温速率为5～15℃/min，保温时间为1～2h；步骤S3，采用气相沉积法，在钛硅碳层修饰的碳化硅纤维表面原位生长碳纳米管，得到碳化硅纤维复合电磁吸波材料。由该制备方法制备得到的复合电磁吸波材料具有密度低、发射损耗高、吸波性能优的特点。
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公开(公告)号：CN115538155B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202211265349.9
申请日：2022-10-17
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明提供一种碳化硅纤维复合电磁吸波材料及其制备方法，制备方法包括如下步骤：步骤S1，将碳化硅纤维进行除胶预处理；步骤S2，采用熔盐法在除胶后的碳化硅纤维表面沉积钛硅碳层；其中，熔盐中各成分的质量比为钛：碳化硅：氯化钠：氯化钾＝1～4：1：12～16：12～16，气氛为氮气或者氩气，温度为900～1200℃，升温速率为5～15℃/min，保温时间为1～2h；步骤S3，采用气相沉积法，在钛硅碳层修饰的碳化硅纤维表面原位生长碳纳米管，得到碳化硅纤维复合电磁吸波材料。由该制备方法制备得到的复合电磁吸波材料具有密度低、发射损耗高、吸波性能优的特点。
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公开(公告)号：CN105948810B
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201610313313.1
申请日：2016-05-12
Applicant: 中南大学
Inventor： 黄小忠 , 肖路军 , 杜作娟 , 岳建岭 , 王春齐 , 唐秀之 , 许慎微 , 邹杨君 , 谭飞龙 , 成雨果 , 韦勇山 , 周丁 , 王翔宇 , 梁艳梅 , 廖潘兴 , 惠忆聪 , 刘坤 , 胡春华 , 罗璐磊 , 王畅 , 朱文华 , 王强 , 吴辉剑
Abstract: 本发明涉及一种三维网状通孔复合材料及其制备，属于通孔复合材料设计制备技术领域。本发明所述三维网状通孔复合材料包括纤维层、含Be碳化硅层，所述含Be碳化硅层包覆在纤维层上；所述三维网状通孔复合材料中Be的质量百分含量大于等于0.1％；所述三维网状通孔复合材料的孔隙率大于等于50％。其制备方法为：在具有三维网状结构的结构件上编织纤维，得到预制体后置于浸渍液中，浸渍，得到浸渍后的预制体；接着将浸渍后的预制体加热到240～360℃，保温，得到半成品；半成品被置于含氧气氛中进行预氧化处理，得到预氧化坯；最后对预氧化坯进行烧结，得到三维网状通孔复合材料；所述烧结的温度为1100～1500℃。
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公开(公告)号：CN105948810A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201610313313.1
申请日：2016-05-12
Applicant: 中南大学
Inventor： 黄小忠 , 肖路军 , 杜作娟 , 岳建岭 , 王春齐 , 唐秀之 , 许慎微 , 邹杨君 , 谭飞龙 , 成雨果 , 韦勇山 , 周丁 , 王翔宇 , 梁艳梅 , 廖潘兴 , 惠忆聪 , 刘坤 , 胡春华 , 罗璐磊 , 王畅 , 朱文华 , 王强 , 吴辉剑
CPC classification number: C04B38/0615 , C04B35/806 , C04B2235/5216 , C04B2235/5224 , C04B2235/5244 , C04B2235/5248 , C04B2235/77 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , C04B38/0022 , C04B38/0067
Abstract: 本发明涉及一种三维网状通孔复合材料及其制备，属于通孔复合材料设计制备技术领域。本发明所述三维网状通孔复合材料包括纤维层、含Be碳化硅层，所述含Be碳化硅层包覆在纤维层上；所述三维网状通孔复合材料中Be的质量百分含量大于等于0.1％；所述三维网状通孔复合材料的孔隙率大于等于50％。其制备方法为：在具有三维网状结构的结构件上编织纤维，得到预制体后置于浸渍液中，浸渍，得到浸渍后的预制体；接着将浸渍后的预制体加热到240～360℃，保温，得到半成品；半成品被置于含氧气氛中进行预氧化处理，得到预氧化坯；最后对预氧化坯进行烧结，得到三维网状通孔复合材料；所述烧结的温度为1100～1500℃。
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