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公开(公告)号：CN111091919B
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202010089740.2
申请日：2020-02-13
Applicant: 中国工程物理研究院核物理与化学研究所 , 中国航空工业集团公司北京长城航空测控技术研究所
IPC: G21C17/06
Abstract: 本发明公开了一种用于中子活化分析的活化箔夹持结构及活化箔取出装置，其包括：一片由高纯铝(纯度＞99.999％)及镶嵌其上的五枚铝镍或铝钴合金活化箔组成的活化箔夹持结构；一个用于取出铝镍或铝钴合金活化箔的装置。本发明的活化箔夹持结构采用镶嵌方式固定五组活化箔，可有效降低活化箔意外脱落风险，可实现单次测量获得多个数据点的功能，提高布放效率，同时适用于低、高功率运行的反应堆；本发明的活化箔取出装置可以定位活化箔的位置，采用远距离机械施压方式取出活化箔，并配有铅玻璃透明罩，可有效降低实验操作人员承受的γ射线辐射剂量。本发明的用于中子活化分析的活化箔夹持结构及活化箔取出装置适用于反应堆内指定位置中子通量的测量。
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公开(公告)号：CN111091919A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN202010089740.2
申请日：2020-02-13
Applicant: 中国工程物理研究院核物理与化学研究所 , 中国航空工业集团公司北京长城航空测控技术研究所
IPC: G21C17/06
Abstract: 本发明公开了一种用于中子活化分析的活化箔夹持结构及活化箔取出装置，其包括：一片由高纯铝(纯度＞99.999％)及镶嵌其上的五枚铝镍或铝钴合金活化箔组成的活化箔夹持结构；一个用于取出铝镍或铝钴合金活化箔的装置。本发明的活化箔夹持结构采用镶嵌方式固定五组活化箔，可有效降低活化箔意外脱落风险，可实现单次测量获得多个数据点的功能，提高布放效率，同时适用于低、高功率运行的反应堆；本发明的活化箔取出装置可以定位活化箔的位置，采用远距离机械施压方式取出活化箔，并配有铅玻璃透明罩，可有效降低实验操作人员承受的γ射线辐射剂量。本发明的用于中子活化分析的活化箔夹持结构及活化箔取出装置适用于反应堆内指定位置中子通量的测量。
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公开(公告)号：CN211828152U
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202020166093.6
申请日：2020-02-13
Applicant: 中国工程物理研究院核物理与化学研究所 , 中国航空工业集团公司北京长城航空测控技术研究所
IPC: G21C17/06
Abstract: 本实用新型公开了一种活化箔夹持结构及活化箔取出装置，所述活化箔夹持结构包括基体、活化箔、活化箔夹持部，所述的基体设有若干通孔，活化箔通过活化箔夹持部放置于基体通孔内；所述活化箔取出装置包括定位部、取出部、屏蔽部及底座。本活化箔夹持结构采用镶嵌方式固定五组活化箔，可有效降低活化箔意外脱落风险，可实现单次测量获得多个数据点的功能，提高布放效率，同时适用于低、高功率运行的反应堆；本活化箔取出装置可以定位活化箔的位置，采用远距离机械施压方式取出活化箔，并配有铅玻璃透明罩，可有效降低实验操作人员承受的γ射线辐射剂量。本实用新型的活化箔夹持结构及活化箔取出装置适用于反应堆内指定位置中子通量的测量。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN111071986B
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN201911394242.2
申请日：2019-12-30
Applicant: 北京航空航天大学 , 中国航空工业集团公司北京长城航空测控技术研究所
Abstract: 本发明涉及半导体加工技术领域，提供了一种激光改性辅助制备碳化硅多级微结构的方法及一种加速度传感器。本发明在碳化硅基底表面制备图案化掩膜，对具有图案化掩膜的碳化硅基底进行局部激光辐照，激光辐照区域内无掩膜遮蔽的碳化硅发生改性，改性后的碳化硅刻蚀速率远高于未经激光辐照的单晶碳化硅，利用二者的刻蚀速率差，实现碳化硅多级微结构的一次性同步刻蚀。本发明提供的方法工艺简单，可操作性强，利用该方法能够制备出具有碳化硅多级微结构的传感元件和带有光纤孔的碳化硅传感基板，二者通过键合能够实现耐高温光学式碳化硅加速度传感器的制备，解决常规加速度传感器无法在高温恶劣环境下工作的问题。
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公开(公告)号：CN111933623A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN202010607233.3
申请日：2020-06-29
Applicant: 中国航空工业集团公司北京长城航空测控技术研究所 , 中航高科智能测控有限公司 , 北京瑞赛长城航空测控技术有限公司
IPC: H01L25/065
Abstract: 本发明提供了一种基于基板侧面焊盘的封装互连结构及方法，包括塑封层(1)、元器件(2)、基板层(3)、基板侧面焊盘(4)、焊球(5)、侧面引脚(6)、PCB板(7)。制作基板时在其侧面制作相应的焊盘，封装互连时根据封装体的具体尺寸及高度设计引脚尺寸，实现从基板侧面进行电信号的引出，可以提高IO密度，在多层封装互连时，根据封装结构的尺寸，采用本方法可以直接实现顶层基板信号与PCB的连接。本发明提出一种基于侧面pad结构的设计，将部分pad由基板背面布线移至基板侧面，单一产品可以增加IO密度，还可以解决多层基板之间跨层互连问题，同时为POP互连提供便捷方案。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111128913A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911353667.9
