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公开(公告)号：CN113318596B
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202110651427.8
申请日：2021-06-10
Applicant: 中国工程物理研究院核物理与化学研究所
IPC: B01D59/26
Abstract: 本发明公开了一种氘氚混合气的分离系统，所述分离系统包括分氘单元、分氚单元及补气单元，其连接关系是分氘单元与分氚单元通过气动阀III连接，补气单元与分氚单元通过气动阀II连接。所述分离方法包括步骤：(a)氘氚混合原料气的输入、(b)氘氚混合原料气在除氘柱和除氚柱之间回流振荡；(c)重复步骤(b)数次、(d)分氘单元中纯氘的输出、(e)分氚单元中纯氚的输出。本发明通过温度控制调节色谱柱的氢同位素效应和气体平衡压，实现氘在除氘色谱柱内富集，氚在除氚色谱柱内富集。本发明氘氚混合气分离方法，利用周期性升、降温实现氘氚混合气在双柱之间多次振荡，获得氘和氚的分离，利用在线微色谱监测分离后氘、氚产品气的纯度。
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公开(公告)号：CN111968769B
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202010950591.4
申请日：2020-09-10
Applicant: 中国工程物理研究院核物理与化学研究所
Abstract: 本发明公开了一种耐高温快中子屏蔽材料、复合屏蔽材料及其制备方法，所述的快中子屏蔽材料由氢化锆，镁和/或镁合金组成，所述的复合屏蔽材料为由氢化锆、镁和/或镁合金、硼单质和/或碳化硼和/或钨所组合的组成物。本发明提供的屏蔽材料能有效屏蔽快中子，并且耐高温、抗辐照、安全可靠。本发明的制备方法通过控制原料粉末按重量百分比配比为：4％～85％的氢化锆，5％～85％的镁或镁合金，0％～10％的硼单质，0％～10％的碳化硼，0％～90％的钨，该方法实现了所获得的屏蔽材料耐高温、抗辐照、安全可靠，且致密度高、力学性能好的优点。
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公开(公告)号：CN113390012B
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202110646251.7
申请日：2021-06-10
Applicant: 中国工程物理研究院核物理与化学研究所
Abstract: 本发明公开了一种氘氚混合气的供应设备及方法，该设备包括气源床，加热冷却一体机，标准容器，氢同位素在线微色谱，真空机组；气源床与加热冷却一体机通过导热油管路相连；气源床与标准容器通过气动阀II、气动阀V相连；标准容器和氢同位素在线微色谱通过进样管路相连；标准容器和真空机组通过气动阀II、气动阀VIII相连。该设备采取气源床、加热冷却一体机，在线微色谱等特定组合方式，实现了供应过程中氘/氚比例不发生变化。供应方法包括以下步骤：气源床降温并保持恒温、氘氚混合原料气的输入、气源床升温并恒温、氘氚混合气体的输出。该方法对气源床精确控温，利用在线微色谱监测混合气氘/氚比例，实现了气源床供气过程中零同位素效应。
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公开(公告)号：CN109986233B
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN201910273946.8
申请日：2019-04-08
Applicant: 中国工程物理研究院核物理与化学研究所
IPC: B23K35/26
Abstract: 本发明公开了一种石英玻璃封接用Sn‑Ti‑Ag三元合金焊料。该三元合金焊料的基体为锡，引入的Ti和Ag的重量百分比组分为Ti：0.1%～1.6%、Ag：0.1%～2.0%，引入的O的原子百分比组分为0.05%～3.9%，三元合金焊料中的杂质质量百分比小于等于0.1%。该三元合金焊料的焊接温度范围为650℃～800℃，焊接真空度小于等于5×10‑3Pa。该三元合金焊料在石英玻璃封接过程中不需要助焊剂，简化了石英玻璃封接工艺，提高了石英玻璃封接的真空密封可靠性。该三元合金焊料既可广泛应用于石英玻璃封接，也可应用于石英玻璃、软化温度不低于800℃的以SiO2为主要成分的玻璃、钛材、无氧铜和表面有钛镀层的金属等的相互焊接，尤其适用于制备脉冲氙灯，可使脉冲氙灯的使用寿命和工作可靠性显著提高。
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公开(公告)号：CN109986232B
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN201910273930.7
申请日：2019-04-08
Applicant: 中国工程物理研究院核物理与化学研究所
IPC: B23K35/26
Abstract: 本发明公开了一种石英玻璃封接用Sn‑Ti‑Cu三元合金焊料。该三元合金焊料的基体为锡，引入的Ti和Cu的重量百分比组分为Ti：0.1%～2.0%、Cu：0.1%～1.0%，引入的O的原子百分比组分为0.05%～4.9%，三元合金焊料中的杂质质量百分比小于等于0.1%。该三元合金焊料的焊接温度范围为650℃～800℃，焊接真空度小于等于5×10‑3Pa。该三元合金焊料在石英玻璃封接过程中不需要助焊剂，简化了石英玻璃封接工艺，提高了石英玻璃封接的真空密封可靠性。该三元合金焊料既可广泛应用于石英玻璃封接，也可应用于石英玻璃、软化温度不低于800℃的以SiO2为主要成分的玻璃、钛材、无氧铜和表面有钛镀层的金属等的相互焊接，尤其适用于制备脉冲氙灯，可使脉冲氙灯的使用寿命和工作可靠性显著提高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112126949A
