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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116463719A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310234865.3
申请日：2023-03-13
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种高介电常数镉磷硫晶体的制备方法、应用及电子器件。该制备方法包括以下步骤：根据镉磷硫晶体对应化学结构式中各组成元素的摩尔比提供镉单质、磷单质和硫单质；镉磷硫晶体的化学结构式为CdPS3。采用化学气相输运法直接生长镉磷硫晶体；或采用化学气相沉积法、物理气相沉积法、金属有机源化学气相沉积法直接在绝缘衬底上生长镉磷硫晶体。上述的高介电常数镉磷硫晶体的制备方法中，以镉单质、磷单质和硫单质为原料，不包含其他元素；至少减少高介电常数镉磷硫晶体中其他元素的含量，提高其纯度，同时高介电常数镉磷硫晶体的颗粒较为完整，粒径较大，且具有较高的相对介电常数。
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公开(公告)号：CN115241306B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202210795677.3
申请日：2022-07-06
Applicant: 中南大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/0392 , H01L31/108 , H01L21/365
Abstract: 本发明提供了一种铋硒硫半导体、制备及广谱、超快偏振光电探测器。该铋硒硫半导体为晶体，铋硒硫半导体的化学结构式为BixSeySz，其中，1≤x≤2，0＜y≤3，0＜z≤3，且3x＝2y+2z。上述的铋硒硫半导体中，Bi2Se3半导体具有正交晶系结构，通过将S掺杂到Bi2Se3中，生长出BixSeySz半导体。相比Bi2Se3半导体，BixSeySz半导体的能带结构得到优化和丰富，因此，以其构建的光电器件暗电流较低，探测范围更广，有助于实现光电器件的高性能。
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公开(公告)号：CN116744774A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310636762.X
申请日：2023-05-31
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明提供了一种铁钽硒磁性材料、霍尔器件及其制备方法。该铁钽硒磁性材料为单晶，铁钽硒磁性材料的化学结构式为FexTaSe2，其中，0.1≤x≤0.5。本工作的实验结果为插层过渡金属二卤族化合物FexTaSe2的磁性和磁电输运特性提供了重要信息，可为未来不同磁性元素M(M＝Fe,Co,Ni等)含量的MxTaSe2化合物的磁性和磁电输运特性研究提供参考。
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公开(公告)号：CN115537930A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211203945.4
申请日：2022-09-29
Applicant: 中南大学
IPC: C30B29/48 , C30B29/62 , C30B25/00 , C30B7/10 , C30B23/02 , C30B25/02 , C30B28/04 , C30B28/12 , C30B28/14 , H01L31/032 , H01L31/09 , H01L31/0352 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种铋碲硫半导体、制备方法及光电器件。铋碲硫半导体为晶体，铋碲硫半导体的化学结构式为BixTeySz，其中，1≤x≤2，0＜y≤3，0＜z≤3。上述的铋碲硫半导体中，Bi2Te3半导体具有正交晶系结构，通过将S掺杂到Bi2Te3中，生长出BixTeySz半导体。相比Bi2Te3半导体，BixTeySz半导体的能带结构得到优化和丰富，因此，以其构建的光电器件暗电流较低，探测范围更广，有助于实现光电器件的高性能。
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公开(公告)号：CN115241306A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210795677.3
申请日：2022-07-06
Applicant: 中南大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/0392 , H01L31/108 , H01L21/365
Abstract: 本发明提供了一种铋硒硫半导体、制备及广谱、超快偏振光电探测器。该铋硒硫半导体为晶体，铋硒硫半导体的化学结构式为BixSeySz，其中，1≤x≤2，0＜y≤3，0＜z≤3，且3x＝2y+2z。上述的铋硒硫半导体中，Bi2Se3半导体具有正交晶系结构，通过将S掺杂到Bi2Se3中，生长出BixSeySz半导体。相比Bi2Se3半导体，BixSeySz半导体的能带结构得到优化和丰富，因此，以其构建的光电器件暗电流较低，探测范围更广，有助于实现光电器件的高性能。
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