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公开(公告)号:CN115895354A
公开(公告)日:2023-04-04
申请号:CN202211405674.0
申请日:2022-11-10
Applicant: 中南大学
IPC: C09D127/16 , C09D7/62 , C08J7/04 , C08L67/02 , H01G4/12
Abstract: 本发明公开了一种多层级纳米结构复合电介质和柔性复合电介质材料及制备方法和应用。多层级纳米结构复合电介质由纳米TiO2包覆在纳米BaTiO3表面构成的多层级纳米结构TiO2@BaTiO3分散在铁电聚合物基体中形成;其制备方法是将纳米BaTiO3与钛酸酯酸性水溶液混合进行水热反应,得到多层级纳米结构TiO2@BaTiO3,将多层级纳米结构TiO2@BaTiO3与铁电聚合物通过液相混合,得到多层级纳米结构复合电介质。该多层级纳米结构复合电介质具有储能密度高、制冷功率密度高,能够替代传统的制冷介质(氟利昂等空气压缩介质)应用于高端柔性器件制冷,或者应用于介电储能器件。
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公开(公告)号:CN115538155A
公开(公告)日:2022-12-30
申请号:CN202211265349.9
申请日:2022-10-17
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明提供一种碳化硅纤维复合电磁吸波材料及其制备方法,制备方法包括如下步骤:步骤S1,将碳化硅纤维进行除胶预处理;步骤S2,采用熔盐法在除胶后的碳化硅纤维表面沉积钛硅碳层;其中,熔盐中各成分的质量比为钛:碳化硅:氯化钠:氯化钾=1~4:1:12~16:12~16,气氛为氮气或者氩气,温度为900~1200℃,升温速率为5~15℃/min,保温时间为1~2h;步骤S3,采用气相沉积法,在钛硅碳层修饰的碳化硅纤维表面原位生长碳纳米管,得到碳化硅纤维复合电磁吸波材料。由该制备方法制备得到的复合电磁吸波材料具有密度低、发射损耗高、吸波性能优的特点。
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公开(公告)号:CN112975032B
公开(公告)日:2022-09-27
申请号:CN202110199641.4
申请日:2021-02-23
Applicant: 浙江浙能兰溪发电有限责任公司 , 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅陶瓷的钎焊方法,包括如下步骤:将碳化硅陶瓷进行表面处理;采用气相沉积法在碳化硅陶瓷表面先沉积第一金属层,然后在第一金属层表面沉积第二金属层,得到沉积了双金属层的碳化硅陶瓷;其中,第一金属层的材料选自Ni、Ti、Fe或Zr中的一种;第二金属层的材料选自Al;将需要连接的碳化硅陶瓷放置于真空烧结炉中,然后在需要连接的碳化硅陶瓷之间放置纯Al箔,当炉内真空达到10‑1Pa时开始加热,升温至600~800℃并保温10~60min;保温结束后随炉冷却至室温,得到钎焊连接后的碳化硅陶瓷。本发明提供的碳化硅陶瓷的钎焊方法,能提高铝基钎料对碳化硅材料的润湿性,并能降低钎焊温度,提高钎焊接头的结合强度。
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公开(公告)号:CN108003364B
公开(公告)日:2020-10-16
申请号:CN201711193707.9
申请日:2017-11-24
Applicant: 中南大学
IPC: C08J5/18 , C08L5/04 , C08K13/06 , C08K9/04 , C08K9/12 , C08K3/04 , C08K3/08 , C08K7/06 , C08K3/22 , C08K7/24 , H05K9/00
Abstract: 本发明公开了一种柔性石墨烯基复合膜及其制备方法和作为电磁屏蔽材料的应用,其制备方法是将氧化石墨烯与溶剂通过细胞粉碎机处理,再加入银/碳纳米纤维复合材料和磁性四氧化三铁,采用细胞粉碎机处理,最后加入海藻酸钠溶液,采用细胞粉碎机处理,得到分散液;分散液通过真空抽滤方法得到复合薄膜结构;将薄膜结构置于装有低沸点液态还原剂的密闭釜内,通过熏蒸法还原,即得组分分布均匀、具有多孔结构、柔韧性较好的柔性石墨烯基复合膜,其很好的电磁屏蔽效能,且制备方法操作工艺简单、高效,易于实现产业化生产及应用。
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公开(公告)号:CN109956751B
公开(公告)日:2020-07-28
申请号:CN201910337702.1
申请日:2019-04-25
Applicant: 中南大学
IPC: F28D15/04 , C04B35/594 , C04B35/596 , C04B35/622 , C04B38/00
Abstract: 本发明公开了一种环路热管以及多孔氮化硅陶瓷的制备方法,所述环路热管为多孔氮化硅陶瓷,孔隙率为50~70%、强度为10~30MPa、孔隙平均孔径在0.5~1μm。所述方法具体包括:以Si3N4粉为原料,添加烧结助剂,机械湿法球磨混合均匀成浆料;将浆料消泡、脱气后,于模具中低温冷冻固化、干燥;放入马弗炉中保温以去除有机物杂质;最后放置于烧结炉中高温烧结得到Si3N4多孔陶瓷管。本发明方法制备的陶瓷管具有高孔隙率、高强度和孔隙结构分布均匀等特点,能够取代金属环路热管满足高温条件下环路热管等领域的使用。
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公开(公告)号:CN108409348A
公开(公告)日:2018-08-17
申请号:CN201810225632.6
申请日:2018-03-19
Applicant: 中南大学