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN202011012321.5
申请日：2020-09-24
Applicant: 中国工程物理研究院核物理与化学研究所
Abstract: 本发明公开了一种多主元合金纳米颗粒的热震荡制备方法。制备的纳米颗粒合金成分为TiaZrbHfcModNbe(5≤a≤55，10≤b≤65，0≤c≤20，0≤d≤20，0≤e≤65，a+b+c+d+e＝100)，纳米颗粒的统计平均粒径范围在18‑89nm之间，并且颗粒尺寸可通过热震荡时间调控。其制备过程如下所述：原料准备、混合溶液、准备热震荡基材、热震荡，最后用超声清洗仪器将生长有多主元合金纳米颗粒的石墨烯从碳纤维条上分离下来。本发明还公开了一种热震荡制备方法或多主元合金纳米颗粒的应用，本发明制备的多主元合金纳米颗粒具有特殊的贮氢特性，该纳米合金颗粒在储氢材料领域具有一定的应用前景。
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公开(公告)号：CN111968769A
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN202010950591.4
申请日：2020-09-10
Applicant: 中国工程物理研究院核物理与化学研究所
Abstract: 本发明公开了一种耐高温快中子屏蔽材料、复合屏蔽材料及其制备方法，所述的快中子屏蔽材料由氢化锆，镁和/或镁合金组成，所述的复合屏蔽材料为由氢化锆、镁和/或镁合金、硼单质和/或碳化硼和/或钨所组合的组成物。本发明提供的屏蔽材料能有效屏蔽快中子，并且耐高温、抗辐照、安全可靠。本发明的制备方法通过控制原料粉末按重量百分比配比为：4％～85％的氢化锆，5％～85％的镁或镁合金，0％～10％的硼单质，0％～10％的碳化硼，0％～90％的钨，该方法实现了所获得的屏蔽材料耐高温、抗辐照、安全可靠，且致密度高、力学性能好的优点。
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公开(公告)号：CN109182875A
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201811199816.6
申请日：2018-11-06
Applicant: 中国工程物理研究院核物理与化学研究所
Abstract: 本发明公开了一种单相可逆及抗氧化贮氢高熵合金及其制备方法。该高熵合金的成分表达式为：Ti0.2Zr0.2Hf0.2MoaNbb，其中0≤a≤0.3，0.1≤b≤0.4，a+b=0.4。该高熵合金的制备过程如下：（1）原料配制：按照原子百分比称量配制各金属颗粒；（2）颗粒混合：按照金属熔点特性对原料进行筛选分类并混合置于熔炼炉坩埚中；（3）熔炼合金：使用真空非自耗电弧熔炼炉对金属颗粒进行熔炼。该高熵合金具有物相单一、吸氢前后物相单相可逆循环、高抗氧化性、吸放氢速度快等优点，在氢能领域具有广阔的应用前景。该高熵合金的制备方法采用真空非自耗电弧熔炼炉进行制备，简单可靠，安全性好，经济价值高。
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公开(公告)号：CN119845780A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202510029529.4
申请日：2025-01-08
Applicant: 中国工程物理研究院核物理与化学研究所
Abstract: 本发明公开了一种储氢金属氢同位素效应测试系统，采用吸附等温线自动测试仪，在线氢同位素色谱仪和加热冷却一体机等特定组合方式，实现了储氢金属的氢同位素效应测试，获得了石英样品管中储氢金属在吸附‑脱附氕氘混合气过程中氢同位素效应的变化情况。本发明还公开了一种储氢金属吸‑脱附氕氘混合气中氢同位素效应的测试方法，利用吸附等温线测试仪判断吸‑脱附平衡并获得氕氘总吸‑脱附量，利用在线气相色谱仪分析吸‑脱附平衡时氕‑氘混合气比例，计算出氕吸‑脱附量和氘吸‑脱附量。该系统测试氕、氘吸‑脱附情况的同时，还能观察氕化氘(HD)分子吸‑脱附情况，更加准确地反映出储氢金属化学吸‑脱附时表现出来的氢同位素效应。
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公开(公告)号：CN114964590B
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202210597532.2
申请日：2022-05-26
Applicant: 中国工程物理研究院核物理与化学研究所
IPC: G01L5/00
Abstract: 本发明公开了一种氚化物纳米级微区应力分布的电子显微分析方法。该方法包括以下步骤：(1)聚焦离子束法制备厚度小于100纳米的氚化物透射电镜样品；(2)纳米尺度上确定待分析显微区域并使其处于正带轴状态；(3)设置透射电镜光路旨在获得显微区域内某点的纳米衍射谱；(4)设置纳米衍射谱面扫描分辨率和采集时间并开始采集待分析区域的纳米衍射面扫描；(5)以起始点纳米衍射谱中低指数晶面衍射斑为基准，计算面扫描中各相同衍射斑的矢量偏移情况，得出氚化物的微区应力分布。该方法分析得出了氚化物中纳米尺度氦泡区域微区残余应力分布，不仅对揭示氚化物中氦泡演化机理有重要意义，还在材料微区残余应力显微分析领域具有重要的应用前景。
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