公开(公告)号：CN117428295B

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202311473663.0

申请日：2023-11-06

Applicant: 中国化学工程第六建设有限公司

Inventor： 崔凯彬 ,  张辉 ,  王华初 ,  冶家乐 ,  曾霸 ,  阿尔山

IPC: B23K9/16 ,  B23K9/235 ,  B23K9/32 ,  B23K31/12 ,  B23K101/06

Abstract: 本发明公开了一种半导体级多晶硅大口径厚壁EP管道洁净焊接控制方法，包括对焊接环境洁净度控制和对焊接工艺的控制，对焊接环境洁净度控制包括：一是焊接、物料存储均在10000级以上无尘环境即洁净棚中进行；二是预制焊接厂房保持密封性；三是设置通风和排气系统；对焊接工艺的控制包括：一是对管道切割下料控制；二是对管道组对过程控制；三是对焊接过程控制；焊接完成后对焊接产品进行检验至合格满足设计要求。本发明通过材料的选用、机具设备、施焊条件、施焊工艺过程等有效控制管道洁净度，确保了工程质量，生产出高纯度产品。

公开(公告)号：CN117428295A

公开(公告)日：2024-01-23

申请号：CN202311473663.0

申请日：2023-11-06

Applicant: 中国化学工程第六建设有限公司

Inventor： 崔凯彬 ,  张辉 ,  王华初 ,  冶家乐 ,  曾霸 ,  阿尔山

IPC: B23K9/16 ,  B23K9/235 ,  B23K9/32 ,  B23K31/12 ,  B23K101/06

Abstract: 本发明公开了一种半导体级多晶硅大口径厚壁EP管道洁净焊接控制方法，包括对焊接环境洁净度控制和对焊接工艺的控制，对焊接环境洁净度控制包括：一是焊接、物料存储均在10000级以上无尘环境即洁净棚中进行；二是预制焊接厂房保持密封性；三是设置通风和排气系统；对焊接工艺的控制包括：一是对管道切割下料控制；二是对管道组对过程控制；三是对焊接过程控制；焊接完成后对焊接产品进行检验至合格满足设计要求。本发明通过材料的选用、机具设备、施焊条件、施焊工艺过程等有效控制管道洁净度，确保了工程质量，生产出高纯度产品。