申请日：2019-12-24
Applicant: 中国航空工业集团公司北京长城航空测控技术研究所 , 中航高科智能测控有限公司 , 北京瑞赛长城航空测控技术有限公司
Abstract: 本发明涉及一种芯片的倒装焊接封装结构，封装结构包括芯片、塑封、焊料和基板；所述芯片底面由焊料形成微凸点，微凸点开有盲孔；基板设置有铜柱，所述导电柱插接在所述盲孔中，导电柱的内径与所述盲孔的外径相适配；所述芯片和微凸点均被塑封包覆。本发明利用传统半导体加工方法解决了现有芯片倒装焊接时不易对准、润湿不好、容易错位，连接强度不高等问题出现，具有工艺简单，容易操作等优点。
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公开(公告)号：CN114355064A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202111593170.1
申请日：2021-12-23
Applicant: 中国航空工业集团公司北京长城航空测控技术研究所
IPC: G01R29/24
Abstract: 本发明属于电量属于测试技术领域，公开了一种一体式移动物体电量检测传感器，包括：中心探头、硬质夹层、填充物或初级电路、分体壳套以及引线，可以对经过传感器的带电物体的电量进行探测，获得的响应信号幅值与电量成正相关关系。其中，中心探头采用高电导率材料并与引线连接；中心探头外包裹有高电阻率硬质夹层；硬质夹层外装有分体壳套，引线由分体壳套中引出，引线带有屏蔽外壳并与分体壳套连接，硬质夹层和分体壳套中空间部分通过填充物填充，空间中也可放置初级电路，对信号起转化和放大作用。本发明在实现移动物体带电量探测的同时，提高了传感器与电缆连接的可靠性、耐温性、屏蔽性。
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公开(公告)号：CN111128913B
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN201911353667.9
申请日：2019-12-24
Applicant: 中国航空工业集团公司北京长城航空测控技术研究所 , 中航高科智能测控有限公司 , 北京瑞赛长城航空测控技术有限公司
Abstract: 本发明涉及一种芯片的倒装焊接封装结构，封装结构包括芯片、塑封、焊料和基板；所述芯片底面由焊料形成微凸点，微凸点开有盲孔；基板设置有铜柱，所述导电柱插接在所述盲孔中，导电柱的内径与所述盲孔的外径相适配；所述芯片和微凸点均被塑封包覆。本发明利用传统半导体加工方法解决了现有芯片倒装焊接时不易对准、润湿不好、容易错位，连接强度不高等问题出现，具有工艺简单，容易操作等优点。
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公开(公告)号：CN111060715B
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN201911353292.6
申请日：2019-12-24
Applicant: 中国航空工业集团公司北京长城航空测控技术研究所 , 中航高科智能测控有限公司 , 北京瑞赛长城航空测控技术有限公司
IPC: G01P15/03
Abstract: 本发明涉及一种基于热电堆的加速度传感器，该加速度传感器包括封装体、键合层、基板、左热电堆、右热电堆和发热单元；所述发热单元产生热量，其热量会通过质量块与发热单元之间的空气传递给左右热电堆，当有加速度时，两个热电堆感受到的热量为稳态，当存在加速度时，质量块的移动会导致质量块与发热单元之间的间隙发生变化或质量块与左右热电堆的间隙发生变化，从而影响间隙空间中的空气量，进而导致热量传递的变化，使得左右热电堆的热结果发生变化，通过所述变化计算、推算或映射获得加速度。本发明结构简单，成本低，易于加工，原理简单，体积小，集成性好，灵敏度高，不易受到电磁环境的干扰，可采用微加工工艺进行大批量生产。
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公开(公告)号：CN109030544B
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN201810574177.0
申请日：2018-06-06
Applicant: 中国航空工业集团公司北京长城航空测控技术研究所 , 中航高科智能测控有限公司 , 北京瑞赛长城航空测控技术有限公司
IPC: G01N25/00 , G01N23/207 , G01K7/02
Abstract: 本发明是一种基于微型晶体晶格参数变化的最高温度测量方法，该方法是在不破坏工件表面状态，且不影响工件正常工作的条件下，通过检测微型晶体晶格参数变化、获取被测工件最高温度的特种测温技术。对中子辐照后的掺氮3C‑SiC晶体进行微型化切割加工，再对微型晶体进行不同温度、不同时间的高温退火处理后测量其晶格参数，并绘制“温度—时间—晶格体积膨胀率”测温标定曲线。使用时，将微型晶体安装于被测工件表面，待工件正常工作结束后，将微型晶体温度传感器取出并测量其晶格参数，通过查找测温标定曲线中在该加热时间、晶格体积膨胀率下所对应的温度，即可得到被测点所经历的最高温度。进一步地，通过在重点测温区域安装多个微型晶体温度传感器，可得到工件表面最高温度场的测量结果。
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