公开(公告)号：CN113390814A

公开(公告)日：2021-09-14

申请号：CN202110650451.X

申请日：2021-06-10

Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心

Inventor： 叶鑫 ,  唐烽 ,  李波 ,  伍景军

IPC: G01N21/3563

Abstract: 本发明涉及一种基于超材料光谱仪芯片的智能成分分析系统，包括：单片机、光源驱动电路、光源、样品存放装置、超材料光谱仪芯片；被测样品放置在样品存放装置中；沿宽谱光源的出射光的方向依次设置有样品存放装置和超材料光谱仪芯片；单片机与光源驱动电路连接，光源驱动电路与宽谱光源连接，单片机用于控制光源驱动电路对宽谱光源进行驱动；宽谱光源发射的红外光线照射被测样品，红外光线穿过被测样品透射到超材料光谱仪芯片上产生红外透射光谱数据；单片机与超材料光谱仪芯片连接，单片机还用于收集红外透射光谱数据，并根据红外透射光谱数据分析被测样品成分分类及含量状态。本发明利用超材料光谱仪芯片实现了红外光谱分析仪的微型化。

公开(公告)号：CN114689179B

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202011611910.5

申请日：2020-12-30

Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心

Inventor： 叶鑫 ,  唐烽 ,  伍景军 ,  岑春莲 ,  李波 ,  李青芝

IPC: G01J5/10 ,  G01J3/02 ,  G01J3/28 ,  H01L31/101 ,  H01L27/14

Abstract: 本发明公开了一种表面等离激元超材料热释电高光谱成像系统。该系统包括面阵探测器，数据处理器和显示器。核心部件面阵探测器的像元包括热释电探测层、金属层、介质隔离层、二维材料层、离子凝胶层和电极；金属层设置在热释电探测层上方，介质隔离层设置在金属层上方，二维材料层设置在介质隔离层上方，二维材料层上方涂覆有离子凝胶层，电极的栅极设置在离子凝胶层上方，源极和漏极分别设置在离子凝胶层两侧，源极和漏极均与离子凝胶层接触，源极与第一外接电源的正极连接，栅极与第二外接电源的正极连接，漏极分别与第一外接电源的负极和第二外接电源的负极连接。本发明通过调节第一外接电源的电压和/或第二外接电源的电压能够实现高光谱成像。

公开(公告)号：CN114689179A

公开(公告)日：2022-07-01

申请号：CN202011611910.5

申请日：2020-12-30

Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心

Inventor： 叶鑫 ,  唐烽 ,  伍景军 ,  岑春莲 ,  李波 ,  李青芝

IPC: G01J5/10 ,  G01J3/02 ,  G01J3/28 ,  H01L31/101 ,  H01L27/14

Abstract: 本发明公开了一种表面等离激元超材料热释电高光谱成像系统。该系统包括面阵探测器，数据处理器和显示器。核心部件面阵探测器的像元包括热释电探测层、金属层、介质隔离层、二维材料层、离子凝胶层和电极；金属层设置在热释电探测层上方，介质隔离层设置在金属层上方，二维材料层设置在介质隔离层上方，二维材料层上方涂覆有离子凝胶层，电极的栅极设置在离子凝胶层上方，源极和漏极分别设置在离子凝胶层两侧，源极和漏极均与离子凝胶层接触，源极与第一外接电源的正极连接，栅极与第二外接电源的正极连接，漏极分别与第一外接电源的负极和第二外接电源的负极连接。本发明通过调节第一外接电源的电压和/或第二外接电源的电压能够实现高光谱成像。

公开(公告)号：CN109110729A

公开(公告)日：2019-01-01

申请号：CN201811019444.4

申请日：2018-09-03

Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心

Inventor： 叶鑫 ,  胡锡亨 ,  邵婷 ,  伍景军 ,  石兆华 ,  夏汉定 ,  李青芝 ,  刘红婕 ,  杨李茗 ,  郑万国 ,  吴卫东 ,  黄进 ,  王凤蕊

IPC: B81C1/00

Abstract: 本发明提供了一种微纳结构的制备方法，包括以下步骤：在金属基板单面部分覆盖玻璃片，得到基体；在基体覆盖有玻璃片的一面进行等离子体刻蚀，得到微纳结构；所述等离子体刻蚀用气体包括含氟气体和Ar。本发明提供的微纳结构制备方法简单，由本发明实施例可知，本发明提供的方法制备得到的微纳结构形貌较好。