IPC: C04B35/80 , C04B35/622 , C04B35/565 , C23C14/35 , C23C14/06 , C23C14/56 , C23C14/02 , D06M11/74 , D06M11/77 , D06M11/80 , D06M11/79 , D06M11/44 , D06M11/53
CPC classification number: C04B35/806 , C04B35/565 , C04B35/622 , C04B2235/386 , C04B2235/422 , C04B2235/5244 , C04B2235/96 , C23C14/02 , C23C14/0635 , C23C14/35 , C23C14/562 , D06M11/44 , D06M11/53 , D06M11/74 , D06M11/77 , D06M11/79 , D06M11/80
Abstract: 本发明公开了一种纤维表面沉积界面层的设备及其方法,设备包括放丝装置、静电散丝装置、磁控溅射装置、固态胶粘装置、收丝装置;所述收丝装置和放丝装置分别位于磁控溅射装置的两侧,所述静电散丝装置位于放丝装置与磁控溅射装置之间,所述固态胶粘装置位于收丝装置与磁控溅射装置之间;当设备工作时,所述纤维束从放丝装置放丝出来,运动至静电散丝装置被散丝,以散丝的状态进入磁控溅射装置,经磁控溅射沉积获得界面层后,经固态胶粘装置集束,最终纤维束由收丝装置收丝。利用本发明制备方法所得SiC纤维表面界面层厚度分布均匀、厚度可控,对纤维的损伤小,且为类石墨烯结构弱界面层,可以大副提高复合材料的力学性能。
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公开(公告)号:CN115966402B
公开(公告)日:2024-09-20
申请号:CN202211546528.X
申请日:2022-12-05
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种柔性纳米复合电介质混合液及柔性纳米复合电介质和应用,本发明的柔性纳米复合电介质混合液包括以总量计的7~30wt%铁电材料、0.5~1.2wt%碳量子点、4~10wt%聚合物基体和55%~88wt%有机溶剂,在室温下,将所述柔性纳米复合电介质混合液旋涂于柔性衬底上,干燥得到本发明的柔性纳米复合电介质。本发明的柔性纳米复合电介质的制备方法基于阈值理论,在制备柔性纳米复合电介质所采用的柔性纳米复合电介质混合液中新加入了少量导电的碳量子点,极大地提高了柔性纳米复合电介质的相对介电常数,并通过磁力机械搅拌工艺与旋涂工艺相结合的制备工艺实现了大规模的复合电介质薄膜的制备。
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公开(公告)号:CN115538155B
公开(公告)日:2023-08-22
申请号:CN202211265349.9
申请日:2022-10-17
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明提供一种碳化硅纤维复合电磁吸波材料及其制备方法,制备方法包括如下步骤:步骤S1,将碳化硅纤维进行除胶预处理;步骤S2,采用熔盐法在除胶后的碳化硅纤维表面沉积钛硅碳层;其中,熔盐中各成分的质量比为钛:碳化硅:氯化钠:氯化钾=1~4:1:12~16:12~16,气氛为氮气或者氩气,温度为900~1200℃,升温速率为5~15℃/min,保温时间为1~2h;步骤S3,采用气相沉积法,在钛硅碳层修饰的碳化硅纤维表面原位生长碳纳米管,得到碳化硅纤维复合电磁吸波材料。由该制备方法制备得到的复合电磁吸波材料具有密度低、发射损耗高、吸波性能优的特点。
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公开(公告)号:CN114804830B
公开(公告)日:2023-03-14
申请号:CN202210181041.X
申请日:2022-02-25
Applicant: 中南大学
IPC: C04B33/135 , C04B33/13 , C04B33/32 , C04B33/36 , B64C1/00
Abstract: 本发明公开了一种地质聚合物基复合材料及其制备方法和在飞行器防热结构中的应用。将粉煤灰、填料、助熔剂及碱性激发剂混匀后,依次进行地聚合反应、干燥处理和高温烧结,即得地质聚合物基复合材料。该地质聚合物基复合材料具有成本低、力学性能好、质轻和耐高温性能稳定等优点,能够替代传统的酚醛树脂、聚芳炔与聚酰亚胺等树脂基防热材料应用于高超声速飞行器防热构件,且有望满足高马赫、长时航、跨大气层等新型飞行器的应用要求以及满足更加苛刻的飞行器气动热流环境。
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公开(公告)号:CN115513370A
公开(公告)日:2022-12-23
申请号:CN202211359763.6
申请日:2022-11-02
Applicant: 中南大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种钛酸锶基氧化物超晶格薄膜忆阻器及其制备方法,其制备方法包括如下步骤:以掺铌钛酸锶单晶衬底作为底电极;在掺铌钛酸锶单晶衬底表面交替沉积钛酸锶层和另一类氧化物膜层,制备得到钛酸锶基氧化物超晶格薄膜作为存储介质层,其中,另一类氧化物膜层选用掺钇氧化锆、钴酸镧、或铁酸铋中的一种;在步骤S2得到的镀有存储介质层的基片表面再沉积金属薄膜作为顶电极,得到含有底电极∥STO基氧化物超晶格薄膜存储介质层∥顶电极的忆阻器。由该制备方法制备得到的钛酸锶基氧化物超晶格薄膜忆阻器可形成单晶或晶体完整性较高的超晶格薄膜,忆阻器具备低的操作电压和高的组态稳定性。
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